อิเล็กทรอนิกส์

เลเซอร์ของ TRUMPF ผลิตชิ้นงานที่มีคุณภาพสูงและสามารถทำซ้ำได้อย่างแม่นยำ ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ - แม้ในกรณีที่ต้องผลิตในปริมาณมาก เลเซอร์พัลส์อัลตร้าชอทกว่า 1,000 เครื่องของ TRUMPF ทำงานตลอด 365 วันต่อปี ในสถานที่ผลิตของผู้นำอุตสาหกรรมทั่วโลก TRUMPF จะส่งมอบโซลูชั่นเครื่องจักรหรือแพ็คเกจเทคโนโลยีเลเซอร์ที่แตกต่างกันไปตามลักษณะและขอบเขตการใช้งาน ในทั้งสองกรณีลูกค้าจะได้ประโยชน์จากเครือข่ายการบริการที่มีอยู่ทั่วโลกของกลุ่มบริษัท TRUMPF

การเกิดขึ้นของไมโครอิเล็กทรอนิกส์และพื้นฐานของคอมพิวเตอร์และสมาร์ทโฟนปัจจุบันของเราเป็นสิ่งที่เป็นไปไม่ได้หากขาดเทคโนโลยีเลเซอร์ ชิพตรรกะและหน่วยความจำแสดงให้เห็นโครงสร้างในระดับนาโนเมตร และสามารถผลิตด้วยกระบวนการฉายแสงที่ซับซ้อนด้วยลำแสงเลเซอร์เท่านั้น วิธีการดั้งเดิมที่ใช้ลำแสงเลเซอร์ UV จากเอกไซเมอร์เลเซอร์มาถึงขอบเขตมากขึ้นเรื่อย ๆ แล้ว ในอนาคตโครงสร้างขนาดเล็กกว่าสามารถทำได้ด้วยการสร้างความยาวคลื่นที่สั้นกว่าเท่านั้น ในช่วงของอัลตราไวโอเลตที่สั้นมาก (EUV) TRUMPF ได้ทำงานร่วมกับผู้ผลิตระบบพิมพ์หินรายใหญ๋ ASML และผู้เชี่ยวชาญด้านออพติก Zeiss อย่างจริงจังเป็นเวลายาวนานในกระบวนการพิมพ์หิน EUV นี้& และพัฒนาระบบเลเซอร์ CO₂ ที่เป็นเอกลักษณ์ระดับโลก ดังนั้นในอนาคตจึงมีเทคโนโลยีของ TRUMPF อยู่หนึ่งส่วนในชิพประสิทธิภาพสูงจำนวนมาก

เครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลาสม่าจาก TRUMPF Hüttinger มีบทบาทสำคัญในการผลิตชิปอย่างแท้จริง คุณภาพของแหล่งกำเนิดกระแสไฟฟ้ากำหนดคุณภาพและความแม่นยำของพลาสม่าที่ถูกสร้างขึ้น พลาสม่านี้จะถูกใช้ในขั้นถัดไปของการเติม (การฝังไอออน) การเคลือบผิว (PECVD, ALD) หรือการลอก (การกัดผิวด้วยพลาสม่า) ของวัสดุต่าง ๆ สำหรับการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์ ในระหว่างกระบวนการนี้ จะเกิดก๊าซพิษที่เป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม ซึ่งระบบเฉพาะในเครื่องกำเนิดไฟฟ้า TRUMPF Hüttinger จะทำหน้าที่กรองและทำความสะอาดได้อย่างมีประสิทธิภาพ เพื่อลดการปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่เป็นอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ให้ได้น้อยที่สุด

หลังจากการฉายแสงและการสร้างวงจรบนเวเฟอร์ซิลิคอนการแบ่งเป็นชิพที่แยกต่างหากแต่ละชิ้นเป็นความท้าทายขั้นต่อไปของห่วงโซ่กระบวนการอิเล็กทรอนิกส์ เพื่อให้ได้รอยจากการตัดขนาดเล็กที่สุดและมีคุณภาพของขอบที่สูงรวมทั้งชิพที่อ่อนไหวไม่เสียหายจากผลกระทบทางอุณหภูมิจะใช้การตัดแบ่งด้วยเลเซอร์พัลส์สั้นมากของ TRUMPF วิธีการนี้ช่วยให้การทำงานกับวัสดุไม่มีผลกระทบจากความร้อนที่ไม่พึงประสงค์ และความแม่นยำสูงสุดภายใต้การทำงานด้วยเลเซอร์ รวมทั้งสำหรับการตัดโมดูลที่อ่อนไหว (ระบบในแพ็คเกจ) การทำงานกับแผงวงจรหลายวัสดุและการเจาะสิ่งที่เรียกว่าไมโครไบแอสในซิลิคอนและแก้วเหมาะกับเลเซอร์นี้ นอกจากนี้อุตสาหกรรมยังใช้เลเซอร์ของ TRUMPF สำหรับการลอกผิวแบบกำหนดเป้าหมาย การตัดฟิล์ม รวมทั้งสำหรับการทำเครื่องหมาย

การผลิตคริสตัลสังเคราะห์เป็นพื้นฐานสำหรับการผลิตสารกึ่งสังเคราะห์& และเป็นพื้นฐานของเทคโนโลยีการสื่อสารและสื่อทั้งหมด ผิวโมโนคริสตัล& เติบโตบนฐานรองโมโนคริสตัลของวัสดุแบบเดียวกัน โดยที่รักษาโครงสร้างของคริสตัลไว้ กระบวนการนี้จะใช้ในการผลิต LED เป็นต้น เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบอินดัคทีฟของ TRUMPF Hüttinger ช่วยให้มีการกระจายอุณหภูมิที่เป็นเนื้อเดียวและเสถียรด้วยการควบคุมเอาท์พุตที่รวดเร็วและแม่นยำ