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Visual Elektronik

Electronique

Plus rapide, plus petit, plus efficace : dans le domaine de la microélectronique, le progrès est étroitement lié aux technologies laser.

Une tendance durable à la miniaturisation et une production en grande série, telles sont les particularités principales de l’industrie de l’électronique. Grâce à une précision encore jamais atteinte et une bonne automatisation, la technologie laser offre des solutions industrielles répondant exactement à ces défis. Les lasers de TRUMPF ne jouent pas seulement un rôle élémentaire dans la fabrication de puces électroniques de dernière génération, ils permettent également une multitude d’autres opérations comme la découpe et le perçage de wafers en silicium, circuits imprimés ou modules électroniques. Les générateurs de TRUMPF Hüttinger fournissent en outre, de manière fiable et précise, l’énergie nécessaire aux processus de revêtement et de décapage utilisés dans la fabrication de wafers en silicium.

Puces hautes performances du futur

TruFlow Laser-Amplifier für EUV-Anwendungen

Sans la technologie laser, la naissance de la microélectronique, base de nos ordinateurs et smartphones actuels, aurait été impensable. Les puces logiques et mémoire présentent en effet des structures relevant du micromètre qui ne peuvent être générées que grâce au processus complexe d’exposition au rayonnement laser. L’approche conventionnelle recourant au rayonnement laser UV par des lasers à excimère a désormais atteint ses limites. Pour obtenir des structures encore plus petites, des longueurs d’onde plus courtes de l’ordre de l’ultraviolet extrême (EUV) sont nécessaires. Pour générer un tel rayonnement, un procédé novateur est cependant nécessaire. Celui-ci consiste à projeter, dans un laser CO2 ultrapuissant, de minuscules gouttelettes d’étain de manière à créer un plasma lumineux. Une partie du rayonnement de plasma, d’une longueur d’onde de 13,5 nm, peut alors être utilisée pour l’exposition des puces, un procédé appelé lithographie EUV. TRUMPF a développé ce procédé dans le cadre d’une collaboration intensive et inscrite sur le long terme avec le fabricant majeur de systèmes lithographiques, ASML, et le spécialiste des systèmes optiques, Zeiss, et développé un système laser CO2 unique au monde. Les produits TRUMPF sont en outre utilisés dans les processus de revêtement et de décapage en usage dans la fabrication de wafers en silicium. A l’avenir, la plupart des puces hautes performances contiendront une part de technologie TRUMPF.

Usinage de précision à froid des puces, packages et circuits imprimés

Laserbohren einer Leiterplatte mit einem Laser der TruMicro Serie 5000.

Après l’exposition et l’application de circuits sur les wafers en silicium, la chaîne de processus électronique se voit confrontée au prochain défi, à savoir la découpe des différentes puces. Pour obtenir des fentes de coupe aussi petites que possible et des bords de haute qualité, mais prévenir dans le même temps l’endommagement des puces sensibles aux influences thermiques, des lasers à impulsions ultracourtes de TRUMPF sont utilisés. Ceux-ci permettent l’usinage des matériaux sans effets thermiques indésirables et avec une précision extrême. Les lasers conviennent également à la découpe de modules sensibles (system-in-package), à l’usinage de circuits imprimés multimatériaux et au perçage de Microvias dans le silicium et le verre. Le secteur emploie également les lasers TRUMPF pour l’enlèvement ciblé par couches, la découpe de films et le marquage.

Tirage de cristaux

Zone Floating Process

La cristallogenèse synthétique constitue la base de la fabrication des semi-conducteurs, et ainsi le fondement des technologies de communication et de médias actuelles. Pour ce faire, des couches monocristallines croissent sur des substrats monocristallins d’une matière identique, la cristallographie restant la même. Le procédé est utilisé, entre autres, pour la fabrication de LED. Les générateurs à induction de TRUMPF Hüttinger permettent une répartition homogène et stable de la température grâce à une régulation rapide et précise des grandeurs initiales.

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