이 웹사이트 기능의 유지 및 관리를 위해 쿠키를 사용하고 있습니다. 쿠키 비활성화 및 개인정보 보호정책에 대한 정보
TRUMPF Laser Amplifier zur Herstellung von Hochleistungschips
TRUMPF Laser Amplifier zur Herstellung von Hochleistungschips
CO2 레이저

TRUMPF 레이저 증폭기

레이저 펄스를 통해 차기 마이크로칩 제조를 실현합니다.

디지털 시대를 열어갈 EUV 리소그래피

EUV 리소그래피는 차기 마이크로칩 제조 방식 경쟁에서 우위를 차지하고 있습니다. 반도체 산업은 수년 동안 실리콘 웨이퍼 광노출에 필요한 구조를 간소화할 수 있는 비용 효율적인 대량 생산 체제를 연구해 왔습니다. ASML과 Zeiss 그리고 TRUMPF는 테크놀로지 개발 협력을 통해 13.5 나노미터의 파장을 지닌 산업용 극자외 레이저(EUV)를 완성했습니다. 진공 챔버에서 입자 생성기가 초당 50,000개의 액체 주석 입자를 분사합니다. 이 입자들은 50,000개의 레이저 펄스에 충돌하여 플라즈마 형태로 변화합니다. 이렇게 생성된 극자외 레이저(EUV)는 집광 거울을 통해 광노출 대상인 웨이퍼로 향하게 됩니다. TRUMPF가 개발한 고성능 펄스 CO2 레이저 시스템은 플라즈마 레이저에 사용되는 레이저 펄스를 제공합니다 - TRUMPF 레이저 증폭기

40 킬로와트의 낮은 전력 소비

TRUMPF 레이저 증폭기는 레이저 펄스를 순차적으로 10,000배 이상 증폭시킵니다.

효율성과 공정 안정성

프리 펄스와 메인 펄스를 전송함으로써 레이저 증폭기의 출력을 온전히 주석 입자에 전달할 수 있게 됩니다.

CO2 레이저의 새로운 활용성

고출력 레이저 시스템의 기본은 cw 모드로 작동하는 CO2 레이저입니다. TRUMPF는 이를 통해 이러한 테크놀로지의 새로운 활용성을 열어줍니다.

대규모 전문가 네트워크

수년 동안 TRUMP과 ASML 그리고 ZEISS는 긴밀한 협력을 통해 EUV 테크놀로지를 산업 궤도에 올려 놓았습니다.

457,329

개의 부품

… 레이저 증폭기에 포함된

7,322

미터입니다

... 시스템에 내장된 케이블의 길이는

17,090

킬로그램

... 이에 대한 총중량은

TRUMPF 레이저 증폭기의 핵심 부품

실시간 구인 공고

1

Leiter (w/m/d) Softwareentwicklung EUV

연구/개발, IT/소프트웨어 개발 | Ditzingen / Germany

2

Leiter (w/m/d) Elektrokonstruktion EUV

연구/개발 | Ditzingen / Germany

3

Projektleiter (w/m/d) / Projektingenieur (w/m/d)

연구/개발, 생산/품질 관리 | Ditzingen / Germany

본 주제에 흥미를 가질 수 있습니다.

상담 요청하기
Hochleistungslasersysteme EUV-Lithografie
이메일
서비스 & 연락처

Close

Country/region and language selection

Please take note of

You have selected South Korea. Based on your configuration, United States might be more suitable. Would you like to keep or change the selection?

South Korea
United States

Or, select a country or a region.