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EUV 驱动激光 | TRUMPF
用于生产高性能芯片的通快激光放大器
用于生产高性能芯片的通快激光放大器
CO2 激光器

通快激光放大器

通过激光脉冲为未来生产微芯片奠定基础。

EUV 光刻作为数字时代的推动者

EUV 光刻是未来微芯片制造方法中的翘楚。多年来,半导体产业一直在寻找符合成本效益并且能批量处理的方法,以便借此在硅晶片上曝光更小的结构。ASML、Zeiss 和通快合作开发了一项技术,用以获得波长为 13.5 纳米的工业用极紫外光 (EUV):在真空室内,液滴发生器每秒发射 50,000 个锡液滴。每一个液滴被 50,000 个激光脉冲中的一个击中并变为等离子体。由此产生 EUV 光,再通过反射镜将其引到需要曝光的晶片上。用于等离子体辐射的激光脉冲来自通快所开发的脉冲式 CO2-激光系统——通快激光放大器。

从几瓦到 40 千瓦

通快激光放大器将激光脉冲连续放大 10,000 倍以上。

高效和可靠加工

通过发出预脉冲和主脉冲可将激光放大器的全部功率传输至锡液滴。

CO2 激光器的新应用

处于连续波运行的 CO2 激光器是高性能激光系统的基础。通快以此创造了一项新的技术应用。

庞大的专家网络

经过多年的密切合作,通快、ASML 和 ZEISS 使 EUV 技术达到工业规模的成熟水平。

457,329

部件

… 包含激光放大器。

7,322

... 电缆安装在系统内。

17,090

千克

... 为总重量。

通快激光放大器的核心组件

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1

Entwicklungsingenieur (w/m/d) CO2-Lasersysteme für die EUV-Lithographie

研究 / 开发, 生产 / 质量管理 | 迪琴根 (Ditzingen) / 德国

2

Entwicklungsingenieur (w/m/d) CO2-Lasersysteme für die EUV-Lithographie

研究 / 开发, 生产 / 质量管理 | 迪琴根 (Ditzingen) / 德国

3

Entwicklungsingenieur (w/m/d) Hochleistungsstrahlführung EUV

研究 / 开发 | 迪琴根 (Ditzingen) / 德国

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