Fotodiodi high speed
Grazie alla nostra decennale competenza nello sviluppo e nella produzione di diodi PIN da 850 nm, i fotodiodi high speed di TRUMPF soddisfano i massimi requisiti in merito a prestazioni, efficienza e affidabilità. Sono disponibili per velocità di trasmissione fino a 56 Gbps, rispettivamente come chip 1x1 o array 1x4 o 1x12.
Beneficiate di alta reattività e allo stesso tempo di bassa corrente scura.
Numerose procedure di test e qualificazione assicurano la massima affidabilità.
Elemento ricevitore per ricetrasmettitori, AOC e sistemi ottici on board
Il supporto ideale per i nostri Datacom VCSEL.
Fotodiodo 56G
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 38 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 56 Gbps PAM4.
Fotodiodo 25G
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 42 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 25 Gbps.
Fotodiodo 14G
Con una superficie attiva con diametro di 55 µm, questo fotodiodo PIN è progettato per velocità di trasmissione dati fino a 14 Gbps.
Fotodiodo 10G
Questo fotodiodo PIN ha una superficie attiva con diametro di 70 µm ed è idoneo per velocità di trasmissione dati fino a 10 Gbps.
Sono possibili scostamenti da questa gamma di prodotti e da questi dati in funzione del paese. Con riserva di modifiche relative a tecnica, dotazione, prezzo e offerta di accessori. Contattare il proprio interlocutore locale per sapere se il prodotto è disponibile nel proprio paese.
