Strahlprofil
Im Fern-Feld ist die Intensitätsverteilung des Single-Mode-VCSELs perfekt gaußförmig
Single-Mode-VCSEL
Single-Mode-VCSEL sind durch ihre verbesserten optischen Eigenschaften die perfekte Wahl für anspruchsvolle Sensorikanwendungen. Longitudinal- und Transversalmoden höherer Ordnung sind durch das innovative Chipdesign unterdrückt, gleichzeitig ist die Polarisation linear stabil.
Gauß-förmiges Strahlprofil
Das absolut symmetrische und Gauß-förmige Strahlprofil vereinfacht das optische Design Ihrer Applikation signifikant.
Geringe Strahldivergenz
Ein reproduzierbarer Divergenz Winkel im Bereich von 20° (1/e2), oder kleiner, vereinfacht die Strahlführung.
Geringe spektrale Breite
Die Laserlinie mit einer spektralen Breite von typischerweise 100 MHz prädestiniert diesen Laser für spektroskopische Applikationen.
Geringe Leistungsaufnahme
Eine Leistungsaufnahme im Bereich weniger Milliwatt ermöglicht den Batteriebetrieb in mobilen Applikationen.
Optische Encoder zur hochpräzisen Positionierung
Single-Mode-VCSEL eigenen sich aufgrund ihres Gauß-förmigen Strahlprofils, ihrer geringen Leistungsaufnahme, der langen Kohärenzlänge sowie der hervorragenden Zuverlässigkeit perfekt für den Einsatz in optischen Encodern.
FTIR (Fourier-transform infrared spectroscopy)
Aufgrund der geringen Temperaturabhängigkeit der Emissionswellenlänge (0.06 nm/K) und der schmalbandigen spektralen Emission von typischerweise 100 MHz eignen sich temperaturstabilisierte Single-Mode-VCSEL besonders als Wellenlängenreferenz für FTIR Spektrometer.
Sauerstoffsensoren
Single-Mode-VCSEL eignen sich hervorragend für TDLAS-Anwendungen (Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy). TDLAS-Systeme profitieren von der schmalen Linienbreite und der feinen Regelbarkeit, die die Single-Mode-VCSEL mit TEC bieten.
Hochpräzise Tiefensensorik
Single-Mode-VCSEL-Arrays eignen sich hervorragend für hochpräzise ToF-Anwendungen (Time-of-Flight). Lineare Tiefenmessungen im Bereich von mehreren Metern bis zu 0 mm können mit Single-Mode-VCSEL-Arrays gemacht werden.
Industrielle Geschwindigkeits- und Abstandssensoren
TO-Gehäuse sind robust für den Einsatz in industriellen Umgebungen. Sie kommen als Geschwindigkeits- und Abstandssensoren für verschiedene Materialien zum Einsatz, darunter auch empfindliche Materialien wie Stoffe.
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TVT-006-850-A (850 nm Chip)
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TVT-007-940-B (VCSEL-Array mit Gauß-förmigem Strahlprofil)
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A (TO Paket)
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|---|---|---|---|---|
| Laserparameter | ||||
| Laserart | Single Mode | Single Mode | Single Mode | Single Mode |
| Wellenlänge | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| Ausgangsleistung (min.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
| Ausgangsleistung (max.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
| Anzahl an Zonen | 1 Stück | 12 Stück | 2 Stück | 1 Stück |
| Steigungseffizienz (bei Raumtemperatur) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
| Laser Klasse | 3B | 3B | 3B | 3B |
| Optik | ||||
| Optisches Element | - | - | mit Polarisationskontrolle | TO Paket mit integrierter Optik |
| Strom | ||||
| Stromspannung (bei 25 mA und Raumtemperatur) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| Schwellenstrom (bei Raumtemperatur) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| Größe | ||||
| Abmessung Breite | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| Abmessung Höhe | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| Abmessung Tiefe | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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TVT-006-850-A (850 nm Chip)
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TVT-007-940-B (VCSEL-Array mit Gauß-förmigem Strahlprofil)
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A (TO Paket)
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| Laserparameter | ||||
| Laserart | Single Mode | Single Mode | Single Mode | Single Mode |
| Wellenlänge | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| Ausgangsleistung (min.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
| Ausgangsleistung (max.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
| Anzahl an Zonen | 1 Stück | 12 Stück | 2 Stück | 1 Stück |
| Steigungseffizienz (bei Raumtemperatur) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
| Laser Klasse | 3B | 3B | 3B | 3B |
| Optik | ||||
| Optisches Element | - | - | mit Polarisationskontrolle | TO Paket mit integrierter Optik |
| Strom | ||||
| Stromspannung (bei 25 mA und Raumtemperatur) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| Schwellenstrom (bei Raumtemperatur) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| Größe | ||||
| Abmessung Breite | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| Abmessung Höhe | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| Abmessung Tiefe | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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Technisches Datenblatt
Die technischen Daten aller Produktvarianten als Download.
850 nm Chip
Der 850 nm Chip bietet hohen Output bei gleichzeitig niedrigem Stromverbrauch. Der Chip eignet sich für hochvolumige und hochintegrierte Applikationen. Die Laserdioden werden als Chips auf einem Tape geliefert. Dieses Lieferformat setzt einen Pick&Place bzw. einen Die-Bonding Prozess zur Verarbeitung der Laserdioden voraus.
Kleine 940 nm VCSEL-Array mit Gauß-förmigem Strahlprofil
12 Emitter mini Single-Mode-VCSEL-Array für hochpräzise Time-of-Flight-Sensoren. VCSEL-Arrays mit Gauß-förmigem Strahlprofil und kurzen Anstiegs- und Abfallzeiten.
850 nm ViP (VCSEL with integrated Photodiode)
Die integrierte VCSEL Lösung ViP ist mit einer Photodiode ausgestattet, die direkt in den VCSEL integriert ist, um reflektierende Signale zur weiteren Verarbeitung aufzugreifen. Die patentierte Lösung unterstützt damit die selbstmischende Interferenz-Technologie, kurz SMI. SMI ist ein bewährtes optisches Messverfahren für Anwendungen in der industriellen Sensorik oder auch Consumer Electronics.
TO-Pakete
VCSEL in einem hermetisch dichten TO Gehäuse ermöglichen eine einfache Handhabung der Laserdiode und eignen sich für den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungsbedingungen. Zusätzlich wird ein Burn-In Test ermöglicht, eine integrierte Zener Diode reduziert die ESD Sensitivität.
TO mit TEC
Für Applikationen, die große Temperaturfenster erfordern, oder eine spektrale Stabilisierung der Laserdiode voraussetzten, eignet sich ein TO-Paket mit integriertem TEC. Das Peltier Element erlaubt es anhand des NTC Widerstands die Lasertemperatur präzise zu regeln, aufgrund der Hermetizität des Gehäuses ist Kondensation am VCSEL ausgeschlossen.
Polarisationskontrolle
Single-Mode-VCSEL mit stabiler, fortschrittlicher, linearer Polarisation verbessern die Beleuchtungsqualität und die Auflösung in anspruchsvollen 3D-Beleuchtungsanwendungen.
Das Oberflächengitter ermöglicht die stabile Polarisation und wird direkt in das GaAs geätzt. Aufgrund des optimierten Gitterdesigns erreichen die polarisierten VCSEL eine nahezu 100-prozentige Leistungseffizienz im Vergleich zu nicht polarisierten VCSEL. TRUMPF hat die patentierte Technologie von VCSEL mit stabiler Polarisation für Großserienanwendungen entwickelt.
Es gibt auch die Option zu doppelter Polarisation, sodass zwei Polarisationsrichtungen in einem VCSEL integriert sind.
TO-Pakete
Single-Mode VCSEL in einem hermetisch abgedichteten TO-Gehäuse ermöglichen eine einfache Handhabung der Laserdiode und eignen sich für den Betrieb unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen. Optional sind die Produkte auch mit einem Temperiersystem (TEC, Thermistor) ausgestattet.
Integrierte Photodiode
VCSEL mit integrierter Phodiode (ViP) ermöglichen das Aufgreifen von reflektierten Signalen zur weiteren Verarbeitung. Die patentierte Lösung unterstützt damit die selbstmischende Interferenz-Technologie, kurz SMI. SMI ist ein bewährtes optisches Messverfahren für Anwendungen in der industriellen Sensorik oder in Consumer Electronics.
Je nach Land sind Abweichungen von diesem Produktsortiment und von diesen Angaben möglich. Änderungen in Technik, Ausstattung, Preis und Zubehörangebot sind vorbehalten. Bitte setzen Sie sich mit Ihrem Ansprechpartner vor Ort in Verbindung, um zu erfahren, ob das Produkt in Ihrem Land verfügbar ist.
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