優れたプロセス結果を保証
確実で信頼性の高い高周波RFジェネレータ: TruPlasma RF 3000シリーズの長所は、頑強な構造と高い効率です。そのため、フラットパネルディスプレイ、ソーラーセルまたは半導体の製造などで使用される、安定した再現性のあるプラズマプロセスに最適です。世界中の何千というアプリケーションに設置されたこのジェネレータは、高い生産性と卓越したプロセス結果を保証します。
最大80 %の効率により、エネルギー費用を最大50 %まで削減可能。
要求が高く新しいプロセスでも安全に制御
CombineLineテクノロジー: 誤調整時の反射電力に対する信頼性の高い保護。
連続出力あるいはパルス出力に対応するため、多様に使用可能
エッチング/コーティングプロセス
TruPlasma RF 3000シリーズの高周波ジェネレータは、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、ALDやPECVDなどのエッチング及びコーティングプロセスに特に適しています。
金属ワークピースへのコーティングに最適
プラズマプロセスにより、物体の表面での材料の蒸着と剥離を行うことができます。その例として、金属ワークピースへの摩耗保護層のコーティング、プラズマエッチングによる電子部品の構造化やフォトレジストプラズマアッシングなどがあります。
フラットパネルディスプレイとソーラーセルのコーティング
TruPlasma RF 3000シリーズの高周波ジェネレータは、RIE、ALD、PECVD、RFスパッタリングなどのプラズマプロセスに最適です。これらの手法は、半導体部品および微小電気機械システム (MEMS) の製造、ならびにフラットパネルディスプレイ及びソーラーセルのコーティングなどで利用されます。
TruPlasma RF 3012
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TruPlasma RF 3020
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TruPlasma RF 3024
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|---|---|---|---|
| 高周波出力 | |||
| 出力 | 12 kW | 20 kW | 24 kW |
| 定格出力 | 12 kW | 20 kW | 24 kW |
| 定格負荷のインピーダンス | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω |
| 出力周波数 | 13.56 MHz | 13.56 MHz | 13.56 MHz |
| 電源接続データ | |||
| 供給電圧 | 400 - 480 V | 400 - 480 V | 400 - 480 V |
| 電源周波数 | 50-60 Hz | 50-60 Hz | 50-60 Hz |
| 電源入力電力 | 16.6 kVA | 28.1 kVA | 33.3 kVA |
| 出力係数 | 0.93 | 0.93 | 0.93 |
| 通信インターフェース | |||
| 同期インターフェース | はい | はい | はい |
| アナログ/デジタル | はい | はい | はい |
| RS 232 / RS 485 | はい | はい | はい |
| PROFIBUS | はい | はい | はい |
| EtherCAT | はい | はい | はい |
| DeviceNet | はい | はい | はい |
| ハウジング | |||
| 重量 | 57 kg | 117 kg | 117 kg |
| 保護タイプ IP | 20 | 20 | 20 |
| 冷却要件 | |||
| 最大水圧 | 7 bar | 7 bar | 7 bar |
| 最小圧力差 | 2 bar | 2 bar | 2 bar |
| 最小流量 | 10 l/min | 20 l/min | 20 l/min |
| 冷媒温度 | 5 °C - 35 °C 1 | 5 °C - 35 °C | 5 °C - 35 °C 1 |
| 一般 | |||
| 全体効率 | 78 % | 75 % | 75 % |
| 証明書 / 標準 | SEMI F47、CE、RoHs | SEMI F47、CE、RoHs | SEMI F47、CE、RoHs |
| 環境条件 | |||
| 外部温度 | 5 °C - 40 °C | 5 °C - 40 °C | 5 °C - 40 °C |
| 湿度 | 5 % - 85 % | 5 % - 85 % | 5 % - 85 % |
| 気圧 | 79.5 kPa - 106 kPa | 79.5 kPa - 106 kPa | 79.5 kPa - 106 kPa |
ダウンロード形式で用意された全製品バリエーションの技術データ。
最高の効率とプロセス安定性
出力ロスの半減と、優れた効率による冷却水の使用量削減 – これにより運転コストが最小限に抑えられます。ジェネレータの構造は極めて頑強であるため、注意を要するプロセスにおいても長い運転時間が可能になり、その結果コーティング率が上昇します。真の50 Ω出力インピーダンスを実現するCombineLineテクノロジーにより、プラズマ変動を効果的に防止 – こうして完全に安定したプロセスが可能になります。
あらゆる状況下で確保できる安全性
強靭な構造により、プロセスにおける最大限の信頼性と生産性を実現します。100 %の不整合保護は、負荷状態が限界に近づいた場合でも確実な運転を保証します。連続的またはパルスから選択可能な出力放出により、幅広いプロセス要件に対応します。世界中で既に20,000以上のユニットが設置されており、この数を超えるプラズマ電力供給装置は他にはありません。
TRUMPF SystemPort
SystemPortは、マッチボックスの入力/出力で直接RF信号を測定することにより、クローズドループ制御を可能にします。高周波RFジェネレータに、全ての測定値が提供されます。これによりプロセスパラメータの監視が改善され、マッチボックスの保護及び早期アーク検出を保証することができます。つまり、RFシステム全体を単一のジェネレータインタフェースで制御することができます。
様々なオプションにより、高周波RFジェネレータをご自分のアプリケーションに合わせて最適にカスタマイズできます。
熟考されたアーク管理は、最高のプラズマプロセス制御には理想的なモジュールです。狙いを定めたアーク検出は、最大限に可能な生産性を保証すると同時に、製品と設備を保護します。
TruControl Power
使いやすい制御ソフトウェアTruControl Powerにより、快適に運転開始を行い、高周波RFジェネレータもしくはTRUMPF RFシステム全体を、プロセスの進行中に確実に監視することが可能になります。
TRUMPF RFシステムの全コンポーネントは、最適に相互調整されています。
TruPlasma Matchのマッチング回路により、ジェネレータからプラズマ放電への最適な出力伝達が保証されます。マッチボックスの動作は独立して実現するか、またはいわゆるSystemPortと呼ばれるインテリジェントなジェネレータマッチボックス接続ポートを介して実現することができます。
マスターオシレータを使用することで、極めて重要な同期プラズマプロセスを安定させて、最適化することができます。統合されたデジタル周波数シンセサイザおよび位相シンセサイザにより、高い周波数と相の安定性が実現され、極小単位で相状態を設定することが可能になります。周波数13.56 MHzならびに異なる周波数組み合わせに対応する、様々な仕様のマスターオシレータからお選びいただけます。
高周波スイッチにより、シーケンスプロセスへの、または複数の供給点を持つシステムへの電力供給など、複数のプラズマプロセスステーションで高周波RFジェネレータを多重使用できるようになります。高周波スイッチは、2、3または4点の出力を搭載した2種類の出力クラスで提供されています。
TRUMPF Hüttingerでは、高周波出力伝達のために、50 Ωシステムでの運転専用に設計された同軸ケーブルを提供しています。
完璧に相互調整されたジェネレータとマッチボックス
プラズマプロセスは、複雑な変動性負荷のような挙動を示し、ジェネレータからの継続的な電力供給を必要とします。この役割を担うアクティブな調整ネットワーク、いわゆるマッチボックスにより、50 Ωの最適なインピーダンスへの正確な調整が常に保証されます。こうして、完璧に相互調整されたシステムソリューションであるTRUMPF RFシステムが実現されます。EtherCATなど様々なインタフェースを介して、ジェネレータとマッチボックスを既存のプロセス環境に極めて容易に統合することができます。いわゆるSzstemPortと呼ばれるインテリジェントなジェネレータマッチボックス接続ポートにより、最適化されたシステムソリューションが可能になります。
国によっては、この製品ラインナップと製品情報が異なる場合があります。技術、装備、価格及び提供アクセサリーは変更されることがあります。 現地担当者に問い合わせて、国内で製品を入手できるかどうかを確認してください。
脚注- 結露を防止するため、冷却水の温度は室温の露点を超えてはいけません。
