半导体制造
没有通快，就没有人工智能。我们的激光和等离子解决方案是现代半导体制造的支柱。从 EUV 光刻技术到先进的封装技术：只要是创造未来的地方，就会用到我们的技术。无论是涂层、镀膜还是蚀刻——如果您想要创新和进步，通快是您绕不开的选择。我们超前思维：我们的解决方案不仅能实现最高性能，还能实现资源节约型工艺。我们与领先的技术合作伙伴共同开发创新产品，改变整个行业。
没有通快的半导体？无法想象。
创新始于人。因为每一步前进的背后，都有想法、热情和勇气。我们助力生产新一代的芯片。通快使半导体制造更快、更可持续、更高效。对于希望制造尖端芯片的制造商来说，通快不仅仅是供应商，我们还是战略合作伙伴。
通快如何推动半导体制造业发展
我们的技术可确保所有关键工艺步骤的最大可用性。由此，通快将半导体制造提升到一个新的水平——更快、更高效、更可持续。
1. 锭材切片
从硅晶体上切下薄片。有了激光，芯片制造商就能以对材料特别温和的方式来完成这项工作。
2. 裸晶圆
半导体芯片的所有结构都应用在裸硅片上。
3. 沉积
在晶圆上涂上一层薄薄的材料，如绝缘体或导体。它是晶体管和连接的基础。
4. TGV/穿透玻璃孔
激光束在绝缘层和半导体层中钻出微小的通孔。它们可以实现例如 3D 芯片中电路层的垂直连接。
5. 光阻涂层
晶圆上涂有感光漆层，以便对特定区域进行曝光和处理。
6. EUV 光刻
光线通过掩膜投射到漆上，形成微小的结构图案，从而绘制出随后的电路。
7. 蚀刻
暴露在外的区域会被化学或物理蚀刻掉，然后在材料中形成沟槽、通孔和导体轨道。
8. 离子植入
将外来原子高速引入硅中（掺杂）。由此改变电气特性，使晶体管可以进行开关。
9. 化学机械抛光 (CMP)
对晶圆表面进行化学和机械平滑处理。这样就能为特别先进的芯片提供多层结构。
10. 晶圆切割
晶圆被分离成晶粒。每个晶粒稍后都将成为微芯片。使用激光或等离子可以特别精确地实现这一目标。
11. 测试
每个芯片都要经过电气测试——先是功能测试，然后进行负载和温度测试。
我们用于半导体制造的产品
我们的激光和等离子应用可用于芯片制造的所有关键生产步骤。
现在就了解有关激光使用的更多信息！
激光技术可以在芯片制造的几乎每一个生产步骤之前、之后和过程中发挥作用。每个半导体制造商和加工商都有自己的工艺链，可以在不同的地方使用激光。
通快如何塑造芯片行业
通快的高功率激光器如何实现 EUV 光刻。
我们的全球合作伙伴关系
新一代芯片应尽可能减少能耗。芯片本身的生产也将尽可能提高能效，设备应全年 365 天全天候运行。通快通过为芯片工厂的所有相关供应商提供生产解决方案来满足这一要求。作为创新领导者，我们提供电子装置和激光解决方案，以提高微芯片生产的效率和可持续性。几十年来，通快一直与亚洲、美国和欧洲半导体行业的主要供应商保持着密切的合作关系。这种创建在信任基础上的紧密合作使我们能够开发出满足客户高要求的创新解决方案。
与全球最大的光刻系统制造商 ASML 的长期深入合作就是成功合作的范例之一。通快为 EUV 技术提供高功率激光器，从而为制造世界上性能最强大的微芯片提供核心技术。通快发生器还为硅晶圆生产过程中的镀膜和蚀刻工艺提供可靠而精确的能源。通快的激光技术应用广泛，例如用于光掩模和极小芯片结构的质量控制。
高精尖世界
作为一家高科技公司，我们正在积极塑造半导体行业的未来，并通过自己的创新为数字革命做出重要贡献。下一步工作包括开发更高效的制造解决方案，扩大合作关系，进一步推动技术发展。
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您一直想知道…
半导体是一种导电性介于导体（如铜）和绝缘体（如玻璃）之间的材料。典型的半导体材料是硅或锗。导电性可通过掺杂（引入外来原子）和外部影响（如温度或光线）发生特定变化。这使得半导体成为晶体管、二极管和集成电路等电子元件的理想材料。在数据仓库、人工智能和微型化的推动下，半导体行业正在强劲增长。半导体的发展趋势是性能越来越强大，同时体积越来越小。专家们把这种发展称为纳米竞赛。通快的激光和等离子技术对于 EUV 光刻、镀膜、曝光和蚀刻等工艺至关重要。没有这些技术，就不可能制造出最新一代的芯片。
晶体管是一种电子元件，可用作电信号的开关或放大器。它是现代微电子技术的核心，是处理器、存储芯片和几乎所有数字设备的基础。芯片中的晶体管越多，计算能力就越强。
半导体通常要经过几百个，有时甚至上千个生产步骤。制造它需要几个月的时间。简单地说，半导体制造过程可以用十个步骤来描述：
1. 生产从晶圆开始，晶圆由高纯度硅拉制而成，并切割成薄片。
2. 对晶圆进行抛光，为后续工序创造绝对光滑的表面。
3. 在光刻技术中，要涂上一层光敏层（光刻胶），后者稍后确定电路的结构。
4. 使用极其精确的曝光工艺（如 EUV 光刻）将微小图案投射到晶圆上。
5. 然后对曝光的区域进行化学显影，使所需的结构清晰可见。
6. 通过蚀刻工艺（如 等离子蚀刻），移除材料层以形成导体轨道和晶体管。
7. 随后是掺杂过程，由此引入外来原子，以改变硅的电气特性。
8. 应用多层金属和绝缘体，在晶体管之间创建复杂的连接。
9. 经过数百个这样的步骤后，晶圆将被测试并切割成单个芯片（晶粒）——这一过程称为晶圆切割。
10. 最后，对芯片进行封装、测试和签发，供智能手机、电脑或汽车等设备使用。
1. 信息和通信技术
半导体控制着计算机、服务器和智能手机的计算过程。它们是数字通信、云计算和物联网（IoT）所不可或缺的。
2. 人工智能和计算中心
性能强大的芯片可为人工智能应用和大数据分析处理海量数据。
3. 汽车工业
在汽车领域，半导体对于驾驶员辅助系统、电动交通、信息娱乐和自动驾驶至关重要。
4. 医疗技术
它们可以实现精确成像、诊断系统甚至植入式设备。
5. 工业和自动化
半导体驱动工业生产中的传感器、控制系统和机器人技术。
人工智能应用需要巨大的计算能力。芯片性能越强大，人工智能模型的训练和部署就越快速、高效。因此，半导体技术的进步将极大地推动人工智能的发展。通快的 EUV 等技术被用于制造性能最强大的芯片。
人工智能芯片是专门开发的处理器，可直接在芯片上执行机器学习和人工智能的复杂算法。它们与传统处理器的不同之处在于能够并行处理大量数据。
人工智能芯片是通过高度复杂的生产流程制造出来的，它结合了传统的半导体技术和创新的封装工艺。首先，通常以硅为基础的实际计算核心采用纳米结构制造。
芯片必须极其强大和节能，才能实时处理海量数据。这就是为什么制造商越来越重视先进封装的原因。在此过程中，多个芯片组合在内插件上，作为连接层。
虽然硅内插件长期以来一直是标准产品，但就其尺寸和成本而言，现在已经达到极限。解决方案：玻璃内插件。玻璃的成本更低，可以加工成大型面板，并能为人工智能系统提供复杂的芯片封装。为了在玻璃层之间创建电气连接，必须在玻璃上钻出数百万个小孔，这些小孔被称为穿透玻璃孔（TGV）。为此也使用通快的激光技术。
摩尔定律指出，微芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，而每次运算的成本却在下降。因此，芯片的性能不断提高，而尺寸却没有增加。为了继续实现微型化，EUV 光刻技术和新型芯片架构（如 3D 结构）等技术得到使用。该定律于 1965 年由因特尔联合创始人戈登·摩尔 (Gordon Moore) 提出。它不是自然规律，而是反映行业创新速度的观察。
1. 微型化和精确化
该行业面临着生产越来越小的纳米级结构的巨大压力。要在硅晶圆上制造 3D 结构，EUV 光刻机和等离子发生器必须以极高的精度工作。即使是最小的偏差也会导致废品和高成本。由于公差在纳米范围内，质量控制（计量）变得越来越复杂。
2. 能源消耗与可持续性
能源效率对于降低运营成本和实现可持续发展目标至关重要。因此，等离子发生器和激光系统必须尽可能高效地工作。
3. 供应链和质量保证
整个供应链必须保证零质量缺陷。供应商的缺陷会危及生产。通快对其合作伙伴和供应商提出了严格的质量标准要求。
4. 生产设备的可用性
半导体的生产主要集中在亚洲。设备供应商必须为全球芯片制造商提供最高质量的服务，以避免停机。因此，通快投资创建地区服务中心和技术中心，例如在台湾。
光刻是半导体制造的核心工艺，在这一工艺中，电子电路的结构被转移到硅晶圆上。此时，一种特殊的涂层装置将光敏层（光刻胶）涂在晶圆上。然后，光刻系统用光照射所需的图案，并对其进行化学显影。这些结构构成芯片上晶体管和其他元件的基础。该领域最先进的技术是 EUV 光刻。它使用极短波长的光来创建纳米级精细结构。没有 EUV 光刻，就无法生产出性能最强大的微芯片。光刻对于实现摩尔定律至关重要，后者规定晶体管数量每两年翻一番。
晶圆是生产微芯片的起点。它由高纯度硅组成，首先将其拉成单晶体，然后切割成薄片。这些薄片经过抛光，以使表面绝对光滑。通过光刻、曝光、蚀刻和掺杂工艺，在晶圆上形成电路。经过数百个工艺步骤后，晶圆将被测试并切割成单个芯片（“晶粒”）。
晶圆切割是指从晶圆上分离出半导体芯片。这是半导体工艺链后端的核心步骤。
机械锯、隐形切割、烧蚀激光切割和等离子切割。
等离子刻蚀是一种利用离子化气体（等离子）从晶圆表面去除材料或使其结构化的工艺。这一过程对精确的芯片结构至关重要。
一种提供高频电能的装置，用于产生和控制芯片生产所需的等离子。
玻璃通孔 (TGV) 是玻璃中的微小导电通孔，可实现芯片封装不同层之间的电气连接。它们对高性能应用至关重要，因为它们能缩短信号路径并最大限度地减少能量损失。
半导体制造需要大量能源。不过，半导体公司可以通过采用节能技术和循环经济来大幅减少碳足迹，通快技术在这方面发挥着关键作用。对作为家族企业的通快而言，可持续发展是其 DNA 的一部分。正因如此，我们在开发 EUV 光刻技术等面向未来的技术时，非常重视高效、节约地使用能源和材料。
