新款高頻發生器
表面的塗層或結構化的關鍵在於穩定和可重複的等離子體電源。採用現代電力電子技術的TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器為此提供最佳前提條件：得益於其穩定的輸出功率與高調節精度，實現高生產效率的同時可確保最佳結果。
CombineLine技術：憑藉50歐姆的真實輸出阻抗獲得最佳工藝流程功率。
無需適配電纜長度——高頻範圍內絕無僅有的創舉！
CombineLine技術：失調情況下可靠避免反射功率影響。
能量轉換率高達80 %，因此與市場標準相比可將您的能源成本降低最多50 %。
外界空氣既不會升溫也不會受到污染，因此可實現無塵室內運行。
純平顯示幕鍍膜的理想之選
TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列高頻發生器理想適用於RIE（反應離子刻蝕）、ALD（原子層沉積）、PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）和射頻濺鍍法等等離子體工藝流程。這些工藝主要應用於製造半導體元件和微機械系統 (MEMS) 以及平板顯示器和太陽能電池的塗層。
典型應用領域：太陽能行業
TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列的典型應用領域是太陽能行業中要求嚴苛的PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）、刻蝕及高頻濺射等工藝。
半導體製造
在半導體製造中使用不同等離子體工藝，包括透過幹法刻蝕的材料去除工藝和用於製備純矽的區熔法。TruPlasma RF 1000 / 3000 (G2/13) 系列發生器為最佳適配相應工藝的穩定供電系統提供一切前提條件，從而取得出色的可再現結果。
優化適配您的進程
TruPlasma RF 1000 / 3000系列 (G2/13) 的智能即時適配確保阻抗快速直接適配50歐姆。透過已獲專利的CombineLine技術可靠防止等離子體波動和污染，而無風扇冷卻設計則降低故障率，提高效率，並實現無塵室內使用。
最高效率與靈活性
得益于高達80 %的能量轉換率，與常規發生器相比，可將您的能源成本降低最多50 %。眾多可用介面（可配置類比介面、RS 232/485、DeviceNet、PROFIBUS、EtherCAT）簡化現有設備中的整合，得益於內置的超寬範圍電源（200-480 VAC）無需技術適配。高功率密度的精巧結構形式（19英吋或½-19英吋插入式裝置）允許以節省空間的方式整合至任一生產設備中。
TRUMPF SystemPort
SystemPort透過直接量測阻抗適配箱輸入端和輸出端上的RF信號，形成閉環控制回路。RF發生器可使用所有量測值。由此實現更好的工藝流程參數監測，保護阻抗適配箱並確保及早識別電弧。可透過單一的發生器介面控制整個RF系統。
各種選項可以實現高頻發生器根據應用進行最佳適配。
已獲專利的自動頻率調諧解決方案能夠快速同步適配頻率，確保發生器與阻抗適配箱之間的最佳協作。憑藉此項已獲專利的技術，局部最小化已非阻礙：RF系統達到最佳狀態，從而實現最佳工藝流程結果和高度可重複性。
精湛的電弧管理是適用於最佳等離子體工藝流程控制的理想模組。有針對性的電弧識別確保最高生產效率，同時保護產品與設備。
TRUMPF RF系統的所有組件均彼此完美協調。
彼此完美協調：TRUMPF RF系統
等離子體工藝就像一個複雜可變的負載，必須由發生器為其不斷供電。這項工作由有源適配網絡（所謂的阻抗適配箱）來完成，確保隨時精確適配50 Ω的最佳阻抗。由此形成相互完美協調的系統解決方案——TRUMPF RF系統。透過不同介面（如EtherCAT）可十分輕鬆地將發生器和阻抗適配箱整合至現有工藝環境之中，並透過發生器與阻抗適配箱的智慧連接（即所謂的SystemPort）形成經優化的系統解決方案。
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