El Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition (MOCVD) es un proceso muy complejo para el crecimiento de capas cristalinas. El MOCVD se utiliza, por ejemplo, en la fabricación de diodos luminosos (LED), láseres, transistores, células solares y otros elementos de construcción electrónicos y optoelectrónicos y es la tecnología clave para futuros mercados con gran potencial de crecimiento. La TruHeat DC 3000 es la candidata perfecta para estas aplicaciones.

TRUMPF Hüttinger ofrece una amplia gama de fuentes de alimentación para procesos, circuitos exteriores, inductores y accesorios que ya se están utilizando con éxito para procesos de epitaxia y cultivo de cristales en varios líderes de las industria del SiC y el GaN.

This paper focuses on strategies to reduce operational and capital expenditures while improving quality in SiC/GaN production processes, and provides an in-depth look at various heating methods used in SiC/GaN manufacturing, including microwave, RF dielectric, DC resistive, and induction heating.