ビーム形状
遠距離領域では、シングルモードVCSELの強度分布は完全なガウシアン形状になります。
シングルモードVCSEL
光学特性が高められているシングルモードVCSELは、要件の高いセンサーアプリケーションに最適です。上側の配列の縦/横モードが革新的なチップ設計によって抑制されているのと同時に、偏光はリニアで安定しています。
ガウシアンビーム形状
完全に左右対称のガウシアンビーム形状を有しているため、アプリケーションでの光学設計が大幅に簡易化されます。
わずかなビーム発散
再現性のある発散角が20° (1/e2) 以下の領域にあるため、ビームガイドが簡易化されます。
狭いスペクトル幅
このレーザはスペクトル幅の代表値が100 MHzのレーザラインを有しているため、分光アプリケーションに適しています。
少ない消費電力
消費電力が数ミリワットレベルであるため、移動型アプリケーションに適しています。
高精度位置検出用の光学式エンコーダ
ガウシアンビーム形状を有し、消費電力が少なく、コヒーレンス長が長く、信頼性が極めて高いシングルモードVCSELは、光学式エンコーダでの使用に最適です。
FTIR (フーリエ変換赤外分光法)
放射波長の温度依存性が低く (0.06 nm/K)、放射のスペクトル幅の代表値が100 MHzと狭い温度安定化シングルモードVCSELは、FTIRスペクトロメーターの波長基準として特に適しています。
酸素センサー
シングルモードVCSELは、TDLASアプリケーション (Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy: 波長可変ダイオードレーザ吸収分光法) に最適です。TECを備えたシングルモードVCSELは線幅が狭く、精密制御が可能であり、TDLASシステムにご利用可能です。
高精度の深度センサー
シングルモードVCSELアレイは、高精度のToFアプリケーション (Time-of-Flight: タイムオブフライト) に最適です。シングルモードVCSELアレイなら、直線状の深度測定を数メートルから0 mmまでの範囲で行うことができます。
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TVT-006-850-A (850 nm チップ)
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TVT-007-940-B (ガウシアンビーム形状を有する VCSELアレイ)
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A (TO パッケージ)
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|---|---|---|---|---|
| ﾚｰｻﾞｰﾊﾟﾗﾒｰﾀ | ||||
| レーザタイプ | シングルモード | シングルモード | シングルモード | シングルモード |
| 波長 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 出力 （最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 出力 （最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| ゾーンの個数 | 1 個 | 12 個 | 2 個 | 1 個 |
| ピッチ効率 （室温の場合） | 0.5 - 1 ワット/アンペア | 0.9 ワット/アンペア | - | - |
| レーザクラス | 3B | 3B | 3B | 3B |
| Optik | ||||
| 光学エレメント | - | - | 偏光制御つき | 光学系統合型の TO パッケージ |
| 電流 | ||||
| 電流電圧 （25 mAで室温の場合） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 閾値電流 （室温の場合） | 2 ミリアンペア | 3.6 ミリアンペア | 0.2 - 1.0 ミリアンペア | - |
| サイズ | ||||
| 寸法 幅 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 寸法 高さ | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 寸法 奥行 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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TVT-006-850-A (850 nm チップ)
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TVT-007-940-B (ガウシアンビーム形状を有する VCSELアレイ)
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A (TO パッケージ)
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| ﾚｰｻﾞｰﾊﾟﾗﾒｰﾀ | ||||
| レーザタイプ | シングルモード | シングルモード | シングルモード | シングルモード |
| 波長 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 出力 （最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 出力 （最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| ゾーンの個数 | 1 個 | 12 個 | 2 個 | 1 個 |
| ピッチ効率 （室温の場合） | 0.5 - 1 ワット/アンペア | 0.9 ワット/アンペア | - | - |
| レーザクラス | 3B | 3B | 3B | 3B |
| Optik | ||||
| 光学エレメント | - | - | 偏光制御つき | 光学系統合型の TO パッケージ |
| 電流 | ||||
| 電流電圧 （25 mAで室温の場合） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 閾値電流 （室温の場合） | 2 ミリアンペア | 3.6 ミリアンペア | 0.2 - 1.0 ミリアンペア | - |
| サイズ | ||||
| 寸法 幅 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 寸法 高さ | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 寸法 奥行 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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技術データシート
ダウンロード形式で用意された全製品バリエーションの技術データ。
850 nm チップ
850 nmのチップが、高出力と低電力消費を両立させています。このチップは、大量生産、高集積のアプリケーションに適しています。レーザダイオードはテープ上のチップとして配置されます。この配置形式では、レーザダイオードの処理に関してピック&プレースまたはダイボンディング工程が前提条件となります。
ガウシアンビーム形状を有する小型940 nm VCSELアレイ
高精度のTOFセンサー用エミッタを12個有するミニシングルモードVCSELアレイ。ガウシアンビーム形状を有し、立ち上がり/立ち下がり時間が短いVCSELアレイ。
850 nm ViP （統合型フォトダイオード付 VCSEL）
VCSEL統合ソリューションViPは、VCSELに直接組み込まれたフォトダイオードを搭載し、反射信号を拾ってさらに処理が可能となっています。この特許取得済のソリューションは、自己混合干渉（略してSMI）と呼ばれる技術をサポートしています。SMIは、産業用センサーシステムや民生用電子機器への応用が実証されている光学測定手順です。
TO パッケージ
密閉型TOハウジングに入ったVCSELは、レーザダイオードの取り扱いが簡単で、厳しい環境条件下での操作に適しています。更にバーンインテストも可能になるほか、ESD感度を低下させるツェナーダイオードも内蔵されています。
TEC付TO
広い温度領域を必要とするアプリケーションやレーザダイオードの安定したスペクトルが必要なアプリケーションには、TEC内蔵型 TO パッケージが適しています。ペルティエ素子は、NTC抵抗に基づいたレーザ温度を精密的に制御します。また、密閉型パッケージであるためVCSELで結露が発生する可能性はまったくありません。
偏光制御
安定した進歩的な直線の偏光のシングルモードVCSELによって、難易度の高い3D照明アプリケーションの照明品質と解像度が向上します。
表面回折格子によって安定した偏光が可能となり、砒化ガリウムに直接エッチングされます。格子設計が最適化されているため、偏光VCSELは非偏光VCSELと比較して、ほぼ100%の電力効率を達成しました。TRUMPFは、安定した偏光のVCSELの特許技術を、大量生産用に開発しました。
二重偏光方向が 1つの VCSEL に統合されるように、デュアル偏光のオプションもあります。
TO パッケージ
密閉型TOハウジング入りジシングルモード VCSELでは、レーザダイオードのが取り扱いが簡単で、厳しい環境条件下での操作に適しています。オプションで温度制御システム（TEC、サーミスタ）を製品に装備できます。
統合されたフォトダイオード
統合されたフォトダイオード (ViP) を備えた VCSEL により、反射信号をピックアップしてさらに処理することができます。この特許取得済のソリューションは、自己混合干渉（略してSMI）と呼ばれる技術をサポートしています。SMIは、産業用センサーシステムや民生用電子機器への応用が実証されている光学測定手順です。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。
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