Точка зрения СМИ: фотолитография в глубоком ультрафиолете

Dieser Bericht des Handelsblatts ist anlässlich der im Mai 2019 veranstalteten, gemeinsamen Pressereise von TRUMPF, Zeiss und ASML entstanden. Die Autoren beleuchten die Zusammenarbeit der Partner, zeichnen die Entwicklung von EUV nach und geben mit Zitaten, unter anderem von Peter Leibinger, Chief Technologie Officer bei TRUMPF, Einblicke in das Potenzial der Zukunftstechnologie.

Quelle: Handelsblatt
Autor: Martin-W. Buchenau, Joachim Hofer
Erscheinungsdatum: 05/2019
Link: zum Artikel

Die News auf optics.org berichtet, dass trotz zunehmender, makroökonomischer Unsicherheiten die Nachfrage nach Lithografiesystemen von ASML konstant bleibt. Schlüsselkunden wie Samsung und TSMC geben ihre Pläne für den Einsatz von EUV-Systemen in der zukünftigen Produktion von Chips bekannt. Diese werden für neue Anwendungen in den Bereichen 5G, künstliche Intelligenz, Hochleistungsrechnen und Automotive dringend gebraucht – wie Charlie Bae von Samsung schon lange vorhergesagt hat.

Quelle: www.optics.org
Autor: n.N.
Erscheinungsdatum: 04/2019
Link: zum Artikel

В этой статье на сайте Golem.de Марк Заутер рассказывает о том, что компания Samsung Foundry завершила разработку метода изготовления 5-нанометровых микросхем с использованием глубокого ультрафиолетового излучения (EUV) и начинает принимать заказы от клиентов. Новый метод позволяет увеличить плотность транзисторов на 25 %, при этом потребляемая мощность снижается на 20 %, а производительность возрастает на 10 %.

Источник: www.golem.de
Автор: Марк Заутер (Marc Sauter)
Дата издания: 04/2019
Ссылка: перейти к статье

В данной статье сайт heise.de докладывает о том, что осенью 2018 года компания Samsung впервые приступила к производству микросхем размером 7 нм и для экспонирования подложек применила систему фотолитографии в глубоком ультрафиолете ASML. Источник: www.heise.de
Автор: Нико Эрнст (Nico Ernst)
Дата издания: 10/2018
Ссылка: перейти к статье

Отчет о состоянии дел TRUMPF за 2017–2018 гг. расскажет о том, как освоение возможностей света, в частности, лазеров и литографии EUV, способствует развитию прогрессивных технологий, таких как искусственный интеллект, автономное вождение и объединение производства в сеть.

Источник: Отчет о состоянии дел TRUMPF за 2017–2018 финансовый год
Автор: TRUMPF GmbH + Co. KG
Дата издания: 10/2018
Ссылка: перейти к статье

Статья на сайте golem.de сообщает, что компания ASML настолько усовершенствовала системы NXW:3400B, что малозатратное и быстрое серийное производство с применением экстремального ультрафиолетового излучения становится делом ближайшего будущего. Источник: www.golem.de
Автор: Марк Заутер (Marc Sauter)
Дата издания: 07/2018
Ссылка: перейти к статье

В этой статье LaserFocusWorld рассказывается более чем о двадцати годах развития технологии EUV и различных сложностях и препятствиях, с которыми приходилось сталкиваться вплоть до прорыва в 2015 году.

Источник: LaserFocusWorld
Автор: Андреас Тосс (Andreas Thoss)
Дата издания: 11/2017
Ссылка: перейти к статье

Эта заметка специализированного журнала Produktion посвящена приобретению компанией TRUMPF мажоритарной доли Access. Access Laser — производитель маломощных CO₂-лазеров и один из важнейших партнеров TRUMPF в сфере применения фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). Источник: www.optics.org
Автор: имя не указано
Дата издания: 10/2017
Ссылка: перейти к статье

Газета Stuttgarter Zeitung рассказывает о том, как компания TRUMPF стала поставщиком усилителей лазерного излучения для производства полупроводников, и как для этого направления была создана дочерняя компания. Источник: Stuttgarter Zeitung
Автор: Михаэль Хеллер (Michael Heller)
Дата издания: 05/2017
Ссылка: перейти к статье

Статья в еженедельной газете Markt&Technik, посвященной электронике, систематизирует текущие и запланированные показатели оборота и продаж ASML, которые доказывают, что фотолитография в глубоком ультрафиолете окончательно укоренилась в производстве. Источник: Markt&Technik
Автор: Хайнц Арнольд (Heinz Arnold)
Дата издания: 07/2017
Ссылка: перейти к статье