光束輪廓
單模VCSEL的遠場密度分佈完全符合高斯模式
單模VCSEL
由於光學特性經過改良，單模VCSEL成為高要求感應系統應用的理想選擇。創新型晶片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時偏振實現線性穩定。
高斯模式光束輪廓
絕對對稱的高斯模式光束輪廓明顯簡化應用光學設計。
小光束發散角
張角的範圍為 20°（1/e2）或更小，可重複再現，簡化了射束傳導。
窄光譜寬度
由於雷射線的光譜寬度通常為100 MHz，此類雷射器專為光譜應用而設計。
低能量消耗
能量消耗僅為數毫瓦，因此可採用電池工作模式實現移動應用。
用於高精度定位的光學編碼器
單模VCSEL具有高斯模式光束輪廓、低能量消耗、長相干長度與出色可靠性等特點，因此非常適合光學編碼器應用。
FTIR（Fourier-transform infrared spectroscopy，傅里葉轉換紅外光譜）
憑藉放射波長的低溫度依賴性 (0.06 nm/K) 與通常為100MHz的窄帶光譜發射，溫度穩定型單模VCSEL特別適合用作FTIR光譜儀的波長基準。
氧氣感應器
單模VCSEL非常適合TDLAS（Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy，可調諧二極體雷射吸收光譜）應用。TDLAS系統得益於具有TEC的單模VCSEL所提供的較窄線寬和精細可控。
高精度深度感應系統
單模VCSEL陣列非常適合高精度ToF（Time-of-Flight，飛行時間）應用。使用單模VCSEL陣列可以進行幾米到0 mm範圍內的線性深度量測。
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TVT-006-850-A（850 nm 晶片）
產品對比
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TVT-007-940-B（具有高斯模式光束輪廓的 VCSEL 陣列）
產品對比
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TVP-001-850-A (ViP)
產品對比
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TTO-002-xxx-A（TO工藝包）
產品對比
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|---|---|---|---|---|
| 雷射參數 | ||||
| 雷射類型 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 |
| 波長 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 輸出功率（最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 輸出功率（最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| 區域的數量 | 1 個 | 12 個 | 2 個 | 1 個 |
| 斜度效率（室溫下） | 0.5 - 1 W/A | 0.9 W/A | - | - |
| 雷射等級 | 3B | 3B | 3B | 3B |
| 雷射加工單元 | ||||
| 光學元件 | - | - | 帶偏振光控制 | 帶內置加工頭的 TO 工藝包 |
| 電流 | ||||
| 電流電壓（在 25 mA 和室溫下） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 閾值電流（室溫下） | 2 mA | 3.6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| 尺寸 | ||||
| 量測尺寸：寬度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 量測尺寸：高度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 量測尺寸：深度 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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TVT-006-850-A（850 nm 晶片）
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TVT-007-940-B（具有高斯模式光束輪廓的 VCSEL 陣列）
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TVP-001-850-A (ViP)
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TTO-002-xxx-A（TO工藝包）
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|---|---|---|---|---|
| 雷射參數 | ||||
| 雷射類型 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 | Single 模式 |
| 波長 | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
| 輸出功率（最小） | 2 mW | 13.5 mW | 0.3 mW | - |
| 輸出功率（最大） | 2.5 mW | 25 mW | 0.75 mW | - |
| 區域的數量 | 1 個 | 12 個 | 2 個 | 1 個 |
| 斜度效率（室溫下） | 0.5 - 1 W/A | 0.9 W/A | - | - |
| 雷射等級 | 3B | 3B | 3B | 3B |
| 雷射加工單元 | ||||
| 光學元件 | - | - | 帶偏振光控制 | 帶內置加工頭的 TO 工藝包 |
| 電流 | ||||
| 電流電壓（在 25 mA 和室溫下） | 2.6 V | 2.6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
| 閾值電流（室溫下） | 2 mA | 3.6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
| 尺寸 | ||||
| 量測尺寸：寬度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 量測尺寸：高度 | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
| 量測尺寸：深度 | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
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技術資料頁
所有產品種類的技術資料均可下載。
850 nm 晶片
850 nm 晶片不僅輸出高，還同時具備耗電量低的優點。該晶片適合大容量以及高集成的應用。雷射二極體將作為帶載晶片供貨。這一供貨方式要求採用自動拾取或貼片製程來加工雷射器二極體。
具有高斯模式光束輪廓的小型940 nm VCSEL陣列
用於高精度飛行時間感應器的12個發射器微型單模VCSEL陣列。具有高斯模式光束輪廓和超短上升及下降時間的VCSEL陣列。
850 nm ViP（集成有光電二極體的 VCSEL）
內置的 VCSEL 解決方案 ViP 裝備一個光電二極體，它直接內置於 VCSEL 內，用於接收和進一步處理反射信號。因此該專利解決方案還支持自混合干涉技術（簡稱：SMI）。SMI 是一種可靠的光學測量方法，廣泛應用於工業感應系統以及消費類電子產品。
760 nm – 766 nm VCSEL
每個配備單發射器的 VCSEL 均可提供 0.3 mW 的輸出。波長範圍在 760 nm 和 766 nm 之間的 VCSEL 適合用於氧氣測量和氣體感應系統。組件 TO 封裝以方便處理和整合。
TO 封裝
VCSEL 採用 TO 封裝外殼，方便處理雷射二極體，適合在嚴苛的環境條件下運行。此外還可進行燒機試驗，內置的穩壓二極體會降低ESD靈敏度。
TO，帶 TEC
對於需要大溫度視窗或者要求雷射二極體具備光譜穩定性的應用，適宜採用內置 TEC 的 TO 封裝。帕爾帖組件允許藉助NTC電阻精確調節雷射溫度，外殼密封性則防止VCSEL發生冷凝。
偏振光控制
單模 VCSEL 具有穩定、先進的線性偏振，可為要求嚴苛的 3D 照明應用提高照明質量和解析度。
表面網格確保偏振光的穩定性，直接蝕刻在砷化鎵上。由於網格設計經過優化，帶偏振光 VCSEL 的功效與不帶偏振光的 VCSEL 相比幾乎可達 100%。TRUMPF 針對大批量應用開發出帶穩定偏振光的 VCSEL 專利技術。
也可選配雙重偏振，這樣一來就可將兩個偏振裝置整合在單個 VCSEL 之中。
TO 封裝
單模 VCSEL 採用 TO 封裝外殼，方便使用雷射二極體，適合在嚴苛的環境條件下運行。也可以為產品選裝調溫系統（TEC，熱敏電阻）。
集成光電二極體
集成有光電二極體（ViP）的 VCSEL 可捕獲反射訊號以做進一步處理。因此該專利解決方案還支持自混合干涉技術（簡稱：SMI）。SMI 是一種可靠的光學測量方法，被廣泛應用於工業感應系統以及消費類電子產品。
視國家而定，此產品分類與此説明 可能存在偏差。保留技術、裝備、價格與配件範圍方面的更改權利。 請與當地聯絡人取得聯繫，以便瞭解 您所在國家是否提供該產品。
連絡人
下載
单模 VCSEL 解决方案宣传单
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2 MB
General Terms and Conditions TRUMPF Photonic Components
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280 KB
規格資料表：具有高斯模式光束輪廓的小型940 nm VCSEL陣列
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258 KB
規格資料表：ViP（集成有光電二極體的 VCSEL）
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280 KB
資料表，850 nm 單模且偏振穩定的 VCSEL
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528 KB
資料表，用於氧氣測量的 760 nm VCSEL 資料表
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434 KB
資料表，用於氧氣測量的 763 nm VCSEL 資料表
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434 KB
ViP白皮書
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1 MB