Selectare țară/regiune și limbă
Datacom VCSEL & fotodiode

Fotodiode

Nou: fotodiodele de înaltă viteză sunt acum disponibile pentru rate de transfer a datelor de până la 100 Gbps

Datacom VCSEL & fotodiode

Fotodiode

Diode PIN de calitate maximă. Variante de produs disponibile ca fotodiode de 10G, 14G, 25G sau 56G

Fotodiode Highspeed

Datorită experienței noastre de zeci de ani în domeniul dezvoltării și producerii de diode PIN de 850 Nm, fotodiodele de înaltă viteză de la TRUMPF îndeplinesc cele mai exigente cerințe legate de putere, eficiență și fiabilitate. Acestea sunt disponibile pentru rate de transfer al datelor de până la 100 Gbps, sub formă de cip, respectiv de matrice.

Curent de întuneric scăzut

Beneficiați de o capacitate de răspuns ridicată la un curent de întuneric redus.

Fiabilitate optimă

Procedurile de testare și calificare extensive asigură fiabilitate maximă.

Lungimi de undă mai mari

Pe lângă fotodiodele cu lungimea de undă 850 nm, sunt disponibile și lungimi de undă mai mari.

Disponibile în perechi

Pe lângă fotodiode, TRUMPF oferă și diode VCSEL Highspeed, adică perechi asociate reciproc.

VCSEL Insights: Performanța modulației 850nm 100Gbps PAM4
Cip sau matrice

Fotodiodele pentru transfer optic de date nu sunt disponibile doar cu diferite rate de transfer de date și lungimi de undă, ci și sub formă de cip 1x1 sau de matrice 1x4 sau 1x12.

Element receptor pentru Transceiver, AOC și On-Board-Optics

Elementul însoțitor ideal pentru produsul nostru Datacom VCSEL.

Fotodiodă 100G de 840 - 960 nm

Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 25 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 100 Gbps PAM4.

Fotodiodă 56G de 850 nm

Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 38 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 56 Gbps PAM4.

Fotodiodă 25G de 850 nm

Aceste fotodiodă PIN are o suprafață activă cu diametrul de 42 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 25 Gbps.

Fotodiodă 14G de 850 nm

Cu o suprafață activă cu diametrul de 55 µm, această fotodiodă PIN este concepută pentru rate de transfer a datelor de până la 14 Gbps.

Fotodiodă 10G de 850 nm

Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 70 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 10 Gbps.

În funcție de țară, este posibil ca această gamă de produse și aceste specificații să varieze. Ne rezervăm dreptul de a efectua modificări tehnice, privind dotările, prețul și oferta de accesorii. Vă rugăm să luați legătura cu persoana dumneavoastră de contact de la nivel local pentru a afla dacă produsul este disponibil în țara dumneavoastră.

S-ar putea ca și aceste subiecte să vă intereseze

Transferul optic de date

Ce se înțelege prin transfer optic de date și ce rol joacă cele două componente-cheie, VCSEL și fotodiodele, în centre de date mari? Descoperiți toate detaliile în acest sens pe pagina noastră cu informații privind posibilele aplicații.

TRUMPF VCSEL

TRUMPF Highspeed VCSEL permite transferul de date fiabil la o putere electrică absorbită redusă. Portofoliul de produse cuprinde atât emițătoare individuale, cât și sisteme matriciale VCSEL pentru rate de transfer de date de până la 100 Gbps.

Laserele TRUMPF VCSEL pot fi utilizate pentru toate protocoalele uzuale
Comunicația datelor

Ce rol ocupă VCSEL și fotodiodele în comunicația datelor? Descoperiți pe această pagină de ce aceste două tehnologii reprezintă soluția perfectă pentru internetul nostru modern de bandă lată și aplicațiile audio-vizuale aferente precum televizoare HD/4K și servicii de streaming.

Contact
Departamentul de vânzări Componente fotonice
E-mail
Downloads
Service și contact