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Visual Elektronik

전자장치

더 빠르고, 더 작고, 더 효율적인: 마이크로 전자장치의 발전은 레이저 기술과 긴밀하게 연결되어 있습니다.

축소화 및 양적으로 매우 높은 수를 요구하는 지속적인 트렌드는 전자산업의 두 가지 중요한 특징입니다. 전대미문의 정확도와 뛰어난 자동화 가능성을 통해 레이저 기술은 이 요구 사항을 위한 산업 솔루션을 제공합니다. TRUMPF 레이저는 새로운 세대의 컴퓨터칩 제조에서 근본적인 역할을 합니다. 이외에도 레이저는 실리콘 웨이퍼, 인쇄 회로 또는 전체 전자장치 모듈의 절단 및 천공 등의 여러 공정 단계에서 사용됩니다. TRUMPF Hüttinger 발진기는 추가로 실리콘 웨이퍼 제조에서 코팅 및 에칭 공정을 위한 전력을 신뢰할 수 있고 정확하게 제공합니다.

미래의 고성능칩

TruFlow Laser-Amplifier für EUV-Anwendungen

마이크로 전자장치의 탄생과 이를 바탕으로 만들어진 오늘날의 컴퓨터와 스마트폰의 토대는 레이저 기술 없이는 불가능했을 것입니다. 로직 및 저장칩은 나노미터 크기순으로 된 구조를 보이며 레이저 빔을 이용한 복잡한 노출 공정을 통해서만 생산할 수 있습니다. 엑시머 레이저의 UV 레이점 빔을 사용하는 기존의 방식은 점점 더 한계에 부딪치고 있습니다. 더 작은 구조는 앞으로는 극자외(EUV) 영역의 단파를 이용해서만 만들어 낼 수 있습니다. 이 파장을 방사하기 위해서는 고성능 CO2 레이저가 미량의 주석 방울을 조사하여 빛을 발하는 플라즈마를 생성하는 혁신적인 프로세스가 필수입니다. 13.5 nm의 파장을 갖는 플라즈마 빔의 일부는 마지막으로 칩의 노출에 사용됩니다(EUV 리소그래피). 가장 큰 리소그래피 시스템 ASML 제조사와 광학장치 전문 기업 Zeiss와 함께 TRUMPF는 수년 간 각고로 협력하여 이 프로세스를 작업했으며, 세계에서 유래가 없는 CO2 레이저 설비를 개발했습니다. 그후 TRUMPF 제품은 실리콘 웨이퍼 제조에서 코팅 및 에칭 공정에 사용되었습니다. 따라서 향후 많은 고성능칩에 TRUMPF 테크놀로지 일부가 녹아들게 될 것입니다.

칩, 패키지 및 인쇄 회로의 냉식 정밀 가공

Laserbohren einer Leiterplatte mit einem Laser der TruMicro Serie 5000.

이외에도 실리콘 웨이퍼에 회로를 노출시켜 새긴 후에 개별 칩으로 분리하는 것이 전자장치 프로세스 체인의 다음 과제입니다. 가능한 한 작은 절단 홈과 높은 에지 품질을 얻고 민감한 칩이 열의 영향을 받아 손상받지 않도록 분리 시에 TRUMPF의 극초단 펄스 레이저가 사용됩니다. 이 장비는 원치 않는 열의 영향 없이 재료 가공을 할 수 있도록 하며, 레이저 가공 시 최고의 정확도를 보여줍니다. 민감한 모듈(패키지 내 시스템)을 트리밍하고 재료 인쇄 회로를 가공하고 실리콘과 유리에 이른바 마이크로 비아를 천공하는 작업에는 이 레이저가 알맞습니다. 이외에도 이 부문에서는 특정 층 분리, 호일 절단 및 마킹에 TRUMPF 레이저를 사용합니다.

결정성장

Zone Floating Process

결정의 합성 제조는 반도체 제조의 기본이며  전체 커뮤니케이션 및 미디어 기술의 바탕입니다. 단결정  층은 동일한 재료의 단결정 기판에서 성장합니다. 이때 결정학상 순서가 유지됩니다. 이 프로세스는 무엇보다 LED 제조 시에 사용됩니다. TRUMPF Hüttinger 유도 발진기는 출력 크기의 빠르고 정확한 컨트롤을 통해 균일하고 안정적인 온도 분포를 가능하게 해줍니다.

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