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Gerador GaN altamente eficiente e inovador na banda ISM de 2,45 GHz para aplicações de micro-ondas de alta tecnologia
Até o momento, o principal obstáculo e a maior desvantagem na industrialização dos processos de micro-ondas era a falta de "possibilidades". Até agora, apenas componentes de movimento mecânico, como placas giratórias, agitadores, etc., estavam disponíveis para influenciar a homogeneidade do processo de aquecimento e permitir uma distribuição de temperatura direcionada e um processo de aquecimento reproduzível.
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Enhancing SiC and GaN Production Efficiency with TRUMPF Huettinger Power Supplies
This paper focuses on strategies to reduce operational and capital expenditures while improving quality in SiC/GaN production processes, and provides an in-depth look at various heating methods used in SiC/GaN manufacturing, including microwave, RF dielectric, DC resistive, and induction heating.

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