Всплывающее предупреждение об использовании "cookie" Если вы разрешаете нам использовать файлы "cookie" также в других целях, пожалуйста, нажмите здесь. Информация о дезактивации куки-файлов и защиты данных

Системы лазеров для литографии в глубоком ультрафиолете

Будь то мобильные конечные устройства, беспилотные автомобили или искусственный интеллект — миниатюризация и автоматизация непрерывно повышают требования к производительности компьютеров в нашем цифровом мире. В результате на полупроводниках внутри чипсетов должно помещаться все больше транзисторов. Этот феномен давно известен, так как уже один из основателей компании Intel отмечал, что число транзисторов на интегральной микросхеме увеличивается вдвое приблизительно каждые 18 месяцев. Эта закономерность, известная как закон Мура, действует и сегодня. Уже была достигнута плотность размещения до 100 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр. Размеры полупроводниковых структур все больше приближаются к размерам атомов. Ключевую роль при производстве этих чипов играют усилители лазерного излучения высокой мощности производства компании TRUMPF. Они создают светящуюся плазму, которая испускает лучи коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV) для экспонирования пластин. В рамках тесного сотрудничества с крупнейшим в мире производителем фотолитографических систем ASML и специалистами в области оптики из фирмы Zeiss компания TRUMPF разработала уникальную углекислотную лазерную систему, которая в среднем позволяет обрабатывать более 100 пластин в час.

13,5

нанометров

— длина волны генерируемого излучения коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV), что позволяет создавать структуры размером менее 10 нанометров.

50 000

капель олова в секунду

...облучает лазер TRUMPF Laser Amplifier, чтобы сгенерировать глубокий ультрафиолетовый свет для экспонирования пластины.

100 000 000

транзисторов на квадратный миллиметр

...и более располагаются на одной микросхеме благодаря фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Это почти невозможно себе представить!

От капелек олова к освещению пластин: метод фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Современные компьютерные чипы, как правило, состоят из структур размером в несколько нанометров и могут производиться только при сложном экспонировании с помощью лазеров. Традиционные технологии, использующие УФ-излучение эксимерных лазеров, здесь подходят к пределам своих возможностей, не позволяя создавать мелкие структуры размером до 10 нанометров. Для этих филигранных структур требуется экспонирование с еще меньшей длиной волны — излучение коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV).

Prozess der EUV Lithografie mit Lasern von TRUMPF

Одна из главных проблем фотолитографии в глубоком ультрафиолете — необходимость генерировать излучение с оптимальной длиной волны в 13,5 нанометров. Решением стало использование вырабатываемой с помощью лазерного излучения светящейся плазмы, которая испускает подобное излучение с крайне короткой длиной волны. Но как получается плазма? Генератор направляет капли олова в вакуумную камеру (3). Пульсирующий лазер высокой мощности (1) TRUMPF облучает попадающие на него капли олова (2) — 50 000 капель в секунду. Атомы олова ионизируются, образуется интенсивная плазма. Зеркало-коллектор улавливает глубокое ультрафиолетовое излучение, которое плазма испускает во всех направлениях, фокусирует его и передает на фотолитографическую систему (4) для экспонирования пластины (5).

TRUMPF Laser-Amplifier zur EUV-Litographie

Лазерный импульс для плазменного излучения создает разработанная компанией TRUMPF пульсирующая углекислотная лазерная система TRUMPF Laser Amplifier. В этой лазерной системе высокой мощности используется углекислотный лазер непрерывной генерации в диапазоне мощности свыше 10 кВт. Система усиливает импульс углекислотного лазера средней мощностью в несколько ватт, используя пять каскадов усиления. В результате средняя импульсная мощность возрастает более чем в 10 000 раз, до величин порядка 10 кВт. Пиковая импульсная мощность при этом равна нескольким мегаваттам. Компоненты TRUMPF запускают литографический процесс, генерируя лазерное излучение, усиливают и направляют лучи, а также регулируют прохождение капель олова. Минимальная продолжительность циклов внедрения в серийное производство и реализация особых требований клиентов, а также техническая сложность, постоянно требующая поиска новых уникальных решений, ставят увлекательные задачи перед разработчиками, сервисными техниками и производственным персоналом.

Gesamtsystem zur EUV-Lithografie ASML

Совместно с выдающимися партнерами компания TRUMPF разработала уникальную углекислотную лазерную систему. Крупнейший в мире производитель фотолитографических систем ASML выступил в роли интегратора и поставил компоненты для получения капель, а сканер и оптику для глубокого ультрафиолета предоставила фирма Zeiss. Установка в настоящее время позволяет обрабатывать более 100 пластин в час, что является достаточным показателем для серийного производства. Поэтому фотолитография в глубоком ультрафиолете выгодна для производителей чипов во всем мире не только с технической, но и с экономической точки зрения.

Актуальные вакансии

1

Sicherheitsbeauftragter (w/m) für EUV

Исследования/разработки, Производство/управление качеством, Другое | Дитцинген / Германия

2

Fachkraft (w/m) Elektrosicherheit für den Bereich EUV

Исследования/разработки, Производство/управление качеством | Дитцинген / Германия

3

Cost Engineer (w/m) für den Bereich EUV

Исследования/разработки, Налоги/финансы/контроллинг | Дитцинген / Германия

Контакты

Сервисное обслуживание и контакты

Close

Country and language selection

Please note

You have selected the international "Russian" language version of the website . Based on your configuration, United States might be more appropriate. Do you want to keep or change the selection?

International Russian
United States

Or select a country or region.