Selectare țară/regiune și limbă

Wirtschaftlich Oxide und Nitride erzeugen

Pulverizare reactivă

Producerea rentabilă a oxizilor și a nitrurilor

La fel ca în cazul pulverizării pasive (procedeu PVD), la pulverizarea reactivă, are loc atomizarea țintelor. Cu toate acestea, atomii care formează stratul pe substrat nu provin doar de la țintă. Cel puțin o componentă a stratului ulterior provine din faza gazoasă. Gazul reactiv, respectiv componentele sale ionizate reacționează chimic cu materialul țintă sau cu atomii pulverizați ai acestuia. Îmbinările rezultate se depun pe substrat. Astfel, se formează, de exemplu, oxid de zinc (ZnO), la pulverizarea reactivă a zincului într-o plasmă de oxigen sau nitrură de aluminiu (AIN), la pulverizarea aluminiului într-o plasmă de azot. În cazul în care reacția are loc la nivelul țintei, produsul de reacție este pulverizat.

Carte albă

Am pregătit pentru dumneavoastră câteva cărți albe interesante pe următoarele subiecte

PDF - 715 KB

Forma este cea care contează: pulverizarea bipolară

În acest articol sunt prezentate două caracteristici ale alimentărilor cu tensiune bipolare: (i) o gamă largă de frecvențe de impulsuri de până la 100 kHz și (ii) un timp de frânare suplimentar între jumătatea de undă pozitivă și cea negativă a formei de undă dreptunghiulare a curentului și tensiunii.

PDF - 941 KB

Sinusoidal sau dreptunghiular

De la introducerea pulverizării magnetronice duale (DMS) pentru straturile cu grad ridicat de izolare, a existat posibilitatea de a selecta între alimentarea cu tensiune cu impulsuri cu undă pătrată și cea cu undă sinusoidală.

PDF - 567 KB

Auto Frequency Tuning

O contramăsură împotriva fluctuațiilor rapide în gama de impedanță a plasmei este adaptarea automată a frecvenței, în care generatorul de radiofrecvență își ajustează oscilația fundamentală la o valoare de frecvență cu o mai bună potrivire într-un interval de timp mai mic de o milisecundă.

PDF - 2 MB

Noua tehnologie CC cu impulsuri

Pulverizarea în CC și în CC cu impulsuri este una dintre cele mai frecvent utilizate tehnici de pulverizare în domeniul industrial. Introducerea tehnologiei curentului continuu cu impulsuri a permis producerea în masă a straturilor de acoperire din compuși neconductori produși prin pulverizare magnetronică reactivă.

PDF - 1 MB

Mod de tranziție cu reglare a tensiunii

Pulverizarea reactivă este o metodă de succes pe scară largă în industria modernă pentru producerea straturilor de acoperire izolatoare și a acoperirilor dure. Comparativ cu vaporizarea, pulverizarea oferă avantajele unui strat de acoperire cu asistare ionică, ceea ce o face atractivă pentru industrie, în ciuda costurilor considerabile ale instalațiilor și ale energiei electrice.

PDF - 2 MB

Administrarea arcului

Formarea de arcuri în timpul pulverizării magnetronice MF: O problemă cunoscută în cazul pulverizării magnetronice reactive este formarea arcului electric la catozi.

PDF - 864 KB

LDMOS

Această lucrare analizează efectele structurilor de combinare a puterii asupra performanțelor RF și termice ale amplificatoarelor RF de mare putere în condiții de incongruență.

PDF - 425 KB

HiPIMS - noi posibilități pentru industrie

HIPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) este cel mai recent proces PVD (Physical Vapour Deposition) disponibil în industrie.

PDF - 1 MB

Tehnologia PEALD, generator de semnal de frecvență radio și rețele de potrivire

Atomic Layer Deposition (ALD) este un proces prin care o varietate de materiale în strat subțire sunt depuse dintr-o fază de vapori. O peliculă foarte subțire de straturi atomice se formează în mai multe cicluri de acoperire.

PDF - 3 MB

Aplicarea pulverizării cu impulsuri de curent continuu

Unul dintre cele mai interesante materiale de resorbție pentru celulele solare sunt materialele pe bază de seleniură de cupru și indiu (CIS), ale căror proprietăți pot fi modificate prin înlocuirea unei părți din indiu cu galiu pentru a forma Cu(In,Ga)Se2, cunoscut sub numele de CIGS.

PDF - 2 MB

Precizie în prelucrare

Îmbunătățirile continue ale proceselor de fabricație a semiconductorilor sunt o condiție preliminară pentru a asigura o reducere constantă a dimensiunilor. Acest lucru, la rândul său, necesită generatoare RF care să ofere o calitate din ce în ce mai bună a semnalului în ceea ce privește puterea de ieșire și rezoluția în timp.

Contact

Dr. Jan Peter Engelstädter

Plasmă MF

E-mail

Service și contact