High Speed fotodiódák
A 850 nm PIN diódák fejlesztésében és gyártásában szerzett több évtizedes szakmai tapasztalatunk révén a TRUMPF Highspeed fotodiódák megfelelnek a legmagasabb teljesítménnyel, hatékonysággal és megbízhatósággal szemben támasztott igényeknek. Legfeljebb 56 Gbps adatátviteli sebességhez állnak rendelkezésre, egyenként 1x1 chip vagy 1x4, ill. 1x12 Array.
Profitáljon a nagyfokú válaszérzékenységből miközben alacsony a nyugalmi áram.
Az átfogó tesztelési és minősítési eljárások a legnagyobb megbízhatóságot nyújtják.
Vevő elem a következőkhöz: Transceiver, AOC és On-Board-Optics
A megfelelő ellendarab a Datacom VCSEL-ünkhöz.
56G fotodióda
Ez a PIN fotodióda 38 µm-es átmérőjű aktív felülettel rendelkezik, és legfeljebb 56 Gbit/s PAM4 adatátviteli sebességhez alkalmas.
25G fotodióda
Ez a PIN fotodióda 42 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 25 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
14G fotodióda
Ez a PIN fotodióda 55 µm-es aktív felülettel az átmérőben legfeljebb 14 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
10G fotodióda
Ez a PIN fotodióda 70 µm-es aktív felülettel rendelkezik az átmérőben, és legfeljebb 10 Gbps adatátviteli sebességhez alkalmas.
Országonként eltérések lehetnek a termékválasztékban és ezekben az adatokban. A technika, felszereltség, ár és tartozékkínálat változtatásának jogát fenntartjuk. Kérjük, lépjen kapcsolatba a helyi kapcsolattartójával, hogy megtudja, hogy a termék az Ön országában rendelkezésre áll-e.
