Fotodiode de înaltă viteză
Datorită experienței noastre de zeci de ani în domeniul dezvoltării și producerii de diode PIN de 850 Nm, fotodiodele de înaltă viteză de la TRUMPF îndeplinesc cele mai exigente cerințe legate de putere, eficiență și fiabilitate. Acestea sunt disponibile pentru rate de transfer a datelor de până la 56 Gbps, atât ca cip 1x1 sau ca sistem 1x4, resp. 1x12.
Beneficiați de o capacitate de răspuns ridicată la un curent de întuneric redus.
Procedurile de testare și calificare extensive asigură fiabilitate maximă.
Element receptor pentru Transceiver, AOC și On-Board-Optics
Elementul însoțitor ideal pentru produsul nostru Datacom VCSEL.
Fotodiodă 56G
Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 38 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 56 Gbps PAM4.
Fotodiodă 25G
Aceste fotodiodă PIN are o suprafață activă cu diametrul de 42 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 25 Gbps.
Fotodiodă 14G
Cu o suprafață activă cu diametrul de 55 µm, această fotodiodă PIN este concepută pentru rate de transfer a datelor de până la 14 Gbps.
Fotodiodă 10G
Această fotodiodă PIN dispune de o suprafață activă cu diametrul de 70 µm și este adecvată pentru rate de transfer a datelor de până la 10 Gbps.
În funcție de țară, este posibil ca această gamă de produse și aceste specificații să varieze. Ne rezervăm dreptul de a efectua modificări tehnice, privind dotările, prețul și oferta de accesorii. Vă rugăm să luați legătura cu persoana dumneavoastră de contact de la nivel local pentru a afla dacă produsul este disponibil în țara dumneavoastră.
