การเลือกประเทศ/ภูมิภาค และภาษา
เครื่องขยายความเข้มข้นของเลเซอร์ TRUMPF สำหรับการสร้างชิพประสิทธิภาพสูง
เลเซอร์ CO2

TRUMPF Laser Amplifier

มอบพัลส์เลเซอร์ซึ่งเป็นพื้นฐานสำหรับการผลิตไมโครชิปรุ่นอนาคต

EUV Lithographie – เทคโนโลยีสำคัญที่เปิดทางสู่ยุคดิจิทัล

เทคโนโลยี EUV Lithographie กำลังกลายเป็นวิธีการหลักในการผลิตไมโครชิปรุ่นต่อไป อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ใช้เวลาหลายปีในการค้นหากระบวนการที่มีประสิทธิภาพ คุ้มค่า และสามารถผลิตในระดับอุตสาหกรรม เพื่อสร้างโครงสร้างขนาดเล็กยิ่งขึ้นบนเวเฟอร์ซิลิคอน ด้วยความร่วมมือของ ASML, ZEISS และ TRUMPF ได้มีการพัฒนาเทคโนโลยีเพื่อสร้างแสงอัลตราไวโอเลตชนิดพิเศษ (EUV) ที่มีความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม: ภายในห้องสุญญากาศ เครื่องกำเนิดหยดน้ำดีบุกจะยิงหยดขนาดเล็กจำนวน 50,000 หยดต่อวินาที แต่ละหยดจะถูกพัลส์เลเซอร์จาก 50,000 ครั้งยิงเข้าใส่ จนกลายเป็นพลาสมา จากนั้นจะเกิดแสง EUV ซึ่งจะถูกสะท้อนผ่านกระจกไปยังเวเฟอร์ที่ต้องการฉายแสง พัลส์เลเซอร์ที่ใช้สร้างการเปล่งแสงพลาสมานี้ถูกผลิตโดยระบบเลเซอร์ CO2 แบบพัลส์ที่ TRUMPF พัฒนาเอง - TRUMPF Laser Amplifier

จากไม่กี่วัตต์สู่ 40 กิโลวัตต์

TRUMPF Laser Amplifier สามารถขยายพลังงานของพัลส์เลเซอร์แบบต่อเนื่องได้มากกว่าถึง 10,000 เท่า

มีประสิทธิภาพและมั่นคงในกระบวนการ

การปล่อยพัลส์นำและพัลส์หลักทำให้พลังงานทั้งหมดของ Laser Amplifier สามารถส่งไปยังหยดดีบุกได้อย่างสมบูรณ์

การประยุกต์ใช้งานใหม่สำหรับเลเซอร์ CO2

ระบบเลเซอร์กำลังสูงนี้มีพื้นฐานจากเลเซอร์ CO2 แบบต่อเนื่อง (cw operation) ซึ่งทำให้ TRUMPF สามารถสร้างการประยุกต์ใช้งานใหม่ๆ สำหรับเทคโนโลยีนี้ได้

เครือข่ายความร่วมมือขนาดใหญ่ของผู้เชี่ยวชาญ

ด้วยความร่วมมืออย่างใกล้ชิดยาวนานหลายปี TRUMPF, ASML และ ZEISS ได้พัฒนาเทคโนโลยี EUV จนสามารถใช้งานได้จริงในระดับอุตสาหกรรม

ส่วนประกอบ

… มี Laser Amplifier

เมตร

... สายเคเบิลติดตั้งอยู่ภายในระบบ

กิโลกรัม

... คือ น้ำหนักรวมทั้งหมด

ส่วนประกอบหลักของ TRUMPF Laser Amplifier

การติดต่อ
ระบบเลเซอร์กำลังสูงอียูวี ลิโธกราฟฟี
อีเมล