新型、模組化、可擴展：TRUMPF Hüttinger的新款產生器平臺
TruPlasma VHF 3000系列產生器基於創新型平臺理念，可實現極高的功率密度並且滿足最苛刻的製程要求。模組化純水冷卻結構允許輸出功率最高擴展到80kW；此外，精巧型VHF產生器的高經濟性和穩健設計同樣令人信服。
這為當前的單級和多級脈衝提供了最佳的等離子體處理控制。
這意味著可以非常靈活地控制發電機點火行為。
自動頻率調諧實現發電機與抗阻變電箱之間的最佳協作。
由於高精度的數字頻率調製，出色的，可重複的處理結果。
當處理過程發生變化時，無需調整高頻電纜長度，從而縮短裝備時間。
得益於CombineLine技術，即使在失調情況下，發電機功能依舊可靠。
太陽能電池製造
在太陽能產業中，客製化製程電源有諸多應用領域。在此使用不同等離子體工藝來塗敷與去除材料，例如濺射、PECVD及刻蝕工藝。TruPlasma VHF 3000系列發生器可最佳適配相應工藝，同時快速電弧管理實現穩定控制等離子體。從而確保出色的工藝結果和卓越的生產效率。
半導體製造
在半導體製造中使用不同等離子體工藝，包括透過幹法刻蝕的材料去除工藝和用於製備純矽的區熔法。TruPlasma VHF 3000系列發生器為穩定的、最佳適配相應工藝的電源提供一切前提條件，以取得出色的可再現結果。
純平顯示幕塗層的理想之選
TruPlasma VHF 3000系列發電機理想適用於如RIE（反應離子刻蝕）、ALD（原子層沉積）、PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）和射頻濺鍍法等等離子體工藝流程。這些工藝主要應用於製造半導體元件和微機械系統 (MEMS) 以及平板顯示器和太陽能電池的塗層。
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Truplasma VHF 1000-2.5/60
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TruPlasma VHF 3000-5/40
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TruPlasma VHF 3000-10/40
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|---|---|---|---|
| RF 輸出口 | |||
| 輸出功率 | 2.5 kW | 5 kW | 10 kW |
| 標稱功率 | 2.5 kW | 5 kW | 10 kW |
| 額定負載阻抗 | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω |
| 輸出頻率 | 60 MHz | 40.68 MHz | 40.68 MHz |
| 電源連接資料 | |||
| 電源電壓 | 200 - 480 V | 200 - 480 V | 200 - 480 V |
| 電源頻率 | 50-60 Hz | 50-60 Hz | 50-60 Hz |
| 電源輸入功率 | 4 kVA | 9.3 kVA | 18.6 kVA |
| 功率因數 | 0.95 | 0.95 | 0.95 |
| 通訊介面 | |||
| 同步介面 | 是 | 是 | 是 |
| 類比／數位 | 是 | 是 | 是 |
| RS 232 / RS 485 | 是 | 是 | 是 |
| PROFIBUS | 否 | 否 | 否 |
| EtherCAT | 是 | 是 | 是 |
| DeviceNet | 是 | 是 | 是 |
| 外殼 | |||
| 重量 | 23 kg | 32 kg | 53 kg |
| 防護等級 IP | 30 | 30 | 30 |
| 冷卻器條件 | |||
| 最大水壓 | 7 bar | 7 bar | 7 bar |
| 最小壓力差 | 2 bar | 2 bar | 2 bar |
| 最小流量 | 8 l/min | 8 l/min | 10 l/min |
| 冷卻介質溫度 | 5 °C - 35 °C | 5 °C - 35 °C 1 | 5 °C - 35 °C |
| 概覽 | |||
| 總功率 | 70 % | 70 % | 70 % |
| 證書 / 標準 | Semi S2, SEMI F47,UL, CE, RoHs | Semi S2，SEMI F47，UL，CE，RoHs | Semi S2, SEMI F47,UL, CE, RoHs |
| 環境條件 | |||
| 外部溫度 | 5 °C - 40 °C | 5 °C - 40 °C | 5 °C - 40 °C |
| 空氣溼度 | 5 % - 85 % | 5 % - 85 % | 5 % - 85 % |
| 氣壓 | 79.5 kPa - 106 kPa | 79.5 kPa - 106 kPa | 79.5 kPa - 106 kPa |
所有產品種類的技術資料均可下載。
靈活適配工藝
TruPlasma VHF 3000系列的模組化平臺允許輸出功率最高擴展到80 kW；得益於所實施的CombineLine技術，發生器在失調情況下仍然非常穩健。非常寬泛的頻率範圍以及可變電源電壓和電纜長度實現靈活適配不同應用與使用國。
極高的效率與經濟性
TruPlasma VHF 3000系列的高頻發生器完全採用最先進半導體技術利用LDMOS功率電晶體構建。高度整合化的平面構建技術在提高能量效率並相應降低冷卻功率的同時，還實現了極高的功率密度。因此，此產品系列提供此頻率範圍內前所未有的經濟性，縮減市場中的常見運行成本。
TRUMPF SystemPort
SystemPort透過直接量測抗阻變電箱輸入端和輸出端上的RF信號，形成閉環控制回路。RF發電機可使用所有量測值。由此實現更好的工藝流程參數監測，保護抗阻變電箱並確保及早識別電弧。可透過單一的發電機介面控制整個RF系統。
不同選項使VHF發生器以最佳方式適配您的應用。
已獲專利的自動頻率調諧解決方案能夠快速同步適配頻率，確保發電機與抗阻變電箱之間的最佳協作。憑藉此項已獲專利的技術，局部最小化已非阻礙：RF系統達到最佳狀態，從而實現最佳工藝流程結果和高度可重複性。
精湛的電弧管理是適用於最佳等離子體工藝流程控制的理想模組。有針對性的電弧識別確保最高生產效率，同時保護產品與設備。
靈活的脈衝波形：輸出信號的波形可任意適配相應工藝要求。
TruControl Power
易於操作的控制軟體TruControl Power實現在工藝運行中便捷調試和可靠監控高頻發生器或整個TRUMPF RF系統。
透過選取適當的系統元件，可讓VHF發生器以最佳方式適配您的應用要求。
TruPlasma Match抗阻適配網路確保從發電機至等離子體放電裝置的最佳功率傳輸。抗阻變電箱可獨立運行或經由發電機與抗阻變電箱的智慧連接（即所謂的SystemPort）實現運行。
其由水管連接適配器、HARTING AC供電套件、聯鎖功能跨接器、LEMO EPL轉BNC母頭適配器（用於時鐘脈衝同步插頭）構成。
憑藉主振盪器可穩定和優化關鍵的同步等離子體過程。整合式數位頻率與相位合成器確保高頻率與相位穩定性，可以實現按照極小的步幅調整相位。可選擇用於13.56 MHz頻率以及各種頻率組合的不同規格主振盪器。
高頻轉換器允許在不同等離子體進程工站多次使用高頻發生器，例如用於給連續過程或具有不同饋電點的系統供電。提供兩種功率級別以及具有2、3 或 4個輸出端的不同高頻轉換器。
為實現高頻功率傳輸，TRUMPF Hüttinger提供專門設計用於在50歐姆系統下工作的同軸電纜。
彼此完美協調：TRUMPF RF系統
等離子體工藝就像一個複雜可變的負載，必須由發生器為其不斷供電。這項工作由有源適配網絡（所謂的阻抗適配箱）來完成，確保隨時精確適配50 Ω的最佳阻抗。由此形成相互完美協調的系統解決方案——TRUMPF RF系統。透過不同介面（如EtherCAT）可十分輕鬆地將發電機和抗阻變電箱整合至現有工藝環境之中，並透過發電機與抗阻變電箱的智慧連接（即所謂的SystemPort）形成經優化的系統解決方案。
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注脚-
冷卻水溫度必須超過室溫的露點，以避免產生冷凝。
