Aby udostępniać treści i zapewnić funkcjonalność tej witryny, wykorzystujemy pliki cookies. Aby zezwolić na wykorzystywanie przez nas plików cookies także w innych celach, kliknij tutaj. Informacje dotyczące dezaktywacji plików "cookies" i ochrony danych

Systemy laserowe wysokiej mocy do litografii EUV

Mobilne urządzenia końcowe, układy jazdy autonomicznej czy sztuczna inteligencja – miniaturyzacja i automatyzacja cyfrowego świata ciągle zwiększają wymagania dotyczące mocy obliczeniowej i wydajności komputerów. Skutkiem jest jeszcze większa liczba tranzystorów w chipsetach. To żadna nowość – już jeden z założycieli firmy Intel wiedział, że liczba tranzystorów w zintegrowanym układzie scalonym podwaja się co ok. 18 miesięcy. To sformułowanie, znane jako „prawo Moore'a” obowiązuje do dziś. Dziś gęstość rozmieszczenia tranzystorów wynosi nawet 100 mln tranzystorów na milimetr kwadratowy. Rozmiary struktur półprzewodnikowych zbliżają się coraz bardziej do wymiarów atomów. W przypadku wytwarzania chipów wzmacniacze laserowe firmy TRUMPF odgrywają kluczową rolę: to właśnie one powodują wytworzenie świecącej plazmy, dostarczającej promieniowanie w zakresie skrajnego ultrafioletu (EUV) do naświetlenia wafla. Firma TRUMPF we współpracy z największym producentów systemów litografii ASML oraz producentem optyki Zeiss opracowała wyjątkowy system laserowy CO2, który pozwala na obróbkę nawet 100 wafli na godzinę.

13,5

Nanometr

…to długość fali światła w zakresie skrajnego ultrafioletu (EUV), które umożliwia produkcję struktur o wielkości poniżej 10 Nm.

50 000

kropelek cyny na sekundę

jest oświetlanych przez TRUMPF Laser Amplifier, aby wywołać światło w zakresie skrajnego ultrafioletu (EUV) do naświetlenia wafla.

100 000 000

tranzystorów na milimetr kwadratowy

… i więcej mieści się na jednym mikrochipie dzięki litografii EUV. To prawie niewyobrażalne.

Od kropel cyny do naświetlania wafli: Metoda litografii w zakresie skrajnego ultrafioletu

Nowoczesne chipy z reguły mają wymiary rzędu nanometrów, a ich wytwarzanie jest możliwe tylko z wykorzystaniem skomplikowanych procesów naświetlania za pomocą laserów. Obecnie konwencjonalna technologia wykorzystująca lasery ekscymerowe, emitujące promieniowanie laserowe z zakresu ultrafioletu osiąga granice swoich możliwości. Nie pozwalają one na tworzenie struktur o wielkości poniżej 10 nm. Tak miniaturowe struktury wymagają naświetlania promieniowaniem o jeszcze krótszej długości fali. Oznacza to wejście w zakres skrajnego ultrafioletu (EUV).

Prozess der EUV Lithografie mit Lasern von TRUMPF

Wielkim wyzwaniem litografii EUV jest wytworzenie promieniowania o optymalnej długości fali, która wynosi 13,5 nm. Rozwiązaniem jest wytworzenie za pomocą lasera plazmy, która świeci w pożądanym zakresie. Jak jednak powstaje plazma? Z generatora do komory próżniowej (3) spadają krople cyny (2), na które padają następnie impulsy wysokoenergetycznego lasera firmy TRUMPF(1) – 50 000 na sekundę. Atomy cyny ulegają jonizacji i powstaje plazma. Zwierciadło skupia promieniowanie EUV, emitowane przez plazmę we wszystkich kierunkach, ogniskuje je i przekazuje następnie do systemu litografii (4), który z kolei naświetla wafel (5).

TRUMPF Laser-Amplifier zur EUV-Litographie

Impuls lasera, wykorzystywany do wytworzenia plazmy jest dostarczany z rozwiniętego przez firmę TRUMPF impulsowego systemu lasera CO2, którym jest TRUMPF Laser Amplifier. Ten system lasera o wysokiej mocy bazuje na technologii lasera CO2 pracy ciągłej o zakresie mocy ponad 10 kW. Wzmacnia on impuls lasera CO2 kilkoma watami mocy średniej w pięciu stopniach wzmocnienia i ponad 10 000 razy wzmacnia średnią moc impulsu o wartości 10 kW. To oznacza, że szczytowa moc impulsu jest mierzona w megawatach. Komponenty firmy TRUMPF odpowiedzialne za wytwarzanie i wzmocnienie światła laserowego, układ prowadzenia promienia aż do kropli cyny inicjują proces fotolitografii. Bardzo szybkie cykle wdrożenia, spełnienie specjalnych życzeń klienta, to oprócz skomplikowania technicznego – rozwiązania są zawsze indywidualne i nowe – pole do popisu dla konstruktorów, techników serwisowych i pracowników produkcyjnych.

Gesamtsystem zur EUV-Lithografie ASML

Firma TRUMPF we współpracy z renomowanymi partnerami opracowała jedyny w swoim rodzaju system laserowy CO2: Największy na świecie producent systemów litografii: firma ASML pełni funkcję integratora i dostarcza komponenty do generowania kropli oraz skaner, optyka EUV jest firmy Zeiss. Urządzenia pozwalają na obrabianie nawet 100 wafli na godzinę, co wystarczy do produkcji seryjnej To oznacza, że litografia EUV opłaca się nie tylko technicznie, ale jest to korzystny ekonomicznie proces dla producentów chipów z całego świata.

Aktualne oferty pracy

1

Sicherheitsbeauftragter (w/m) für EUV

Badania/rozwój, Produkcja/zarządzanie jakością, Inne | Ditzingen / Niemcy

2

Fachkraft (w/m) Elektrosicherheit für den Bereich EUV

Badania/rozwój, Produkcja/zarządzanie jakością | Ditzingen / Niemcy

3

Cost Engineer (w/m) für den Bereich EUV

Badania/rozwój, Podatki/finanse/controlling | Ditzingen / Niemcy

Kontakt

Hochleistungslasersysteme EUV-Lithografie
E-mail
Serwis i kontakt

Close

Country and language selection

Please note

You have selected Poland . Based on your configuration, United States might be more appropriate. Do you want to keep or change the selection?

Poland
United States

Or select a country or region.