High Speed Photodioden
Durch unsere jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von 850 nm PIN Dioden erfüllen TRUMPF Highspeed Photodioden höchste Ansprüche an Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Sie sind verfügbar für Datenraten bis zu 56 Gbps, jeweils als 1x1 Chip oder 1x4 bzw. 1x12 Array.
Profitieren Sie von einer hohen Ansprechempfindlichkeit bei gleichzeitig niedrigem Dunkelstrom.
Umfangreiche Test- und Qualifikationsprozeduren stellen höchste Zuverlässigkeit sicher.
Empfängerelement für Transceiver, AOC und On-Board-Optics
Das passende Gegenstück zu unseren Datacom VCSEL.
56G Photodiode
Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche mit Durchmesser 38 µm und ist für Datenraten bis 56 Gbps PAM4 geeignet.
25G Photodiode
Diese PIN Photodiode hat eine aktive Fläche von 42 µm im Durchmesser und eignet sich für Datenraten bis 25 Gbps.
14G Photodiode
Mit einer aktiven Fläche von 55 µm im Durchmesser ist diese PIN Photodiode für Datenraten bis 14 Gbps ausgelegt.
10G Photodiode
Diese PIN Photodiode verfügt über eine aktive Fläche von 70 µm im Durchmesser und ist für Datenraten bis 10 Gbps geeignet.
Je nach Land sind Abweichungen von diesem Produktsortiment und von diesen Angaben möglich. Änderungen in Technik, Ausstattung, Preis und Zubehörangebot sind vorbehalten. Bitte setzen Sie sich mit Ihrem Ansprechpartner vor Ort in Verbindung, um zu erfahren, ob das Produkt in Ihrem Land verfügbar ist.
