Fotodiody High Speed
Dzięki naszemu doświadczeniu w rozwoju i produkcji diod PIN 850 nm, fotodiody TRUMPF High-Speed spełniają najwyższe wymagania dotyczące mocy, wydajności i niezawodności. Dostępne w wersjach do transmisji danych o prędkości do 25 Gb/s, w każdym przypadku jako chip 1×1 lub matryca 1×4 lub 1×12.
Warto skorzystać z wysokiej wrażliwości przy niskim prądzie ciemnym.
Liczne procedury testowe i kwalifikacyjne zapewniają najwyższą niezawodność.

Fotodioda 10G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 70 µm i może przekazywać dane z prędkością do 10 Gb/s.

Fotodioda 14G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 55 µm i może przekazywać dane z prędkością do 14 Gb/s.

Fotodioda 25G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 42 µm i może przekazywać dane z prędkością do 25 Gb/s.
W zależności od kraju możliwe są odstępstwa od podanego asortymentu i tych informacji. Zastrzega się możliwość zmian w technologii, wyposażeniu, cenie lub ofercie akcesoriów. Proszę skontaktować się z lokalną osobą kontaktową, aby ustalić, czy produkt jest dostępny w Państwa kraju.
Przypisy- Możliwe są inne konfiguracje układów optycznych na życzenie.