Fotodiody High Speed
Dzięki naszemu doświadczeniu w rozwoju i produkcji diod PIN 850 nm fotodiody TRUMPF Highspeed spełniają najwyższe wymagania dotyczące mocy, wydajności i niezawodności. Dostępne w wersjach do transmisji danych o prędkości do 56 Gb/s, w każdym przypadku jako chip 1×1 lub matryca 1×4 lub 1×12.
Warto skorzystać z wysokiej wrażliwości przy niskim prądzie ciemnym.
Liczne procedury testowe i kwalifikacyjne zapewniają najwyższą niezawodność.
Elementy odbiorników do nadajniko-odbiorników, AOC i On-Board-Optics
Pasujący element do naszego urządzenia Datacom VCSEL.
Fotodioda 56G
Aktywna powierzchnia tej fotodiody PIN ma średnicę 38 µm i może przekazywać dane z prędkością do 56 Gb/s PAM4.
Fotodioda 25G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 42 µm i może przekazywać dane z prędkością do 25 Gb/s.
Fotodioda 14G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 55 µm i może przekazywać dane z prędkością do 14 Gb/s.
Fotodioda 10G
Aktywna powierzchnia fotodiody PIN ma średnicę 70 µm i może przekazywać dane z prędkością do 10 Gb/s.
W zależności od kraju możliwe są odstępstwa od podanego asortymentu i tych informacji. Zastrzega się możliwość zmian w technologii, wyposażeniu, cenie lub ofercie akcesoriów. Proszę skontaktować się z lokalną osobą kontaktową, aby ustalić, czy produkt jest dostępny w Państwa kraju.
