Semicon Japan: TRUMPF senkt mit Laser- und Plasmatechnologie die Fertigungskosten in der Chipindustrie

Ditzingen/Freiburg/Tokyo, 17. Dezember 2025 – Auf der Messe Semicon Japan 2025 zeigt das Hochtechnologieunternehmen TRUMPF, wie innovative Laser- und Plasmatechnologien die Produktionskosten senken, die Chipqualität verbessern und die Halbleiterindustrie fit für die Zukunft machen können. „Die Halbleiterindustrie wächst rasant und steht vor der Herausforderung, Effizienz, Präzision und Nachhaltigkeit zu vereinen. Auf der Semicon Japan 2025 zeigen wir, wie unsere Technologien und Dienstleistungen diese Anforderungen erfüllen. Unsere Technologien bilden die Grundlage für die Herstellung der neuesten Generation von Mikrochips, die beispielsweise für KI-Anwendungen benötigt werden“, sagt Michael Samtleben, Geschäftsführer von TRUMPF in Japan. Auf der Messe präsentiert das Hochtechnologieunternehmen ein kombiniertes Laser-Ätz-Verfahren für die neueste Generation von Mikrochips und eine neue Generation seiner Hochfrequenz-Stromversorgungen mit der TruPlasma RF Serie G3.

Laserverfahren ermöglicht kostengünstige Hochgeschwindigkeits-Chips

Advanced Packaging mit Glas ist eine zukunftsweisende Technologie für die Halbleiterindustrie. Glas ist deutlich günstiger als Silizium. Dadurch können Hersteller ihre Produktionskosten senken und leistungsstarke Endgeräte für Kunden deutlich erschwinglicher machen. Beim Advanced Packaging kombinieren Chiphersteller einzelne Chips auf Interposern, einer dünnen Zwischenschicht, die die einzelnen Chips elektrisch miteinander verbindet. Um Verbindungen auf dem Interposer herzustellen, müssen Chip-Hersteller Löcher in das Glas bohren, sogenannte Through-Glass-Vias (TGV). Oft müssen Hersteller Millionen von Löchern in eine Platte bohren, um die erforderlichen Verbindungen herzustellen. Hier kann die Lasertechnologie von TRUMPF eine wichtige Rolle spielen. Ein Ultrakurzpulslaser von TRUMPF kann die Struktur des Glases selektiv verändern, das anschließend mit einer Ätzlösung behandelt wird. Laser- und Ätzprozesse müssen perfekt aufeinander abgestimmt sein, um präzise Löcher zu erzeugen. TRUMPF hat bereits in einem Projekt mit der SCHMID Group, einem Spezialisten für Ätzprozesse in der Mikrochip-Fertigung, bewiesen, dass dies möglich ist.

Über die Lasertechnologie für das TGV-Bohren hinaus setzt TRUMPF auf sein fortschrittliches HiPIMS-Verfahren (High Power Impulse Magnetron Sputtering). Diese Technologie sorgt für eine extrem gleichmäßige Kupferbeschichtung entlang der Seitenwände der Bohrungen, was eine wichtige Voraussetzung für den anschließenden Volumenmetallisierungsprozess ist. Die TRUMPF Technologie liefert eine extrem hohe Ionisierungsenergie und erreicht fast die doppelte Abscheidungsrate anderer auf dem Markt erhältlicher HiPIMS-Produkte. Darüber hinaus erzielt sie eine hochleitfähige und dichtere Kupferbeschichtung, die derjenigen herkömmlicher DC-Sputterverfahren weit überlegen ist und sich somit ideal für TGV-Anwendungen eignet. In Kombination mit synchronisierter Bias-Technologie und einem vollständig integrierten TRUMPF System gewährleistet HiPIMS eine perfekte Kupferfüllung selbst bei Durchkontaktierungen mit extrem hoher Aspect Ratio. Die HiPIMS-TGV-Lösung von TRUMPF bietet eine hervorragende Abscheidungspräzision und eine hochgradig reproduzierbare Prozesssteuerung. Mit seiner umfangreichen Erfahrung in der Industrialisierung bei führenden Herstellern ist TRUMPF nicht nur technologisch eine Generation voraus, sondern setzt auch den Marktstandard für die TGV-Massenproduktion. Durch die Kombination von Laserbohren und HiPIMS-Beschichtung ebnet TRUMPF den Weg für kostengünstigere, leistungsfähigere Chips und setzt neue Maßstäbe im Bereich Advanced Packaging.

TRUMPF sorgt für präzisere Plasmaprozesse in der Chipfertigung

Mit der neuen TruPlasma RF Serie G3 können Mikrochip-Hersteller stabilere Plasmaprozesse erzielen, was die Produktionskosten senkt und die Chip-Qualität erhöht. Mit der TruPlasma RF Serie G3 können Anwender Chips effizienter herstellen. Beim Plasmaätzen misst das System beispielsweise kontinuierlich die Reaktion des Plasmas und passt die Energie in Echtzeit an. Dies gewährleistet stabile Fertigungsprozesse und eine gleichbleibende Schichtqualität über den gesamten Wafer.

Die modulare Plattform bietet Leistungsstufen von 2,5 bis 10 kW und lässt sich flexibel in bestehende Chipfertigungssysteme integrieren. Anwender können damit auch ältere Systeme problemlos aufrüsten. Gleichzeitig profitieren Chip-Hersteller von einer verbesserten Energieeffizienz. Die neue Generation der TruPlasma RF Serie G3 verbraucht 20 Prozent weniger Strom und erzeugt weniger Abwärme. Das senkt die Betriebskosten und schont die Umwelt.

TRUMPF erweitert Support für japanische Kunden

TRUMPF verstärkt seinen Support für japanische Kunden mit globalen Aktivitäten. Um den wachsenden Anforderungen gerecht zu werden, hat TRUMPF 2023 das Miyagi Technical Center in der Präfektur Miyagi eröffnet. Eine der größten Herausforderungen für viele japanische Unternehmen ist die Energieeffizienz: Der Einsatz modernster Technologien erfordert einen erheblichen Energieaufwand, während der Ausbau der bestehenden Energieinfrastruktur oft schwierig ist. „Wir verstehen die Anliegen unserer Kunden und sind bestrebt, Lösungen anzubieten, die Effizienz und Nachhaltigkeit vereinen“, sagt Michael Samtleben.

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