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PECVD

快速薄膜沉积

化学气相沉积 (CVD) 技术能在各种不同性质的材料表面沉积一层镀膜。由气态物质生成固态镀膜材料,并以晶态或非晶态的形式沉积在基材上。

在传统的镀膜工艺中,工艺用气体只能在加热后的基材表面上分裂成反应产物。但是,在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 技术中,这个反应在基材加热前就已经发生。

在PECVD工艺中,气体分子将在等离子体影响下裂解,随之相互反应形成薄膜,并沉积在基材上。因此镀膜工艺更快,工艺用气体利用率更高。

PECVD 技术的一大优点是工艺温度大大低于化学气相沉积工艺。一般低于500°C,这样就不会过度损伤需要镀膜的基材材料。

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