Для отображения и функционирования данного веб-сайта используются файлы куки. Если вы даете разрешение на использование нами файлов куки также для других целей, нажмите эту кнопку. Информация о деактивации файлов куки и защите данных
Изготовление микросхем с помощью TRUMPF Laser Amplifier

Генерация EUV-излучения с помощью мощного углекислотного лазера и олова

Будь то мобильные конечные устройства, беспилотные автомобили или искусственный интеллект — миниатюризация и автоматизация непрерывно повышают требования к производительности компьютеров в нашем цифровом мире. В результате на полупроводниках внутри чипсетов должно помещаться все больше транзисторов. Этот феномен давно известен, так как уже один из основателей компании Intel отмечал, что число транзисторов на интегральной микросхеме увеличивается вдвое приблизительно каждые 18 месяцев. Эта закономерность, известная как закон Мура, действует и сегодня. Уже была достигнута плотность размещения до 100 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр. Размеры полупроводниковых структур все больше приближаются к размерам атомов. Ключевую роль при производстве этих чипов играют усилители лазерного излучения высокой мощности производства компании TRUMPF. Они создают светящуюся плазму, которая испускает лучи коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV) для экспонирования пластин. В рамках тесного сотрудничества с крупнейшим в мире производителем фотолитографических систем ASML и специалистами в области оптики из фирмы Zeiss компания TRUMPF разработала уникальную углекислотную лазерную систему, которая в среднем позволяет обрабатывать более 100 пластин в час.

13,5

нанометров

— длина волны генерируемого излучения коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV), что позволяет создавать структуры размером менее 10 нанометров.

50 000

капель олова в секунду

...облучает лазер TRUMPF Laser Amplifier, чтобы сгенерировать глубокий ультрафиолетовый свет для экспонирования пластины.

100 000 000

транзисторов на квадратный миллиметр

...и более располагаются на одной микросхеме благодаря фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Это почти невозможно себе представить!

От капелек олова к освещению пластин: метод фотолитографии в глубоком ультрафиолете

Современные компьютерные чипы, как правило, состоят из структур размером в несколько нанометров и могут производиться только при сложном экспонировании с помощью лазеров. Традиционные технологии, использующие УФ-излучение эксимерных лазеров, здесь подходят к пределам своих возможностей, не позволяя создавать мелкие структуры размером до 10 нанометров. Для этих филигранных структур требуется экспонирование с еще меньшей длиной волны — излучение коротковолновой ультрафиолетовой области спектра (EUV).

Prozess der EUV Lithografie mit Lasern von TRUMPF

Сложнейшая задача фотолитографии в глубоком ультрафиолете — генерация излучения с оптимальной длиной волны — 13,5 нанометра. Решение: возникающее под воздействием лазера свечение плазмы, которое испускает излучение с такими экстремально короткими волнами. А как же образуется плазма? Генератор спускает в вакуумную камеру (3) капли олова, мощный импульсный лазер (1) TRUMPF 50 000 раз в секунду облучает проносящиеся мимо капли олова (2). Атомы олова ионизируются, образуется плотная плазма. Собирающее зеркало улавливает EUV-излучение, исходящее от плазмы во всех направлениях, фокусирует его и передает в систему литографии (4) для экспонирования подложки (5).

TRUMPF Laser-Amplifier zur EUV-Litographie

Лазерный импульс для плазменного излучения создает разработанная компанией TRUMPF пульсирующая углекислотная лазерная система TRUMPF Laser Amplifier. В этой лазерной системе высокой мощности используется углекислотный лазер непрерывной генерации в диапазоне мощности свыше 10 кВт. Система усиливает импульс углекислотного лазера средней мощностью в несколько ватт, используя пять каскадов усиления. В результате средняя импульсная мощность возрастает более чем в 10 000 раз, до величин порядка 10 кВт. Пиковая импульсная мощность при этом равна нескольким мегаваттам. Компоненты TRUMPF запускают литографический процесс, генерируя лазерное излучение, усиливают и направляют лучи, а также регулируют прохождение капель олова. Минимальная продолжительность циклов внедрения в серийное производство и реализация особых требований клиентов, а также техническая сложность, постоянно требующая поиска новых уникальных решений, ставят увлекательные задачи перед разработчиками, сервисными техниками и производственным персоналом.

Gesamtsystem zur EUV-Lithografie ASML

Совместно с выдающимися партнерами компания TRUMPF разработала уникальную углекислотную лазерную систему. Крупнейший в мире производитель фотолитографических систем ASML выступил в роли интегратора и поставил компоненты для получения капель, а сканер и оптику для глубокого ультрафиолета предоставила фирма Zeiss. Установка в настоящее время позволяет обрабатывать более 100 пластин в час, что является достаточным показателем для серийного производства. Поэтому фотолитография в глубоком ультрафиолете выгодна для производителей чипов во всем мире не только с технической, но и с экономической точки зрения.

Актуальные вакансии

1

Systemingenieur (w/m/d) CO2-Lasersysteme

Исследования/разработки | Дитцинген / Германия

2

Leiter (w/m/d) Elektrokonstruktion EUV

Исследования/разработки | Дитцинген / Германия

3

Projektleiter (w/m/d) / Projektingenieur (w/m/d)

Исследования/разработки, Производство/управление качеством | Дитцинген / Германия

Вам могут быть интересны эти темы

Контакты
Сервисное обслуживание и контакты

Close

Country/region and language selection

Please take note of

You have selected the international language version "Russian" of the website. Based on your configuration, United States might be more suitable. Would you like to keep or change the selection?

International Russian
United States

Or, select a country or a region.