โมดูลเมล็ดเลเซอร์กำลังสูง (HPSM) ประกอบด้วยเลเซอร์เมล็ดสองตัว ซึ่งสร้างพัลส์เลเซอร์ขาออกกำลังเพียงไม่กี่วัตต์ และมีส่วนประกอบทางออปติกทั้งแบบแอ็กทีฟและพาสซีฟจำนวนมาก เพื่อปรับรูปทรงลำแสงและให้ได้ความยาวพัลส์ที่เหมาะสมที่สุด แสงจะขยายล่วงหน้าครั้งแรกด้วยแอมพลิฟายเออร์ตัวแรกจนถึงระดับกำลังประมาณ 100 วัตต์ เลเซอร์เมล็ดได้รับการป้องกันจากการสะท้อนกลับด้วยกลไกความปลอดภัย ซึ่งช่วยเพิ่มความเสถียรของระบบโดยรวมและทำให้สามารถรักษากำลัง EUV ที่คงที่ได้ตามต้องการ

TRUMPF Laser Amplifier
มอบพัลส์เลเซอร์ซึ่งเป็นพื้นฐานสำหรับการผลิตไมโครชิปรุ่นอนาคต
EUV Lithographie – เทคโนโลยีสำคัญที่เปิดทางสู่ยุคดิจิทัล
เทคโนโลยี EUV Lithographie กำลังกลายเป็นวิธีการหลักในการผลิตไมโครชิปรุ่นต่อไป อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ใช้เวลาหลายปีในการค้นหากระบวนการที่มีประสิทธิภาพ คุ้มค่า และสามารถผลิตในระดับอุตสาหกรรม เพื่อสร้างโครงสร้างขนาดเล็กยิ่งขึ้นบนเวเฟอร์ซิลิคอน ด้วยความร่วมมือของ ASML, ZEISS และ TRUMPF ได้มีการพัฒนาเทคโนโลยีเพื่อสร้างแสงอัลตราไวโอเลตชนิดพิเศษ (EUV) ที่มีความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม: ภายในห้องสุญญากาศ เครื่องกำเนิดหยดน้ำดีบุกจะยิงหยดขนาดเล็กจำนวน 50,000 หยดต่อวินาที แต่ละหยดจะถูกพัลส์เลเซอร์จาก 50,000 ครั้งยิงเข้าใส่ จนกลายเป็นพลาสมา จากนั้นจะเกิดแสง EUV ซึ่งจะถูกสะท้อนผ่านกระจกไปยังเวเฟอร์ที่ต้องการฉายแสง พัลส์เลเซอร์ที่ใช้สร้างการเปล่งแสงพลาสมานี้ถูกผลิตโดยระบบเลเซอร์ CO2 แบบพัลส์ที่ TRUMPF พัฒนาเอง - TRUMPF Laser Amplifier
TRUMPF Laser Amplifier สามารถขยายพลังงานของพัลส์เลเซอร์แบบต่อเนื่องได้มากกว่าถึง 10,000 เท่า
การปล่อยพัลส์นำและพัลส์หลักทำให้พลังงานทั้งหมดของ Laser Amplifier สามารถส่งไปยังหยดดีบุกได้อย่างสมบูรณ์
ระบบเลเซอร์กำลังสูงนี้มีพื้นฐานจากเลเซอร์ CO2 แบบต่อเนื่อง (cw operation) ซึ่งทำให้ TRUMPF สามารถสร้างการประยุกต์ใช้งานใหม่ๆ สำหรับเทคโนโลยีนี้ได้
ด้วยความร่วมมืออย่างใกล้ชิดยาวนานหลายปี TRUMPF, ASML และ ZEISS ได้พัฒนาเทคโนโลยี EUV จนสามารถใช้งานได้จริงในระดับอุตสาหกรรม



