High-speed fotodioden
Dankzij onze jarenlange ervaring in de ontwikkeling en productie van PIN-dioden van 850 nm voldoen de highspeed fotodioden van TRUMPF aan de hoogste eisen op het gebied van prestaties, efficiëntie en betrouwbaarheid. Ze zijn verkrijgbaar voor datasnelheden tot 56 Gbps, als 1x1-chip of als 1x4-/1x12-array.
Profiteer van een hoge gevoeligheid en een lage donkerstroom.
Omvangrijke test- en kwalificatieprocedures garanderen de beste betrouwbaarheid.
Ontvangerelement voor transceivers, AOC en ingebouwde optische systemen
De bijpassende tegenhanger van onze Datacom VCSEL.
56G fotodiode
Deze PIN-fotodiode beschikt over een actief oppervlak met een diameter van 38 µm en is geschikt voor datasnelheden tot 56 Gbps PAM4.
25G fotodiode
Deze PIN-fotodiode heeft een actief oppervlak van 42 µm in diameter en is geschikt voor datasnelheden tot 25 Gbps.
14G fotodiode
Met een actief oppervlak van 55 µm in diameter is deze PIN-fotodiode geschikt voor datasnelheden tot 14 Gbps.
10G fotodiode
Deze PIN-fotodiode beschikt over een actief oppervlak van 70 µm in diameter en is geschikt voor datasnelheden tot 10 Gbps.
Afhankelijk van het land kunnen het productaanbod en deze gegevens afwijken. Wijzigingen in techniek, uitvoering, prijs en aanbod van accessoires voorbehouden. Neem contact op met uw contactpersoon ter plaatse om te vragen of het product in uw land verkrijgbaar is.
