Всплывающее предупреждение об использовании "cookie" Если вы разрешаете нам использовать файлы "cookie" также в других целях, пожалуйста, нажмите здесь. Информация о дезактивации куки-файлов и защиты данных

Пассивное вакуумное напыление

Создавать новое с помощью напыления

Ideal für Großflächenbeschichtung

При использовании технологии пассивного вакуумного напыления на различные материалы наносятся тонкие слои покрытия в микронном диапазоне. Для этого кусок материала, состоящий из слоев, которые необходимо нанести на поверхность, физически испаряют в вакууме. Атомные частицы из полученной газовой смеси отделяются от субстрата. Во время пассивного вакуумного напыления с использованием плазмы в результате ионной бомбардировки происходит напыление катодов. Это так называемое ионно-плазменное напыление, или распыление, происходит при комнатной температуре. Процесс пассивного вакуумного напыления состоит из трех этапов: напыление, диффузия и формирование слоя.

Напыление
В вакуумной реакционной камере находится неактивный благородный газ аргон. В камеру подается соответствующее равночастотное, среднечастотное и высокочастотное напряжение. С помощью катода (мишени), состоящего из напыляемого материала, происходит возбуждение низкотемпературной плазмы. Положительно заряженные частицы аргона в электрическом поле движутся к катодам. При столкновении ионные частицы отрываются от материала катода. Через некоторое время происходит практически полное распыление катода.

Диффузия
Высвобожденные из мишени атомы распределяются в пространстве, подобно газу. При соответствующем расположении катода и субстрата частицы покрытия двигаются к субстрату.

Формирование слоя
Определенный процент распыляемых атомов попадает на субстрат и распределяется по нему. Как правило, образуются кристаллические слои, а в отдельных случаях — аморфные. Для формирования чисто кристаллического слоя необходимо соблюдение нескольких условий одновременно. К ним относятся подходящая температура субстрата и нужная кинетическая энергия сталкивающихся частиц. При этом атомам требуется достаточное количество времени, чтобы сформировать правильную кристаллическую решетку. Чтобы обеспечить равномерный рост слоя по всей поверхности материала, плоские субстраты перемещаются мимо распыляемых катодов со скоростью нескольких метров в минуту. В случае нанесения слоя на объемный объект субстрат выполняет вращательные движения перед катодом, чтобы слои наносились со всех сторон.

Контакты

Dr. Daniel Krausse
Плазменные технологии RF
Адрес электронной почты
Сервисное обслуживание и контакты

Close

Country and language selection

Please note

You have selected the international "Russian" language version of the website . Based on your configuration, United States might be more appropriate. Do you want to keep or change the selection?

International Russian
United States

Or select a country or region.