En este artículo se presentan dos características de las alimentaciones eléctricas bipolares: (i) una amplia gama de frecuencias de pulso de hasta 100 kHz y (ii) un tiempo de frenado adicional entre la semionda positiva y negativa de la forma de onda rectangular de corriente y tensión.

Desde la introducción de la pulverización catódica por magnetrón dual (DMS) para capas altamente aislantes, existe la posibilidad de elegir entre una alimentación eléctrica de impulsos de onda cuadrada o de onda sinusoidal.

Una medida contra las fluctuaciones rápidas en el rango de impedancia del plasma es la sintonización automática de frecuencia, en la que el generador RF ajusta su fundamental a un valor de frecuencia con mejor adaptación en un lapso de tiempo inferior a un milisegundo.

La pulverización catódica de corriente continua y de corriente continua por pulsos es una de las técnicas de pulverización catódica más utilizadas en el sector industrial. La introducción de la tecnología de corriente continua por pulsos permitió la producción en masa de recubrimientos fabricados a partir de compuestos no conductores producidos por pulverización catódica por magnetrón reactiva.

La pulverización catódica reactiva sigue siendo un método de gran éxito en la industria moderna para crear recubrimientos aislantes y recubrimiento duros. En comparación con la evaporación, la pulverización catódica ofrece las ventajas del recubrimiento asistido por iones, lo que lo hace atractivo para la industria a pesar de los significativos costes de instalación y electricidad.

La formación de arc durante la pulverización por magnetrón FM: Un problema bien conocido en la pulverización catódica por magnetrón reactiva es la formación de arc en los cátodos.

Este artículo analiza los efectos de las estructuras de combinación de potencia sobre el rendimiento térmico y de radio frecuencia de los amplificadores de radio frecuencia de alta potencia en condiciones de incongruencia. 

El High Power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS) es el último proceso PVD (Physical Vapor Deposition) disponible en la industria.

La Atomic Layer Deposition (ALD) es un proceso en el que se depositan diversos materiales en capa fina a partir de un conductor de línea de vapor. En varios ciclos de recubrimiento se forma una película muy fina de capas atómicas.

Uno de los materiales de resorción más interesantes para las células solares son los basados en seleniuro de cobre e indio (CIS), cuyas propiedades pueden modificarse sustituyendo parte del indio por galio para formar Cu(In,Ga)Se2, conocido como CIGS.

Las mejoras continuas en los procesos de fabricación de semiconductores son un requisito previo para garantizar una reducción constante del tamaño. A su vez, esto requiere generadores RF que ofrezcan una calidad de señal cada vez mayor en términos de potencia de salida y resolución temporal.