Selectare țară/regiune și limbă
Architekturglas
Architekturglas
Durch Zerstäubung Neues schaffen

Pulverizare pasivă (procedeu PVD)

Inovare prin atomizare

Tehnologia de depunere fizică sub formă de vapori (Physical Vapor Deposition - PVD) permite aplicarea unor straturi subțiri de dimensiuni micrometrice pe materiale de calitate diversă. În cadrul acestui proces, are loc vaporizarea fizică în vid a unui bloc de material, constând din materialul de acoperire care trebuie aplicat. Particulele atomice din amestecul de gaz rezultat se depun pe substrat. În cazul proceselor PVD asistate de plasmă, are loc pulverizarea unui catod prin bombardare cu ioni. Acest așa-numit procedeu de atomizare are loc la temperatura camerei. Procesul PVD cuprinde trei faze: atomizare, difuzie și dezvoltarea stratului.

Plasmabeschichtung

Sputtern

Sputtern - besonders das Magnetronsputtern - ist die mengenmäßig bedeutendste Methode der industriellen Plasmabeschichtung. Die Sputtertechnik beruht auf dem Phänomen der Kathodenzerstäubung, einem grundlegenden Phänomen in elektrisch angeregten Plasmen: Der positive Ionenstrom im Plasma trifft auf die Kathode und schlägt dort Material heraus.

Üblicherweise wird als Kathode ein Magnetron verwendet welches das Plasma vor der Kathode konzentriert und damit die höchsten Sputterraten bzw. Beschichtungsraten auf dem Substrat ermöglicht.

Da das Substrat auch einem gewissen energetischen Einfluss der Ionen ausgesetzt ist, können durch Magnetronsputtern im Gegensatz zur thermischen Verdampfung sehr dichte und feinkörnige Schichten erreicht werden.

Zum Sputtern werden in der Regel leitfähige Targets (Materialvorrat auf der Kathode) verwendet. Damit eignen sich besonders Metalle und leitfähige Keramiken. Diese können in einem Edelgas gesputtert werden, so dass die Zusammensetzung der Schicht dem Target entspricht. Beim Reaktivsputtern werden durch Zusatz von Sauerstoff oder Stickstoff als Reaktivgas auch isolierende Oxide oder Nitride beschichtet. Diese haben zahlreiche Anwendungen als dielektrische transparente Schutzschichten.

Zum Sputtern von einem einzelnen Target werden Gleichstrom-Generatoren eingesetzt, die, je nach Prozess auch gepulst betrieben werden. Zum Sputtern isolierender Schichten wird in der Regel das Dual-Magnetronsputtern eingesetzt, bei dem mit einer Wechselstromversorgung zwei Magentrons im Wechsel gegeneinander betrieben werden, so dass sich keine isolierende Schicht auf der Anode ablagert. Spezielle Generatoren hierfür sind MF-Generatoren oder Bipolargeneratoren.

Bei Sputter-Pllasmen kommt es häufig vor, dass in der Glimmentladung ein lokaler Lichtbogen, auch Arc genannt, zündet.  Generatoren für Sputterprozesse müssen mit einer geeigneten Vorrichtung zum Arc Management ausgestattet sein.

High power impulse sputtering (HiPIMS)

Das Hochleistungs-Impulssputtern, bekannt als HiPIMS (High impulse magnetron sputtering) gewinnt bei der Herstellung von Hartstoff- und Verschleißschutzschichten zunehmend Interesse, denn die Anforderungen an die Schichtqualität sind besonders hoch. Hierfür werden spezielle Puls-Stromversorgungen benötigt, die ihre Leistung in sehr kurzen und energiereichen Pulsen mit einer typischen Dauer unter 100µs und einer Wiederholrate im 100 Hz-Bereich abgeben.

Die HiPIMS-Generatoren müssen außer dem Pulsbetrieb auch die Anforderung an alle Plasma-Stromversorgungen erfüllen: Prozessangepasste präzise Regelung des Ausgangs und ein schnelles Arc-Management.

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Die Chemical Vapor Deposition, auch CVD-Technologie genannt, bringt dünnste Schichten auf Materialien unterschiedlichster Qualitäten auf. Dabei wird aus gasförmigen Stoffen auf thermischem Weg ein festes Beschichtungsmaterial erzeugt, welches sich auf dem Substrat als kristalline oder amorphe Schicht absetzt.

In der herkömmlichen thermischen Beschichtung spaltet sich das Prozessgas erst an der erhitzten Substratoberfläche in seine Reaktionsprodukte auf. Bei der plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung (PECVD - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) findet diese Reaktion schon durch elektrische Ionisation in der Gasphase statt.

Die wesentlich niedrigeren Temperaturen sind ein großer Vorteil von PECVD, denn nur damit können temperaturempfindliche Substratwerkstoffe wie Kunststoff eingesetzt werden.

PECVD ist damit ein vielseitiges Verfahren in der Fertigung mikroelektronischer Bauelemente, Flachbildschirmen, Solarmodulen und optischer Komponenten. Es können metallene, halbleitende, oder isolierende Schichten aufgetragen werden. Auch komplexe Schichtsysteme sind realisierbar.

Carte albă

Am pregătit pentru dumneavoastră câteva cărți albe interesante pe următoarele subiecte

PDF - 715 KB
Forma este cea care contează: pulverizarea bipolară
În acest articol sunt prezentate două caracteristici ale alimentărilor cu tensiune bipolare: (i) o gamă largă de frecvențe de impulsuri de până la 100 kHz și (ii) un timp de frânare suplimentar între jumătatea de undă pozitivă și cea negativă a formei de undă dreptunghiulare a curentului și tensiunii.
PDF - 941 KB
Sinusoidal sau dreptunghiular
De la introducerea pulverizării magnetronice duale (DMS) pentru straturile cu grad ridicat de izolare, a existat posibilitatea de a selecta între alimentarea cu tensiune cu impulsuri cu undă pătrată și cea cu undă sinusoidală.
PDF - 567 KB
Auto Frequency Tuning
O contramăsură împotriva fluctuațiilor rapide în gama de impedanță a plasmei este adaptarea automată a frecvenței, în care generatorul de radiofrecvență își ajustează oscilația fundamentală la o valoare de frecvență cu o mai bună potrivire într-un interval de timp mai mic de o milisecundă.
PDF - 2 MB
Noua tehnologie CC cu impulsuri
Pulverizarea în CC și în CC cu impulsuri este una dintre cele mai frecvent utilizate tehnici de pulverizare în domeniul industrial. Introducerea tehnologiei curentului continuu cu impulsuri a permis producerea în masă a straturilor de acoperire din compuși neconductori produși prin pulverizare magnetronică reactivă.
PDF - 1 MB
Mod de tranziție cu reglare a tensiunii
Pulverizarea reactivă este o metodă de succes pe scară largă în industria modernă pentru producerea straturilor de acoperire izolatoare și a acoperirilor dure. Comparativ cu vaporizarea, pulverizarea oferă avantajele unui strat de acoperire cu asistare ionică, ceea ce o face atractivă pentru industrie, în ciuda costurilor considerabile ale instalațiilor și ale energiei electrice.
PDF - 2 MB
Administrarea arcului
Formarea de arcuri în timpul pulverizării magnetronice MF: O problemă cunoscută în cazul pulverizării magnetronice reactive este formarea arcului electric la catozi.
PDF - 864 KB
LDMOS
Această lucrare analizează efectele structurilor de combinare a puterii asupra performanțelor RF și termice ale amplificatoarelor RF de mare putere în condiții de incongruență. 
PDF - 425 KB
HiPIMS - noi posibilități pentru industrie
HIPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) este cel mai recent proces PVD (Physical Vapour Deposition) disponibil în industrie.
PDF - 1 MB
Tehnologia PEALD, generator de semnal de frecvență radio și rețele de potrivire
Atomic Layer Deposition (ALD) este un proces prin care o varietate de materiale în strat subțire sunt depuse dintr-o fază de vapori. O peliculă foarte subțire de straturi atomice se formează în mai multe cicluri de acoperire.
PDF - 3 MB
Aplicarea pulverizării cu impulsuri de curent continuu
Unul dintre cele mai interesante materiale de resorbție pentru celulele solare sunt materialele pe bază de seleniură de cupru și indiu (CIS), ale căror proprietăți pot fi modificate prin înlocuirea unei părți din indiu cu galiu pentru a forma Cu(In,Ga)Se2, cunoscut sub numele de CIGS.
PDF - 2 MB
Precizie în prelucrare
Îmbunătățirile continue ale proceselor de fabricație a semiconductorilor sunt o condiție preliminară pentru a asigura o reducere constantă a dimensiunilor. Acest lucru, la rândul său, necesită generatoare RF care să ofere o calitate din ce în ce mai bună a semnalului în ceea ce privește puterea de ieșire și rezoluția în timp.
Contact
Dr. Jan Peter Engelstädter
Plasmă MF
E-mail
Service și contact