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Visual Elektronik

Electrónica

Más rápidos, más pequeños, más eficientes: el progreso en la microelectrónica está estrechamente ligado a la tecnología láser.

Una tendencia continua hacia la miniaturización y las enormes cantidades de piezas son dos de las particularidades más importantes de la industria electrónica. Gracias a una precisión hasta ahora inalcanzada y a la buena posibilidad de automatización, la tecnología láser ofrece soluciones industriales para estos desafíos. Los láseres de TRUMPF desempeñan una función elemental en la producción de chips informáticos de última generación. Asímismo, el láser permite multitud de otros pasos del proceso, como el corte y el taladrado de obleas de silicio, tarjetas de circuito impreso o módulos electrónicos completos. Los generadores de TRUMPF Hüttinger proporcionan además de forma fiable y precisa la energía de proceso necesaria para los procedimientos de recubrimiento y decapado en la producción de obleas de silicio.

Chips de alto rendimiento del futuro

TruFlow Laser-Amplifier für EUV-Anwendungen

La aparición de la microelectrónica y, con ella, los fundamentos de nuestros ordenadores y teléfonos actuales, no se hubieran podido concebir sin la tecnología láser. Los chips de lógica y de almacenamiento presentan estructuras en una escala nanométrica y solo pueden crearse mediante complejos procesos de iluminación con radiación láser. El enfoque convencional con radiación láser UV de láseres excímeros se ve cada vez más limitado. En el futuro, las estructuras pequeñas tan solo podrán generarse con longitudes de onda aún más cortas en el espectro ultravioleta extremo (EUV). Pero para crear esta radiación es necesario un procedimiento innovador en el que un láser de CO2 de alta potencia bombardee minúsculas gotitas de estaño creando así un plasma luminoso. Una parte de la radiación de plasma con una longitud de onda de 13,5 mm puede usarse finalmente para la exposición del chip: la litografía EUV. Junto con el mayor fabricante de sistemas de litografía ASML y el especialista en sistemas ópticos Zeiss, TRUMPF ha trabajado en este proceso colaborando intensivamente durante años, y ha desarrollado un sistema de láser de CO2 único en el mundo. Además, los productos de TRUMPF se emplean en los procesos de decapado y recubrimiento en la producción de obleas de silicio. Y por esto, en el futuro, habrá una pieza de tecnología TRUMPF en muchos chips de alto rendimiento.

Mecanizado de precisión en frío de chips, paquetes y tarjetas de circuito impreso

Laserbohren einer Leiterplatte mit einem Laser der TruMicro Serie 5000.

Tras la exposición y el montaje de los circuitos en las obleas de silicio, el siguiente reto de la cadena de procesos electrónica es la separación en chips individuales. Para conseguir las ranuras de corte más pequeñas posibles con una alta calidad de los cantos, así como para no dañar los delicados chips por la influencia térmica, se usan en la separación láseres de pulsos ultracortos de TRUMPF. Estos permiten el mecanizado de material sin una influencia del calor no deseada y la máxima precisión dentro del mecanizado por láser. Este láser también es apropiado para recortar módulos delicados (System-in-Package), el mecanizado de tarjetas de circuito impreso multimateriales y el taladrado de las llamadas microvías en silicio y vidrio. Además, el sector utiliza los láseres de TRUMPF para la remoción de capas dirigida, el corte de láminas y el marcado.

Cultivo de cristales

Zone Floating Process

La producción sintética de cristales es el fundamento para la fabricación de semiconductores y, así, la base de toda la tecnología de comunicación y medios. Aquí crecen capas monocristalinas sobre sustratos monocristalinos del mismo material manteniendo el orden cristalográfico. El procedimiento se aplica, entre otras cosas, para la producción de LED. Los generadores de inducción de TRUMPF Hüttinger permiten una distribución de la temperatura homogénea y estable gracias a una regulación precisa y rápida de las magnitudes de salida.

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