TRUMPF雷射放大器

透過雷射脈衝為未來生產微晶片奠定基礎。

獲取聯繫方式

EUV 微影技術是數位時代的推動者

EUV光刻是未來微晶片製造方法中的翹楚。多年來，半導體產業一直在尋找符合成本效益並且能批量處理的方法，以便藉此曝光矽晶圓上的更小結構。ASML、Zeiss與TRUMPF合作開發了一項技術，用以獲得波長為13.5奈米的工業用極紫外光 (EUV)：在真空室內，液滴發生器每秒發射50,000個錫液滴。每一個液滴被50,000個雷射脈衝中的一個擊中並變為電漿。由此產生EUV光，再透過反射鏡將其引到需要曝光的晶圓上。用於電漿輻射的雷射脈衝來自TRUMPF開發的脈衝式CO₂雷射系統——TRUMPF雷射放大器。

從幾瓦到40千瓦

TRUMPF雷射放大器將雷射脈衝連續放大10,000倍以上。

高效且流程安全

透過發出預脈衝與主脈衝可將雷射放大器的全部功率傳送至錫液滴。

CO₂雷射器的新應用

處於連續波運行的CO2雷射器是高性能雷射系統的基礎。TRUMPF以此創造了一項新的技術應用。

龐大的專家網路

經過多年的密切合作，TRUMPF、ASML和ZEISS使EUV技術達到工業規模的成熟水準。

零件

… 包含雷射放大器。

公尺

... 電纜安裝於系統內。

公斤

... 爲總重量。

TRUMPF雷射放大器的核心元件

高功率種子模組 (HPSM)

高功率種子模組 (HPSM) 包括兩個產生幾瓦輸出脈衝的種子雷射器，以及使雷射束成型並確保最佳脈衝寬度的眾多有源和無源光學元件。利用第一個放大器將光預放大到100 W的數量級。透過保護機制最佳保護種子雷射器免受背反射光影響，因此系統整體的穩定性顯著提高，可達到所需的恒定EUV功率。

高功率放大鏈路 (HPAC)

高功率放大鏈路 (HPAC) 由用於提高功率並透過射束傳導元件相互連接的四個諧振器組成。每個諧振器已優化至相應放大級（如鼓風機、射頻激勵、氣體混合、射束傳導）。三個不同冷卻循環迴路保證系統內的必要穩定性。短脈衝確保兆瓦級的極高峰值輸出功率。廣泛的線上計量技術為持續測量光束奠定基礎。

射束傳輸系統 (BTS)

射束傳輸系統 (BTS) 由安裝板、寬角透鏡與反射鏡組成，可以朝微滴腔室方向傳輸雷射束長達30米。原則上，系統在高功率負荷下的機械穩定性以及射束傳導裝置的密封性對低吸收和低污染起決定性作用。反射鏡塗有特殊塗層，以便盡可能減少對雷射光的吸收。

光學平台 FFA (Final Focusing Assembly)

FFA由兩個設備組件構成：光學平台與聚焦單元。為了產生理想的電漿閃光，雷射脈衝必須幾乎完全擊中錫液滴。但錫液滴小於雷射束的直徑，因此在光學平台上分離預脈衝與主脈衝並使其成型以產生最佳的EUV光。預脈衝先以較低的脈衝功率擊中錫液滴，使得液滴膨脹為圓盤形，從而增大面積。隨後而來的主脈衝被產生的液膜所吸收並形成真正的電漿，其產生EUV輻射。透過這種方式可高效利用 40 千瓦的雷射功率，並確保妥善形成用於曝光的電漿閃光。聚焦單元使雷射光最佳聚焦於錫液滴。