본 웹사이트 운영을 위해 쿠키를 사용하고 있습니다. 쿠키 설정을 변경하지 않고 본 웹사이트를 계속 이용하는 경우 쿠키 사용에 동의하는 걸로 간주합니다.
TruPlasma RF 3006 고주파 발진기
TruPlasma RF 3006 고주파 발진기
플라즈마 여기
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈 (G2/13)

최고의 생산성을 위한 안정된 프로세스

viewport test images /w Retina support
플라즈마 여기
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈 (G2/13)

    - / -
    • 개요
    • 어플리케이션
    • 기술 데이터
    • 고객 이익
    • 옵션들
    • 시스템 컴포넌트들
    • RF 시스템
    • 더 많이 더 적게
    뉴 제너레이션 고주파 발진기

    표면 처리 또는 구조화 시 안정적이고 재현 가능한 플라즈마 전원 공급은 매우 중요합니다. 최신의 전력 시스템이 장착되어 있는 TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈(G2/13)의 고주파 발진기는 최적의 전제조건을 제공합니다. 안정적인 전력 출력과 높은 제어 정밀도 덕택에 높은 생산성을 가진 최고의 결과물을 보장합니다

    높은 정확도와 재현성

    CombineLine 테크놀로지: 50 Ohm 출력 임피던스 덕분에 최적의 공정 출력

    고주파 케이블 길이에 독립적임

    케이블 길이 조절이 더 이상 필요 없습니다. 고주파 범위에서의 절대적인 혁신!

    견고성과 안전

    CombineLine 테크놀로지: 미스매치 시 반사된 출력으로부터 안전하게 보호.

    효율 및 경제성

    최대 80 %의 에너지 효율로 인하여 비용을 최대 50 %까지 절감할 수 있습니다.

    무팬 냉각

    주변 공기의 가열 또는 오염이 없어서 클린룸에서도 작업을 할 수 있습니다.

    TruPlasma RF 3006 RF-발진기

    평면 디스플레이 코팅에 이상적임

    TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈(G2/13)의 고주파 발진기는 RIE, ALD, PECVD 및 RF 스퍼터와 같은 플라즈마 프로세스에 매우 적합합니다. 본 프로세스는 특히 반도체 부품 및 미소 기계 시스템(MEMS) 제조 시와 평면 스크린 및 솔라셀 코팅 시에 사용됩니다.

    솔라셀 제조

    전형적인 적용 범위: 솔라셀 산업

    TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈(G2/13)의 대표적인 사용 영역은 솔라셀 산업에서의 PECVD 공정, 에칭 공정 및 스퍼터링 공정입니다.

    에칭 및 코팅 프로세스에 이상적으로 적합함

    반도체 제조

    반도체 제조 시 건조 에칭을 통한 재료 제거에서 순수 실리콘 제조 시의 존 정제법(zone refining process)까지 다양한 플라즈마 공정이 사용됩니다. TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈(G2/13)의 발진기는 각각의 공정에 맞게 안정적이고 최적으로 조정된 전원 공급 을 위한 모든 전제조건을 제공하여 최상의 재현 가능현 결과를 제공 할 수 있습니다.

    TruPlasma RF 1002
    TruPlasma RF 1003
    TruPlasma RF 3006
    RF 아웃풋      
    전력 출력 2 kW 3 kW 6 kW
    정격 출력 2 kW 3 kW 6 kW
    정격 부하 임피던스 50 Ω 50 Ω 50 Ω
    출력 주파수 13.56 MHz 13.56 MHz 13.56 MHz
    전원 연결 데이터      
    전원 전압 200 - 480 V 200 - 480 V 200 - 480 V
    전원 주파수 50-60 Hz 50-60 Hz 50-60 Hz
    정격 소비전력 3.1 kVA 4.3 kVA 7.9 kVA
    출력 계수 0.95 0.95 0.95
    통신 인터페이스      
    동기 인터페이스
    아날로그/디지털
    RS 232 / RS 485
    PROFIBUS
    EtherCAT
    DeviceNet
    하우징      
    중량 18 kg 18 kg 38 kg
    보호등급 IP 30 30 30
    냉각 요건      
    최대 수압 7 bar 7 bar 7 bar
    최소 차압 1.1 bar 1.1 bar 1.1 bar
    최소 유량 4 l/min 4 l/min 8 l/min
    냉매 온도 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1
    일반      
    총효율 80 % 80 % 80 %
    인증서 / 표준 Semi S2, SEMI F47,UL, CSA,CE, RoHs Semi S2, SEMI F47,UL, CSA,CE, RoHs Semi S2, SEMI F47,UL, CSA,CE, RoHs
    주변 조건      
    외부온도 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C
    공기습도 5 % - 85 % 5 % - 85 % 5 % - 85 %
    기압계 압력 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa
    PDF <1MB
    Technical data sheet

    Download the technical data of all product variants.

    통합된 CombineLine 테크놀로지

    프로세스에 맞게 최적화된 조정

    TruPlasma RF 1000 / 3000 시리즈(G2/13)의 스마트 실시간 매칭을 통해 임피던스를 빠르고 직접적으로 50 Ohm에 맞게 조정할 수 있습니다. 특허 받은 CombineLine 테크놀로지는 플라즈마 편차와 오염을 확실하게 방지하며, 무팬 냉각은 고장률을 낮추고 효율성을 높이며 클린룸에서 사용할 수 있습니다.

    병렬 공진 회로용 고주파 발진기

    최대 효율 및 유연성

    최대 80 %의 효율로 인하여 에너지 비용이 기존 발진기 대비 50 %까지 절감됩니다. 사용 가능한 다양한 인터페이스(조정 가능한 아날로그 인터페이스, RS 232/485, DeviceNet, 프로피버스, EtherCAT)를 통해 기존 설비 내 통합이 간단해지며, 내장된 초 광범위 파워 서플라이(200-480 VAC) 덕분에 기술적인 조정이 불필요합니다. 높은 출력 밀도에도 불구하고 콤팩트한 타입(19인치 또는 19.5인치 트레이)을 통해 모든 생산 설비에 공간 절약적으로 통합될 수 있습니다.

    TruPlasma RF_Systemport

    TRUMPF SystemPort

    SystemPort는 매칭 네트워크의 입력단 및 출력단에서의 직접적인 RF 신호 측정을 통해 닫힌 제어 회로를 가능하게 합니다. 모든 측청값은 RF 발진기에서 사용할 수 있습니다. 이를 통해서 공정 파라미터의 모니터링이 향상될 수 있으며, MatchBOX가 보호될 수 있고, 조기에 아크 감지를 보장할 수 있습니다. 전체 RF 시스템은 개별적인 발진기 인터페이스를 통해 제어될 수 있습니다.

    다양한 옵션을 통하여 RF-발진기를 사용에 맞게 최적으로 조정할 수 있습니다.

    고주파 아크 관리

    정밀한 아크 관리는 최상의 플라즈마 공정 컨트롤을 위한 이상적인 모듈입니다. 아크 감지는최고의 생산성을 보장하며, 동시에 제품 및 설비를 보호합니다.

    Auto Frequency Tuning

    특허 받은 Auto Freuquency Tuning 솔루션을 통해 신속하면서 동시의 주파수 조정이 가능하며, 발진기와 MatchBOX 간의 최적화된 상호 작용을 보장합니다. 이러한 특허 받은 기술로 인해 국부적인 최소값은 더 이상 장애물이 아닙니다. RF 시스템이 최적의 결과를 이끌어내기 때문에 최상의 공정 결과 및 높은 재현성이 가능합니다.

    TRUMPF RF 시스템의 모든 컴포넌트는 이상적인 상호 조화를 이룹니다.

    RF 시스템 솔루션: 최고의 공정 안정성을 위한 매칭 네트워크
    TruPlasma Match 1000 시리즈(G2/13)의 MatchBOX

    TruPlasma MatchBOX를 통해 발진기에서 방전된 플라즈마에 전력을 최적으로 전송할 수 있습니다. MatchBOX의 가동은 독립적이거나 지능형 발진기의 MatchBOX 연결, 이른바 SystemPort를 진행할 수 있습니다.

    까다로운 동기화 플라즈마 프로세스의 안정화를 위한 마스터 오실레이터
    마스터 오실레이터

    마스터 오실레이터는 중요한 동기 플라즈마 프로세스를 안정화시키고 최적화시킵니다. 통합된 디지털 주파수 합성기 및 위상 합성기를 통해 주파수 및 위상의 안정성이 상승하고 위상 위치가 아주 미세하게 증가하도록 설정할 수 있습니다. 주파수 13.56 MHz 및 서로 다른 주파수 결합은 마스터 오실레이터를 통해 이용 가능합니다.

    유연한 플라즈마 시스템에서 고주파 발진기 사용을 위한 고주파 전환 장치
    HF 전환 장치

    고주파 전환 장치를 통해 RF-발진기를 다양한 플라즈마 프로세스 스테이션에서 다목적으로 사용할 수 있습니다(예: 순차 프로세스 전원 공급용 또는 다양한 공급점을 가진 시스템에 사용). 고주파 전환 장치는 2개의 전력 등급 또는 아웃풋 2, 3, 4에서 사용할 수 있습니다.

    특수 출력의 전송을 위한 동축 케이블
    동축 케이블

    HF 전력 전달을 위해 50 Ohm 시스템 내 가동에 맞게 특수 고안된 TRUMPF Hüttinger 동축 케이블이 제공됩니다.

    발진기와 MatchBOX: 완벽하게 상호 조화가 된 시스템 솔루션

    완벽한 상호 조화: TRUMPF RF 시스템

    플라즈마 공정은 발진기를 통해 전원 공급을 지속적으로 추적해야 하는 복잡하고 가변적인 부하와 같이 작동합니다. 플라즈마 공정은 최적화된 임피던스를 항상 50 Ohm으로 정확하게 조정하는 소위 매칭 네트워크라 하는 활성화된 조정 네트워크를 제공합니다. 이렇게 TRUMPF RF 시스템은 완벽한 상호 조화를 이루는 시스템 솔루션입니다. EtherCAT 등의 다양한 인터페이스를 통해 발진기와 MatchBOX는 매우 간단하게 사용자의 프로세스 환경에 통합될 수 있으며, 지능형 발진기 MatchBOX는 연결, 이른바 SystemPort를 통해서 최적화된 시스템 솔루션을 달성합니다.

    국가에 따라 이 제품 분류 및 기재 사항이 다를 수 있습니다. 기술, 사양, 가격 및 액세서리 제공 품목이 변경될 수 있습니다. 귀하의 국가에서 사용할 수 있는 기계에 대해서는 현지 담당자에게 문의하십시오.

    각주
    • 냉각수 온도는 응축수 방지를 위해 실온의 노점보다 높아야 합니다.

    본 주제에 흥미를 가질 수 있습니다.

    Ideal geeignet für Großflächenbeschichtung
    플라즈마 프로세스에 대한 전원 공급

    TRUMPF Hüttinger의 플라즈마 발진기는 광범위한 출력과 주파수 스펙트럼을 제공합니다. 이 제품에 대한 정보를 여기서 확인하세요.

    RF-Systemlösung : Matchbox für höchste Prozessstabilität
    실시한 측정을 통한 스마트 매칭 시스템

    TruPlasma Match 1000 시리즈(G2/13)의 새로운 매칭박스 시스템은 당사의 RF 발전기를 최적으로 보완해줄 뿐만 아니라, 전체 TRUMPF RF 시스템에 대한 솔루션을 제공합니다.

    Services_Electronics_Technical_Support
    유일무이한 서비스

    발진기는 세세한 부분까지 규정한 유지보수 계약을 통해 최상의 가용성을 내며, 유지보수 및 운영 비용을 일목요연하게 파악할 수 있습니다.

    접점

    Klaus Nock
    세일즈 플라즈마
    팩스: +49 761 89711150
    전자메일

    다운로드

    TruPlasma RF 시리즈 1000 3000 브로셔
    TruPlasma RF 시리즈 1000 3000 브로셔
    pdf - 337 KB
    TruPlasma RF 시스템
    pdf - 6 MB
    Whitepaper Autofrequency Tuning
    pdf - 1 MB
    Whitepaper Precision in Processing
    pdf - 2 MB
    서비스 & 연락처