新世代のコンパクトな高周波RFジェネレータ
表面のコーティングまたは構造化では、安定性と再現性の高いプラズマ電力供給が決定的な意味を持ちます。この点に関して、最新のパワーエレクトロニクスを搭載したTruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) シリーズの高周波RFジェネレータは、最高の必要条件を備えています。安定した出力と高い制御精度により、最良の結果と高い生産性が同時に保証されます。
CombineLineテクノロジー: 真の50 Ωの出力インピーダンスにより最適な処理能力を発揮
ケーブル長さを適応させる必要なし – 高周波分野では全く新しい発想！
CombineLineテクノロジー: 誤調整時の反射電力に対する信頼性の高い保護。
最大80 %の効率により、エネルギー消費を最大50 %まで削減可能。
周囲の空気が加熱されたり汚染されたりすることはありません。このためクリーンルームでも動作可能。
フラットパネルディスプレイのコーティングに理想的
TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) シリーズの高周波RFジェネレータは、RIE、ALD、PECVD、RFスパッタリングなどのプラズマプロセスに最適です。これらの手法は、半導体部品および微小電気機械システム (MEMS) の製造、ならびにフラットパネルディスプレイ及びソーラーセルのコーティングなどで利用されます。
典型的な用途: ソーラー産業
TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) シリーズの典型的な用途は、ソーラー産業における難度の高いPECVD、エッチング及び高周波スパッタリングプロセスです。
半導体製造
半導体製造の際には、ドライエッチングによる除去プロセスから、純珪素製造における浮遊帯溶融法に至るまで、様々なプラズマプロセスが実行されます。TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) シリーズのジェネレータは、各プロセスに合わせて最適に調整され、安定した電力供給を確保する必要条件をすべて備えているため、再現性のある優れた結果が得られます。
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TruPlasma RF 1000-2/13
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TruPlasma RF 1000-3/13
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|---|---|---|
| 高周波出力 | ||
| 出力 | 2 kW | 3 kW |
| 定格出力 | 2 kW | 3 kW |
| 定格負荷のインピーダンス | 50 Ω | 50 Ω |
| 出力周波数 | 13.56 MHz | 13.56 MHz |
| 電源接続データ | ||
| 供給電圧 | 200 - 480 V | 200 - 480 V |
| 電源周波数 | 50-60 Hz | 50-60 Hz |
| 電源入力電力 | 3.1 kVA | 4.3 kVA |
| 出力係数 | 0.95 | 0.95 |
| 通信インターフェース | ||
| 同期インターフェース | はい | はい |
| アナログ/デジタル | はい | はい |
| RS 232 / RS 485 | はい | はい |
| PROFIBUS | はい | はい |
| EtherCAT | はい | はい |
| DeviceNet | はい | はい |
| ハウジング | ||
| 重量 | 18 kg | 18 kg |
| 保護タイプ IP | 30 | 30 |
| 冷却要件 | ||
| 最大水圧 | 7 bar | 7 bar |
| 最小圧力差 | 1.1 bar | 1.1 bar |
| 最小流量 | 4 l/min | 4 l/min |
| 冷媒温度 | 5 °C - 35 °C 1 | 5 °C - 35 °C 1 |
| 一般 | ||
| 全体効率 | 80 % | 80 % |
| 証明書 / 標準 | Semi S2、SEMI F47、UL、CSA、CE、RoHs | Semi S2、SEMI F47、UL、CSA、CE、RoHs |
| 環境条件 | ||
| 外部温度 | 5 °C - 40 °C | 5 °C - 40 °C |
| 湿度 | 5 % - 85 % | 5 % - 85 % |
| 気圧 | 79.5 kPa - 106 kPa | 79.5 kPa - 106 kPa |
ダウンロード形式で用意された全製品バリエーションの技術データ。
プロセスに合わせて最適にカスタマイズ
TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) シリーズのインテリジェントなリアルタイムマッチングにより、素早く50 Ωのインピーダンスに直接整合されます。特許取得済みのCombineLineテクノロジーは、プラズマ変動や汚れを確実に回避します。またファンなしの冷却コンセプトにより、ダウンタイム率の低下と効率の向上が実現されるほか、クリーンルームでの使用が可能になります。
最高の効率とフレキシビリティー
効率が最大80 %と極めて高いため、エネルギー費用は従来のジェネレータと比較して最大50 %低下します。多数の使用可能なインタフェース (設定可能なアナログインタフェース、RS 232/485、DeviceNet、PROFIBUS、EtherCAT) により、既存の設備に容易に統合することができます。ウルトラワイドレンジ電源 (200-480 VAC) が搭載されているため、技術的調整は必要ありません。高強度でもコンパクトなモデル (19インチまたは½-19インチのスロット) であるため、どのような生産設備にも省スペースで統合することができます。
TRUMPF SystemPort
SystemPortは、マッチボックスの入力/出力で直接RF信号を測定することにより、クローズドループ制御を可能にします。高周波RFジェネレータに、全ての測定値が提供されます。これによりプロセスパラメータの監視が改善され、マッチボックスの保護及び早期アーク検出を保証することができます。つまり、RFシステム全体を単一のジェネレータインタフェースで制御することができます。
様々なオプションにより、高周波RFジェネレータを自分のアプリケーションに合わせて最適にカスタマイズできます。
熟考されたアーク管理は、最高のプラズマプロセス制御には理想的なモジュールです。狙いを定めたアーク検出は、最大限に可能な生産性を保証すると同時に、製品と設備を保護します。
特許取得済みの自動周波数チューニングソリューションでは、同時に高速で周波数調整を行うことができ、ジェネレータとマッチボックスの最適な連携作業を実現します。この特許取得済みの技術は、極小でもはや障害となることはありません。RFシステムは最適化され、最高の再現性を可能にします。
TRUMPF RFシステムの全コンポーネントは、最適に相互調整されています。
TruPlasma Matchのマッチング回路により、ジェネレータからプラズマ放電への最適な出力伝達が保証されます。マッチボックスの動作は独立して実現するか、またはいわゆるSystemPortと呼ばれるインテリジェントなジェネレータマッチボックス接続ポートを介して実現することができます。
マスターオシレータを使用することで、極めて重要な同期プラズマプロセスを安定させて、最適化することができます。統合されたデジタル周波数シンセサイザおよび位相シンセサイザにより、高い周波数と相の安定性が実現され、極小単位で相状態を設定することが可能になります。周波数13.56 MHzならびに異なる周波数組み合わせに対応する、様々な仕様のマスターオシレータからお選びいただけます。
高周波スイッチにより、シーケンスプロセスへの、または複数の供給点を持つシステムへの電力供給など、複数のプラズマプロセスステーションで高周波RFジェネレータを多重使用できるようになります。高周波スイッチは、2、3または4点の出力を搭載した2種類の出力クラスで提供されています。
TRUMPF Hüttingerでは、高周波出力伝達のために、50 Ωシステムでの運転専用に設計された同軸ケーブルを提供しています。
完璧に相互調整されたTRUMPF RFシステム
プラズマプロセスは、複雑な変動性負荷のような挙動を示し、ジェネレータからの継続的な電力供給を必要とします。この役割を担うアクティブな調整ネットワーク、いわゆるマッチボックスにより、50 Ωの最適なインピーダンスへの正確な調整が常に保証されます。こうして、完璧に相互調整されたシステムソリューションであるTRUMPF RFシステムが実現されます。EtherCATなど様々なインタフェースを介して、ジェネレータとマッチボックスを既存のプロセス環境に極めて容易に統合することができます。いわゆるSzstemPortと呼ばれるインテリジェントなジェネレータマッチボックス接続ポートにより、最適化されたシステムソリューションが可能になります。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。
脚注-
結露を防止するため、冷却水の温度は室温の露点を超えてはいけません。
