Высокоскоростные фотодиоды
Десятилетия опыта компании в разработке и производстве PIN-диодов с длиной волны 850 нм позволяют производить высокоскоростные фотодиоды TRUMPF, соответствующие самым строгим требованиям к мощности, эффективности и надежности. Предлагаются варианты со скоростью передачи данных до 56 Гбит/с, в форме микросхемы 1 x 1 или массива 1 x 4 или 1 x 12.
Ваше преимущество — быстрое срабатывание при низком темновом токе.
Многочисленные тесты и процедуры контроля качества гарантируют высочайшую надежность.
Приемный элемент для трансиверов, AOC и бортовых оптических средств
Подходящая ответная часть для лазеров Datacom VCSEL.
Фотодиод 56G
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 38 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 56 Гбит/с PAM4.
Фотодиод 25G
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 42 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 25 Гбит/с.
Фотодиод 14G
PIN-фотодиод с площадью активной поверхности 55 мкм в диаметре подходит для передачи данных со скоростью до 14 Гбит/с.
Фотодиод 10G
Этот PIN-фотодиод обладает площадью активной поверхности 70 мкм в диаметре и подходит для передачи данных со скоростью до 10 Гбит/с.
В зависимости от страны, возможны отклонения от представленного ассортимента продукции и этих данных. Компания оставляет за собой право на внесения изменений в технологию, оснащение, цену и принадлежности. Свяжитесь с вашим контактным лицом, чтобы узнать, доступен ли данный продукт в вашей стране.
