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TruPlasma RF 3006高頻發生器
TruPlasma RF 3006高頻發生器
電漿激發
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13)

可實現最高生產效率的穩定進程

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電漿激發
TRUMPF Hüttinger

TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13)

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    新款高頻發生器

    表面的塗層或結構化的關鍵在於穩定和可重複的等離子體電源。採用現代電力電子技術的TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器為此提供最佳前提條件:得益於其穩定的輸出功率與高調節精度,實現高生產效率的同時可確保最佳結果。

    高精確度和可重複性

    CombineLine技術:憑藉50歐姆的真實輸出阻抗獲得最佳工藝流程功率。

    不受高頻電纜長度影響

    無需適配電纜長度——高頻範圍內絕無僅有的創舉!

    堅固性和安全性

    CombineLine技術:失調情況下可靠避免反射功率影響。

    效率與成本效益

    能量轉換率高達80 %,因此與市場標準相比可將您的能源成本降低最多50 %。

    無風扇的冷卻設計

    外界空氣既不會升溫也不會受到污染,因此可實現無塵室內運行。

    高頻發生器TruPlasma RF 3006

    純平顯示幕鍍膜的理想之選

    TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器理想適用於RIE(反應離子刻蝕)、ALD(原子層沉積)、PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)和射頻濺鍍法等等離子體工藝流程。這些工藝主要應用於製造半導體元件和微機械系統 (MEMS) 以及平板顯示器和太陽能電池的塗層。

    太陽能電池製造

    典型應用領域:太陽能行業

    TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列的典型應用領域是太陽能行業中要求嚴苛的PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)、刻蝕及高頻濺射等工藝。

    理想適用於刻蝕與塗層工藝

    半導體製造

    在半導體製造中使用不同等離子體工藝,包括透過幹法刻蝕的材料去除工藝和用於製備純矽的區熔法。TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列發生器為最佳適配相應工藝的穩定供電系統提供一切前提條件,從而取得出色的可再現結果。

    TruPlasma RF 1002
    TruPlasma RF 1003
    TruPlasma RF 3006
    RF 輸出口      
    輸出功率 2 kW 3 kW 6 kW
    標稱功率 2 kW 3 kW 6 kW
    額定負載阻抗 50 Ω 50 Ω 50 Ω
    輸出頻率 13.56 MHz 13.56 MHz 13.56 MHz
    電源連接資料      
    電源電壓 200 - 480 V 200 - 480 V 200 - 480 V
    電源頻率 50-60 Hz 50-60 Hz 50-60 Hz
    電源輸入功率 3.1 kVA 4.3 kVA 7.9 kVA
    功率因數 0.95 0.95 0.95
    通訊介面      
    同步介面
    類比/數位
    RS 232 / RS 485
    PROFIBUS
    EtherCAT
    DeviceNet
    外殼      
    重量 18 kg 18 kg 38 kg
    防護等級 IP 30 30 30
    冷卻器條件      
    最大水壓 7 bar 7 bar 7 bar
    最小壓力差 1.1 bar 1.1 bar 1.1 bar
    最小流量 4 l/min 4 l/min 8 l/min
    冷卻介質溫度 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1 5 °C - 35 °C 1
    概覽      
    總功率 80 % 80 % 80 %
    證書 / 標準 Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs Semi S2,SEMI F47,UL,CSA,CE,RoHs
    環境條件      
    外部溫度 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C 5 °C - 40 °C
    空氣溼度 5 % - 85 % 5 % - 85 % 5 % - 85 %
    氣壓 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa 79.5 kPa - 106 kPa
    PDF <1MB
    技術資料頁

    所有產品種類的技術資料均可下載。

    整合CombineLine技術

    優化適配您的進程

    TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13) 的智能即時適配確保阻抗快速直接適配50歐姆。透過已獲專利的CombineLine技術可靠防止等離子體波動和污染,而無風扇冷卻設計則降低故障率,提高效率,並實現無塵室內使用。

    並聯諧振電路的高頻發生器

    最高效率與靈活性

    得益于高達80 %的能量轉換率,與常規發生器相比,可將您的能源成本降低最多50 %。眾多可用介面(可配置類比介面、RS 232/485、DeviceNet、PROFIBUS、EtherCAT)簡化現有設備中的整合,得益於內置的超寬範圍電源(200-480 VAC)無需技術適配。高功率密度的精巧結構形式(19英吋或½-19英吋插入式裝置)允許以節省空間的方式整合至任一生產設備中。

    TruPlasma RF_Systemport

    TRUMPF SystemPort

    SystemPort透過直接量測阻抗適配箱輸入端和輸出端上的RF信號,形成閉環控制回路。RF發生器可使用所有量測值。由此實現更好的工藝流程參數監測,保護阻抗適配箱並確保及早識別電弧。可透過單一的發生器介面控制整個RF系統。

    各種選項可以實現高頻發生器根據應用進行最佳適配。

    高頻電弧管理

    精湛的電弧管理是適用於最佳等離子體工藝流程控制的理想模組。有針對性的電弧識別確保最高生產效率,同時保護產品與設備。

    Auto Frequency Tuning(自動頻率調諧):

    已獲專利的自動頻率調諧解決方案能夠快速同步適配頻率,確保發生器與阻抗適配箱之間的最佳協作。憑藉此項已獲專利的技術,局部最小化已非阻礙:RF系統達到最佳狀態,從而實現最佳工藝流程結果和高度可重複性。

    TRUMPF RF系統的所有組件均彼此完美協調。

    RF系統解決方案:進程穩定性最高的阻抗適配箱
    TruPlasma Match 1000 (G2/13) 系列阻抗適配箱

    TruPlasma Match阻抗適配網路確保從發生器至等離子體放電裝置的最佳功率傳輸。阻抗適配箱可獨立運行或經由發生器與阻抗適配箱的智慧連接(即所謂的SystemPort)實現運行。

    主振盪器用於穩定關鍵的同步等離子體進程
    主振盪器

    憑藉主振盪器可穩定和優化關鍵的同步等離子體過程。整合式數位頻率與相位合成器確保高頻率與相位穩定性,可以實現按照極小的步幅調整相位。可選擇用於13.56 MHz頻率以及各種頻率組合的不同規格主振盪器。

    高頻轉換器用於在靈活的等離子體系統中使用高頻發生器
    高頻轉換器

    高頻轉換器允許在不同等離子體進程工站多次使用高頻發生器,例如用於給連續過程或具有不同饋電點的系統供電。提供兩種功率級別以及具有2、3 或 4個輸出端的不同高頻轉換器。

    同軸電纜用於傳輸指定功率
    同軸電纜

    為實現高頻功率傳輸,TRUMPF Hüttinger提供專門設計用於在50歐姆系統下工作的同軸電纜。

    發生器與阻抗適配箱:相互完美協調的系統解決方案

    彼此完美協調:TRUMPF RF系統

    等離子體工藝就像一個複雜可變的負載,必須由發生器為其不斷供電。這項工作由有源適配網絡(所謂的阻抗適配箱)來完成,確保隨時精確適配50 Ω的最佳阻抗。由此形成相互完美協調的系統解決方案——TRUMPF RF系統。透過不同介面(如EtherCAT)可十分輕鬆地將發生器和阻抗適配箱整合至現有工藝環境之中,並透過發生器與阻抗適配箱的智慧連接(即所謂的SystemPort)形成經優化的系統解決方案。

    視國家而定,此產品分類與此説明 可能存在偏差。保留技術、裝備、價格與配件範圍方面的更改權利。 請與當地聯絡人取得聯繫,以便瞭解 您所在國家是否提供該產品。

    注脚
    • 冷卻水溫度必須超過室溫的露點,以避免產生冷凝。

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    Services_Electronics_Technical_Support
    服務與眾不同

    精確適配的服務協定令您實現最高的發生器可用性,同時確保清晰可查的保養與運行成本。

    聯繫方式

    Sales(銷售部)
    傳真: +886 3 270 8006
    電子郵件

    下載

    TruPlasma RF 1000 3000系列宣傳冊
    TruPlasma RF 1000 3000系列宣傳冊
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    TruPlasma RF系統宣傳冊
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    服務&連絡人