高速光電二極體
憑藉我們在850 nm PIN二極體開發與製造領域的數十年經驗，TRUMPF高速光電二極體可滿足極高的效能、效率與可靠性要求。它們可用於高達56 Gbps的資料傳輸率，分別用作1x1晶片或者1x4和1x12陣列。
您將同時獲益於高應答靈敏度與低暗電流。
豐富的檢測與鑒定流程確保最高可靠性。
適用於無線電收發兩用機、AOC與板載光學器件的接收器組件
我們Datacom VCSEL的完美伴侶。
56G光電二極體
這款PIN光電二極體具有直徑為38 µm的光敏面，適用于高達56 Gbps PAM4的資料傳輸速率。
25G光電二極體
這款PIN光電二極體具有直徑為42 µm的有效作用面，適用於高達25 Gbps的資料傳輸率。
14G光電二極體
憑藉直徑為55 µm的有效作用面，這款PIN光電二極體設計用於高達14 Gbps的資料傳輸率。
10G光電二極體
這款PIN光電二極體具有直徑為70 µm的有效作用面，適用於高達10 Gbps的資料傳輸率。
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