高速フォトダイオード
当社は850 nm PINダイオードの開発と製造に関して何十年にも及ぶ経験を有しているため、TRUMPF高速フォトダイオードは性能、効率と信頼性に対する最高レベルの要件を満たしています。1x1チップとして、又は1x4もしくは1x12アレイとして入手可能であり、通信速度はそれぞれ最大56 Gbpsに対応しています。
高い受光感度と低い暗電流が両立していることが有利に働きます。
広範囲に及ぶテスト/品質保証プロセスを通して、最高レベルの信頼性が確保されます。
トランシーバー、AOC及びオンボードオプティクス用受光素子
当社のDatacom VCSELを最適に補完。
56Gフォトダイオード
このPINフォトダイオードは直径38 µmの有効受光面を有しており、最大56 Gbps PAM4の通信速度に適しています。
25Gフォトダイオード
このPINフォトダイオードは直径42 µmの有効受光面を有しており、最大25 Gbpsの通信速度に適しています。
14Gフォトダイオード
直径55 µmの有効受光面を有するこのPINフォトダイオードは、最大14 Gbpsの通信速度に合わせて設計されています。
10Gフォトダイオード
このPINフォトダイオードは直径70 µmの有効受光面を有しており、最大10 Gbpsの通信速度に適しています。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。
