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TRUMPF Laser Amplifier для производства высокопроизводительных микросхем
Углекислотный лазер

TRUMPF Laser Amplifier

Посредством лазерных импульсов создает основу для изготовления микросхем.

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Фотолитография в глубоком ультрафиолете как фактор перехода в цифровую эпоху

Die EUV-Lithografie gewinnt das Rennen um die Herstellungsmethode künftiger Mikrochips. Viele Jahre hat die Halbleiterindustrie nach einem kosteneffizienten und massenfähigen Verfahren gesucht, mit dem noch kleinere Strukturen auf Silizium-Wafern belichtet werden können. Partnerschaftlich haben ASML, Zeiss und TRUMPF eine Technologie entwickelt, extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für den industriellen Gebrauch zu gewinnen: In einer Vakuumkammer schießt ein Tröpfchengenerator 50.000 kleinste Zinntropfen pro Sekunde. Jeder dieser Tropfen wird durch einen der 50.000 Laserpulse getroffen und verwandelt diesen in Plasma. Dadurch entsteht EUV-Licht, das per Spiegel auf die zu belichtenden Wafer gelenkt wird. Den Laserpuls für die Plasmaabstrahlung liefert ein von TRUMPF entwickeltes, pulsfähiges CO2-Lasersystem - der TRUMPF Laser Amplifier.

Von wenigen Watt auf 40 Kilowatt

Der TRUMPF Laser Amplifier verstärkt einen Laserpuls sequentiell um mehr als das 10.000-fache.

Effizient und prozesssicher

Durch Aussendung eines Vor- und eines Hauptpuls kann die vollständige Leistung des Laser Amplifiers auf den Zinntropfen übertragen werden.

Neue Anwendung für CO2-Laser

Basis des Hochleistungslasersystems ist ein CO2-Laser im cw-Betrieb. Damit schafft TRUMPF eine neue Anwendung für die Technologie.

Großes Netzwerk aus Spezialisten

In jahrelanger, enger Zusammenarbeit haben TRUMPF, ASML und ZEISS die EUV-Technologie zur Industriereife gebracht.

Teile

… enthält ein Laser Amplifier.

Meter

... Kabel sind im System verbaut.

Kilo

... beträgt das Gesamtgewicht.

Zentrale Komponenten des TRUMPF Laser Amplifiers

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