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高性能チップの製造に使用されるTRUMPFレーザー増幅器
高性能チップの製造に使用されるTRUMPFレーザー増幅器
CO2レーザ

TRUMPFレーザー増幅器

将来のマイクロチップを製造する際の基盤となるレーザーパルスを供給します。

デジタル時代の実現を可能にするEUVリソグラフィ

EUVリソグラフィは将来のマイクロチップの製造方法として、先頭を切っています。半導体業界は何年にもわたって、小型化が今後も進むシリコンウェーハ上構造の露光を可能にする、費用効率が高く量産に適した方法を探し求めてきました。ASML、ZeissとTRUMPFは共同で、産業使用に適した波長13.5 nmの極端紫外線 (EUV) を得る技術を開発しました。この技術では真空チャンバー内で、液滴ジェネレータが錫の微小液滴を毎秒50,000個射出します。これらの液滴それぞれに50,000個のレーザーパルスの一つが当たることで、液滴がプラズマに変化します。それにより発生したEUV光を、露光の対象となるウェーハにミラーを使用して向けます。プラズマ放射用のレーザーパルスは、TRUMPFが開発したパルス対応型CO2レーザー装置であるTRUMPFレーザー増幅器から発せられます。

数ワットから40キロワットへ

TRUMPFレーザー増幅器は、レーザーパルスを順次10,000倍以上に増幅します。

高い効率とプロセス安全性

プレパルスとメインパルスを放出することで、レーザー増幅器のフル出力を錫液滴に伝えることができます。

CO2レーザーの新しい用途

高出力レーザーシステムの基礎は、連続波モードで稼働するCO2レーザーです。TRUMPFはこれにより、同技術の新しい用途を生み出したことになります。

スペシャリストの大きなネットワーク

TRUMPF、ASMLとZEISSは長年にわたる密接な協力体制のもとで、EUV技術を産業界に適したレベルに引き上げました。

パーツ

… レーザー増幅器の構成部品数。

メートル

… システムに取り回されているケーブルの長さ。

キロ

… 総重量。

TRUMPFレーザー増幅器の主要コンポーネント

お客様向け情報

TRUMPFレーザー増幅器を使用して製造したチップ
EUVリソグラフィ

極端紫外線なしに、現代のコンピュータチップはありません。TRUMPFのCO2高出力レーザシステムが半導体構造の作成にどのような役割を果たしているか、ここからご覧ください。

ビジュアルエレクトロニクス
エレクトロニクス

レーザ加工から結晶育成に至るまで、TRUMPFはエレクトロニクス業界での高性能半導体製造用に基礎技術を提供しています。

CO2レーザ

過酷な条件下であっても揺るぐことのない高い信頼性を持つTRUMPFのTruFlow CO2レーザは、世界中の工場でカッティングと溶接を行っています。

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Hochleistungslasersysteme EUV-Lithografie
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