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TruPlasma RF 3006高頻發生器
TruPlasma RF 3006高頻發生器
電漿激發
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13)

可實現最高生產效率的穩定進程

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電漿激發
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13)

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新款高頻發生器

表面的塗層或結構化的關鍵在於穩定和可重複的等離子體電源。採用現代電力電子技術的TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器為此提供最佳前提條件:得益於其穩定的輸出功率與高調節精度,實現高生產效率的同時可確保最佳結果。

高精確度和可重複性

CombineLine技術:憑藉50歐姆的真實輸出阻抗獲得最佳工藝流程功率。

不受高頻電纜長度影響

無需適配電纜長度——高頻範圍內絕無僅有的創舉!

堅固性和安全性

CombineLine技術:失調情況下可靠避免反射功率影響。

效率與成本效益

能量轉換率高達80 %,因此與市場標準相比可將您的能源成本降低最多50 %。

無風扇的冷卻設計

外界空氣既不會升溫也不會受到污染,因此可實現無塵室內運行。

高頻發生器TruPlasma RF 3006

純平顯示幕鍍膜的理想之選

TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器理想適用於RIE(反應離子刻蝕)、ALD(原子層沉積)、PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)和射頻濺鍍法等等離子體工藝流程。這些工藝主要應用於製造半導體元件和微機械系統 (MEMS) 以及平板顯示器和太陽能電池的塗層。

太陽能電池製造

典型應用領域:太陽能行業

TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列的典型應用領域是太陽能行業中要求嚴苛的PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)、刻蝕及高頻濺射等工藝。

理想適用於刻蝕與塗層工藝

半導體製造

在半導體製造中使用不同等離子體工藝,包括透過幹法刻蝕的材料去除工藝和用於製備純矽的區熔法。TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列發生器為最佳適配相應工藝的穩定供電系統提供一切前提條件,從而取得出色的可再現結果。

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TruPlasma RF 1002
TruPlasma RF 1003
TruPlasma RF 3006
RF 輸出口    
輸出功率 2 kW 3 kW 6 kW
標稱功率 2 kW 3 kW 6 kW
額定負載阻抗 50 Ω 50 Ω 50 Ω
輸出頻率 13.56 MHz 13.56 MHz 13.56 MHz
電源連接資料    
電源電壓 200 - 480 V 200 - 480 V 200 - 480 V
電源頻率 50-60 Hz 50-60 Hz 50-60 Hz
電源輸入功率 3.1 kVA 4.3 kVA 7.9 kVA
功率因數 0.95 0.95 0.95
通訊介面    
同步介面
類比/數位
RS 232 / RS 485
PROFIBUS
EtherCAT
DeviceNet
外殼    
重量 18 kg 18 kg 38 kg
防護等級 IP 30 30 30
冷卻器條件    
最大水壓 7 bar 7 bar 7 bar
最小壓力差 1.1 bar 1.1 bar 1.1 bar
最小流量 4 l/min 4 l/min 8 l/min
冷卻介質溫度 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1
概覽    
總功率 80 % 80 % 80 %
證書 / 標準 Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs
環境條件    
外部溫度 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C
空氣溼度 5 % - 85 % 5 % - 85 % 5 % - 85 %
氣壓 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa
整合CombineLine技術

優化適配您的進程

TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13) 的智能即時適配確保阻抗快速直接適配50歐姆。透過已獲專利的CombineLine技術可靠防止等離子體波動和污染,而無風扇冷卻設計則降低故障率,提高效率,並實現無塵室內使用。

並聯諧振電路的高頻發生器

最高效率與靈活性

得益于高達80 %的能量轉換率,與常規發生器相比,可將您的能源成本降低最多50 %。眾多可用介面(可配置類比介面、RS 232/485、DeviceNet、PROFIBUS、EtherCAT)簡化現有設備中的整合,得益於內置的超寬範圍電源(200-480 VAC)無需技術適配。高功率密度的精巧結構形式(19英吋或½-19英吋插入式裝置)允許以節省空間的方式整合至任一生產設備中。

TruPlasma RF_Systemport

TRUMPF SystemPort

SystemPort透過直接量測阻抗適配箱輸入端和輸出端上的RF信號,形成閉環控制回路。RF發生器可使用所有量測值。由此實現更好的工藝流程參數監測,保護阻抗適配箱並確保及早識別電弧。可透過單一的發生器介面控制整個RF系統。

各種選項可以實現高頻發生器根據應用進行最佳適配。

高頻電弧管理

精湛的電弧管理是適用於最佳等離子體工藝流程控制的理想模組。有針對性的電弧識別確保最高生產效率,同時保護產品與設備。

Auto Frequency Tuning(自動頻率調諧):

已獲專利的自動頻率調諧解決方案能夠快速同步適配頻率,確保發生器與阻抗適配箱之間的最佳協作。憑藉此項已獲專利的技術,局部最小化已非阻礙:RF系統達到最佳狀態,從而實現最佳工藝流程結果和高度可重複性。

TRUMPF RF系統的所有組件均彼此完美協調。

RF系統解決方案:進程穩定性最高的阻抗適配箱
TruPlasma Match 1000 (G2/13) 系列阻抗適配箱

TruPlasma Match阻抗適配網路確保從發生器至等離子體放電裝置的最佳功率傳輸。阻抗適配箱可獨立運行或經由發生器與阻抗適配箱的智慧連接(即所謂的SystemPort)實現運行。

主振盪器用於穩定關鍵的同步等離子體進程
主振盪器

憑藉主振盪器可穩定和優化關鍵的同步等離子體過程。整合式數位頻率與相位合成器確保高頻率與相位穩定性,可以實現按照極小的步幅調整相位。可選擇用於13.56 MHz頻率以及各種頻率組合的不同規格主振盪器。

高頻轉換器用於在靈活的等離子體系統中使用高頻發生器
高頻轉換器

高頻轉換器允許在不同等離子體進程工站多次使用高頻發生器,例如用於給連續過程或具有不同饋電點的系統供電。提供兩種功率級別以及具有2、3 或 4個輸出端的不同高頻轉換器。

同軸電纜用於傳輸指定功率
同軸電纜

為實現高頻功率傳輸,TRUMPF Hüttinger提供專門設計用於在50歐姆系統下工作的同軸電纜。

發生器與阻抗適配箱:相互完美協調的系統解決方案

彼此完美協調:TRUMPF RF系統

等離子體工藝就像一個複雜可變的負載,必須由發生器為其不斷供電。這項工作由有源適配網絡(所謂的阻抗適配箱)來完成,確保隨時精確適配50 Ω的最佳阻抗。由此形成相互完美協調的系統解決方案——TRUMPF RF系統。透過不同介面(如EtherCAT)可十分輕鬆地將發生器和阻抗適配箱整合至現有工藝環境之中,並透過發生器與阻抗適配箱的智慧連接(即所謂的SystemPort)形成經優化的系統解決方案。

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注脚
  • 冷卻水溫度必須超過室溫的露點,以避免產生冷凝。

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