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等离子体增强原子层沉积 | TRUMPF

等离子体增强原子层沉积

快速薄膜沉积

原子层沉积:
在原子层沉积中有针对性地涂覆单个原子层。这实现了非常共形且无错误的沉积。特点是至今未能达到的膜层质量。实际应用起初是针对相对薄的膜层同时在半导体生产中要求较高而建立的 - 尤其是在采用 45 nm 技术 的 DRAM 生产中 (2008)。原子层沉积的新应用包括防潮和氧化的阻隔层、光伏化和显示技术的电气钝化层。 PEALD (即 P-ALD):
通过借助等离子体而不是热活化进行活化,可以涂覆对温度敏感的基底,例如合成材料。另外,可以使用难以热活化的原料。应用领域除了半导体表面的电气钝化外,还包括塑料上的高质量阻隔层,这是未来超薄和灵活 显示器 (Display) 的关键技术,尤其是在使用 OLED 时。

联系方式
Dr. Jan Peter Engelstädter
等离子体 MF
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