Ezen weboldal rendelkezésre bocsátásához és működéséhez sütiket használunk. Ha további célokra is használhatunk sütiket, akkor kérjük, kattintson ide. Információk a sütik deaktiválásához és az adatvédelemhez
A chipek a TRUMPF Laser Amplifier-rel készültek

EUV sugárzás létrehozása CO2 nagy teljesítményű lézerrendszer és ón segítségével.

Mobil végberendezések, autonóm vezetés vagy mesterséges intelligencia – digitális világunkban a miniatürizálással és automatizálással szakadatlanul nőnek a számítógép teljesítményével szemben támasztott követelmények. Ennek következménye: egyre több tranzisztornak kell elhelyezkednie a félvezetőkön, a lapkakészletek belsejében. Ez nem új jelenség, mert már az Intel alapítója is tudta: a tranzisztorok száma egy integrált áramkörben úgy 18 havonta megduplázódik. Ez a Moore-törvényként ismert törvény ma is érvényes. Így akár 100 millió tranzisztoros integrációs sűrűséget lehetett elérni egy négyzetmilliméteren. A félvezető struktúrák mérete egyre inkább az atomok méreteihez közelít. Ezen chipek gyártásánál a TRUMPF nagy teljesítményű lézererősítői központi szerepet játszanak: segítségükkel világító plazma jön létre, és ez adja az extrém ultraibolya sugárzást (EUV) a lapkák levilágításához. A TRUMPF az ASML litográfiai rendszerek világszerte legnagyobb gyártójával, valamint a Zeiss optikai gyártóval való szoros együttműködésben egyedülálló CO2 lézerrendszert alkotott meg, amelyekkel óránként több mint 100 lapkát lehet megmunkálni.

13,5

Nanométer

A létrehozott extrém ultraibolya (EUV) fény hullámhossza ..., ez 10 nanométernél kisebb szerkezetméretek gyártását teszi lehetővé.

50 000

Másodpercenként

A TRUMPF Laser Amplifier-t ... éri, hogy EUV fényt hozzon létre a lapka levilágításához.

100 000 000

Tranzisztorok négyzetmilliméterenként

... óncsepp és még több található egyetlen mikrochipen az EUV litográfiának köszönhetően – szinte hihetetlen.

Az óncsepptől a lapka levilágításáig: az EUV litográfiai eljárás

A modern számítógépchipek rendszerint nanométeres nagyságrendű struktúrákból épülnek fel, melyek csak bonyolult levilágítási eljárásokkal, lézersugárzás segítségével állíthatók elő. Az excimerlézerek által kibocsátott UV lézersugárzással végzett hagyományos eljárás lassan eléri a határait. Ennél kisebb szerkezetméretek tíz nanométernél kisebb tartományon belül ezzel az eddig alkalmazott eljárással már nem generálhatók. Ezekhez a filigrán struktúrákhoz  még rövidebb hullámhosszú levilágításra van szükség – extrém ultraibolya sugárzás (EUV) tartományú sugárzásra.

Prozess der EUV Lithografie mit Lasern von TRUMPF

Az EUV litográfia nagy kihívása, hogy a sugárzást az optimális 13,5 nanométeres hullámhosszal hozzák létre. A megoldás: egy lézersugárzással létrehozott, világító plazma, amely ezt az extrém rövidhullámú sugárzást adja. De hogyan is keletkezik a plazma? Egy generátor óncseppeket csepegtet egy vákuumkamrába (3), majd a TRUMPF egy nagy teljesítményű impulzuslézere (1) éri a sebesen haladó óncseppeket (2) – 50 000 -szer másodpercenként. Az ónatomok ionizálásra kerülnek , és intenzív plazma keletkezik. Egy kollektortükör befogja a plazmából minden irányba kibocsátott EUV sugárzást, összpontosítja, végül átadja a litográfia rendszernek (4) a lapkák (5) levilágításához.

TRUMPF Laser-Amplifier zur EUV-Litographie

A plazmasugárzáshoz való lézerimpulzust egy, a TRUMPF által kifejlesztett impulzusos CO2 lézerrendszer adja – ez a TRUMPF Laser Amplifier. A nagy teljesítményű lézerrendszer alapja a CO2 állandó vonallézer-technológia több mint tíz kilowatt teljesítménytartományban. A CO2 lézerimpulzust néhány watt közepes teljesítménnyel öt erősítési szinten több mint a 10 000-szeresével több 10 kilowattos közepes impulzusteljesítményre erősíti fel. Az impulzus-csúcsteljesítmény több megawatt. A lézerfény létrehozásával, erősítésével, valamint a sugárvezetővel az óncseppig a TRUMPF komponensek váltják ki a litográfiai folyamatot. A fejlesztők, szerviztechnikusok és gyártási munkatársak számára izgalmas terület a nagyon gyors sorozatbevezetési ciklusok és specifikus ügyfélkívánságok megvalósítása mellett a műszaki komplexitás is, melynek révén újra meg újra egyedülálló és új megoldások születnek.

Gesamtsystem zur EUV-Lithografie ASML

A TRUMPF jó hírű partnerekkel együttműködve egy nemzetközileg egyedülálló CO2 lézerrendszert fejlesztett ki: az ASML litorgráfiai rendszerek világszerte legnagyobb gyártója integrátorként működik és ő szállítja a komponenseket a cseppek készítéséhez, illetve a szkennert. Az EUV optikák a Zeiss-tól származnak. Ezekkel a berendezésekkel időközben óránként több mint 100 lapka munkálható meg – ez elég a sorozatgyártáshoz. Így az EUV litográfia nemcsak műszakilag éri meg, hanem gazdaságilag is teljes siker a chipgyártóknak az egész világon.

Aktuális álláshirdetések

1

Systemingenieur (w/m/d) CO2-Lasersysteme EUV

Kutatás/fejlesztés | Ditzingen / Germany

2

Leiter (w/m/d) Elektrokonstruktion EUV

Kutatás/fejlesztés | Ditzingen / Germany

3

Projektleiter (w/m/d) / Projektingenieur (w/m/d)

Kutatás/fejlesztés, Gyártás/minőségirányítás | Ditzingen / Germany

Ezek a témák is érdekelhetik Önt

Kapcsolat
Hochleistungslasersysteme EUV-Lithografie
E-mail
Szerviz & kapcsolat

Close

Country/region and language selection

Please take note of

You have selected Hungary. Based on your configuration, United States might be more suitable. Would you like to keep or change the selection?

Hungary
United States

Or, select a country or a region.