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EUV驅動雷射 | TRUMPF
用於生產高性能晶片的TRUMPF雷射放大器
用於生產高性能晶片的TRUMPF雷射放大器
CO2雷射器

TRUMPF雷射放大器

透過雷射脈衝為未來生產微晶片奠定基礎。

EUV光刻作為數位時代的推動者

EUV光刻是未來微晶片製造方法中的翹楚。多年來,半導體產業一直在尋找符合成本效益並且能批量處理的方法,以便藉此曝光矽晶圓上的更小結構。ASML、Zeiss與TRUMPF合作開發了一項技術,用以獲得波長為13.5奈米的工業用極紫外光 (EUV):在真空室內,液滴發生器每秒發射50,000個錫液滴。每一個液滴被50,000個雷射脈衝中的一個擊中並變為電漿。由此產生EUV光,再透過反射鏡將其引到需要曝光的晶圓上。用於電漿輻射的雷射脈衝來自TRUMPF開發的脈衝式CO2雷射系統——TRUMPF雷射放大器。

從幾瓦到40千瓦

TRUMPF雷射放大器將雷射脈衝連續放大10,000倍以上。

高效且流程安全

透過發出預脈衝與主脈衝可將雷射放大器的全部功率傳送至錫液滴。

CO2雷射器的新應用

處於連續波運行的CO2雷射器是高性能雷射系統的基礎。TRUMPF以此創造了一項新的技術應用。

龐大的專家網路

經過多年的密切合作,TRUMPF、ASML和ZEISS使EUV技術達到工業規模的成熟水準。

457,329

零件

… 包含雷射放大器。

7,322

公尺

... 電纜安裝於系統內。

17,090

公斤

... 爲總重量。

TRUMPF雷射放大器的核心元件

當前職位顯示

1

Prozessingenieur (w/m/d) Produktion Optics/Laser für EUV

研究/開發, 生產/品質管理 | 迪琴根(Ditzingen) / Germany

2

Leiter (w/m/d) Elektrokonstruktion EUV

研究/開發 | 迪琴根(Ditzingen) / Germany

3

Entwicklungsingenieur (w/m/d) CO2-Lasersysteme für die EUV-Lithographie

研究/開發, 生產/品質管理 | 迪琴根(Ditzingen) / Germany

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