Vysokorychlostní fotodiody
Díky našim mnohaletým zkušenostem ve vývoji a výrobě PIN diod 850 nm splňují vysokorychlostní fotodiody společnosti TRUMPF nejvyšší nároky na výkon, efektivitu a spolehlivost. Jsou dostupné pro přenosové rychlosti až do 56 Gbps, v současnosti jako čip 1x1 nebo 1x4, resp. 1x12 pole.
Využijte vysoké citlivosti detekce při současně nízkém temném proudu.
Rozsáhlé testovací a kvalifikační procedury zajišťují nejvyšší spolehlivost.

Přijímací prvek pro Transceiver, AOC a On-Board-Optics
Vhodný doplněk k našemu Datacom VCSEL.

Fotodioda 56 G
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 38 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 56 Gbps PAM4.

Fotodioda 25 G
Tato PIN fotodioda má aktivní plochou o průměru 42 µm a hodí se pro přenosové rychlosti až 25 Gbps.

Fotodioda 14 G
Se svou aktivní plochou o průměru 55 µm je PIN fotodioda dimenzována pro přenosové rychlosti až 14 Gbps.

Fotodioda 10 G
Tato PIN fotodioda disponuje aktivní plochou o průměru 70 µm a je vhodná pro přenosové rychlosti až 10 Gbps.
V závislosti na zemi se může tento produktový sortiment a tyto údaje lišit. Změny techniky, vybavení, cena a nabídka příslušenství jsou vyhrazeny. Pro zjištění dostupnosti výrobku ve vaší zemi prosím kontaktujte svoji kontaktní osobu.