Chip eller array
Fotodioderna för optisk datakommunikation är tillgängliga i olika datahastigheter och våglängder och även som 1x1 chip eller 1x4 eller 1x12 array.
Highspeed fotodioder
Genom årtionden av erfarenhet inom utveckling och tillverkning av 850 nm PIN-dioder klarar TRUMPF highspeed-fotodioder de högsta kraven i fråga om prestanda, effektivitet och tillförlitlighet. De finns tillgängliga för datahastigheter på upp till 100 Gbps, som chip eller array.
Låg mörkström
Dra nytta av hög svarskänslighet samtidigt med låg mörkerström.
Mycket god tillförlitlighet
Omfattande test- och kvalifikationsprocedurer säkerställer högsta tillförlitlighet.
Längre våglängder
Förutom fotodioder med 850 nm våglängd är även längre våglängder tillgängliga.
Tillgängliga i par
Förutom fotodioder erbjuder TRUMPF även highspeed VCSEL, alltså par som matchar varandra.
Mottagarelement för transceiver, AOC och On-Board-optik
Passande motsvarighet till vår datakom-VCSEL.
100 G fotodiod med 840 – 960 nm
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 25 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 100 Gbps PAM4.
56G fotodiod med 850 nm
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 38 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 56 Gbps PAM4.
25G fotodiod med 850 nm
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 42 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 25 Gbps.
14G fotodiod med 850 nm
Med en aktiv yta på 55 µm i diameter är denna PIN-fotodiod konstruerad för datahastigheter på upp till 14 Gbps.
10G fotodiod med 850 nm
Denna PIN-fotodiod har en aktiv yta på 70 µm i diameter och är lämplig för datahastigheter på upp till 10 Gbps.
Produktutbudet kan variera mellan olika länder och avvika från dessa uppgifter. Vi förbehåller oss rätten till ändringar gällande teknik, utrustning, pris och tillbehörsutbud. Kontakta din kontaktperson på plats för att få reda på om produkten finns tillgänglig i ditt land.
Kontakt
