Photodiodes ultrarapides
Grâce à nos décennies d'expérience dans le développement et la fabrication de diodes de broche de 850 nm, les photodiodes ultrarapides de TRUMPF répondent aux plus fortes exigences en matière de puissance, d'efficacité et de fiabilité. Elles sont disponibles pour des débits allant jusqu'à 56 Gbit/s, sous forme de puce 1x1 ou de rangées de 1x4 ou 1x12.
Bénéficiez à la fois d'une grande sensibilité de réaction et d'un courant d'obscurité réduit.
Des procédures de test et de qualification très complètes garantissent une fiabilité maximale.
Elément récepteur de l'émetteur-récepteur, AOC et composants optiques embarqués
La contrepartie adaptée à notre VCSEL de transmission de données.
Photodiode 56G
Cette photodiode de broche dispose d'une surface active de 38 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 56 Gbit/s PAM-4.
Photodiode 25G
Cette photodiode de broche dispose d'une surface active de 42 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 25 Gbit/s.
Photodiode 14G
Avec sa surface active de 55 µm de diamètre, cette photodiode de broche est conçue pour des débits allant jusqu'à 14 Gbit/s.
Photodiode 10G
Cette photodiode de broche dispose d'une surface active de 70 µm de diamètre et est adaptée à des débits allant jusqu'à 10 Gbit/s.
Il peut y avoir des différences par rapport à cette gamme de produits et à ces indications dans certains pays. Sous réserve de modification de la technologie, de l’équipement, du prix et de l’offre d’accessoires. Veuillez contacter votre interlocuteur local, afin de savoir si le produit est disponible dans votre pays.
