Rozkład intensywności laserów jednomodowych VCSEL w polu dalekim idealnie pokrywa się z rozkładem Gaussa.
Jednomodowy VCSEL
Jednomodowe VCSEL są idealnym wyborem do wymagających zastosowań czujników dzięki ulepszonym właściwościom optycznym. Mody podłużne i poprzeczne wyższych rzędów są tłumione dzięki innowacyjnej budowie chipów. Polaryzacja jest liniowo stabilna.
Całkowicie symetryczny i zgodny z rozkładem Gaussa profil wiązki znacząco upraszcza optyczny projekt aplikacji.
Powtarzalny kąt dywergencji w zakresie 20° (1/e2), lub mniejszym, ułatwia prowadzenie wiązki.
Linia laserowa wynosząca typowo 100 MHz powoduje, że ten laser doskonale się nadaje do zastosowań w spektroskopii.
Pobór mocy elektrycznej mierzony w miliwatach umożliwia zasilanie bateryjne w zastosowaniach mobilnych.

Enkoder optyczny do bardzo precyzyjnego pozycjonowania
Lasery jednomodowe VCSEL dzięki swojemu profilowi wiązki zgodnemu z rozkładem Gaussa, niskiemu poborowi mocy, wysokiej długości koherencji oraz wyjątkowej niezawodności idealnie nadają się do zastosowania w enkoderach optycznych.

FTIR (Fourier-transform infrared spectroscopy)
Niska zależność temperaturowa długości fali emisji (0,06 nm/K) i wąskopasmowa emisja spektralna wynosząca typowo 100 MHz powoduje, że stabilne temperaturowo jednomodowe lasery VCSEL doskonale nadają się jako odniesienie długości fali w spektrometrach FTIR.

Czujniki tlenu
Jednomodowe VCSEL idealnie nadają się do zastosowań TDLAS (Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy). Systemy TDLAS korzystają z wąskich szerokości linii i delikatnej regulacji, którą oferuje Single-Mode VCSEL z TEC.

Bardzo precyzyjne czujniki głębokości
Jednomodowe matryce VCSE idealnie nadają się do bardzo precyzyjnych zastosowań ToF (Time-of-Flight). Liniowe pomiary głębokości w zakresie od wielu metrów aż do 0 mm można wykonać za pomocą jednomodowych matryc VCSEL.

Przemysłowe czujniki prędkości i odległości
Obudowy TO są wytrzymałe i nadają się do stosowania w środowiskach przemysłowych. Są one stosowane jako czujniki prędkości i odległości dla różnych materiałów, w tym materiałów wrażliwych, takich jak tkaniny.
TVT-006-850-A (chip 850 nm)
Porównaj produkt
|
TVT-007-940-B (VCSEL-Array z gaussowskim rozkładem wiązki)
Porównaj produkt
|
TVP-001-850-A (ViP)
Porównaj produkt
|
TTO-002-xxx-A (pakiet TO)
Porównaj produkt
|
|
---|---|---|---|---|
Parametry lasera | ||||
Rodzaj lasera | Tryb Single | Tryb Single | Tryb Single | Tryb Single |
Długość fal | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
Moc wyjściowa (min.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
Moc wyjściowa (maks.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
Liczba stref | 1 Sztuka | 12 Sztuka | 2 Sztuka | 1 Sztuka |
Sprawność różniczkowa (w temperaturze pokojowej) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
Klasa lasera | 3B | 3B | 3B | 3B |
Układ optyczny | ||||
Element optyczny | - | - | z kontrolą polaryzacji | Pakiet TO ze zintegrowanym układem optycznym |
Prąd | ||||
Napięcie prądu (przy 25 mA i w temperaturze pokojowej) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
Prąd progowy (w temperaturze pokojowej) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
Wielkość | ||||
Wymiar – szerokość | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Wymiar – wysokość | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Wymiar – głębokość | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
TVT-006-850-A (chip 850 nm)
|
TVT-007-940-B (VCSEL-Array z gaussowskim rozkładem wiązki)
|
TVP-001-850-A (ViP)
|
TTO-002-xxx-A (pakiet TO)
|
|
---|---|---|---|---|
Parametry lasera | ||||
Rodzaj lasera | Tryb Single | Tryb Single | Tryb Single | Tryb Single |
Długość fal | 850 nm | 940 nm | 850 nm | 760, 763, 850 nm |
Moc wyjściowa (min.) | 2 mW | 13,5 mW | 0,3 mW | - |
Moc wyjściowa (maks.) | 2,5 mW | 25 mW | 0,75 mW | - |
Liczba stref | 1 Sztuka | 12 Sztuka | 2 Sztuka | 1 Sztuka |
Sprawność różniczkowa (w temperaturze pokojowej) | 0.5 - 1 W/A | 0,9 W/A | - | - |
Klasa lasera | 3B | 3B | 3B | 3B |
Układ optyczny | ||||
Element optyczny | - | - | z kontrolą polaryzacji | Pakiet TO ze zintegrowanym układem optycznym |
Prąd | ||||
Napięcie prądu (przy 25 mA i w temperaturze pokojowej) | 2,6 V | 2,6 V | 1.7 - 2.4 V | - |
Prąd progowy (w temperaturze pokojowej) | 2 mA | 3,6 mA | 0.2 - 1.0 mA | - |
Wielkość | ||||
Wymiar – szerokość | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Wymiar – wysokość | 200 μm | 187 μm | 165 μm | - |
Wymiar – głębokość | 99 μm | 99 μm | 130 μm | - |
Dane techniczne wszystkich wariantów produktu do pobrania.

Chip 850 nm
Chip 850 nm oferuje wysoką wydajność przy jednoczesnym niskim zużyciu prądu. Chip nadaje się do zastosowań wielkoseryjnych i wysoce zintegrowanych. Diody laserowe są dostarczane w postaci chipów na taśmie. Ten format dostawy zakłada wykorzystanie procesów pick and place lub tzw. die bonding do obróbki diod laserowych.

Mała matryca VCSEL o długości 940 nm z gaussowskim rozkładem wiązki
Jednomodowa matryca VCSEL z 12 mini nadajnikami do bardzo precyzyjnych czujników Time-of-Flight. Matryce VCSEL z gaussowskim rozkładem wiązki i krótkim czasem wzrastania i opadania.

850 nm ViP (VCSEL z zintegrowaną fotodiodą)
Zintegrowane rozwiązanie VCSEL ViP jest wyposażone w fotodiodę zintegrowaną bezpośrednio z VCSEL, która odbiera sygnały odblaskowe do dalszego przetwarzania. Opatentowane rozwiązanie wspiera zatem technologię samomieszającej się interferencji, w skrócie SMI. SMI to sprawdzona optyczna metoda pomiarowa do zastosowań w czujnikach przemysłowych i elektronice użytkowej.

Pakiety TO
VCSEL w hermetycznie szczelnej obudowie TO pozwalają na proste stosowanie diody laserowej i nadają się do obsługi w wymagających warunkach otoczenia. Dodatkowo możliwe jest wykonanie testu obciążeniowego. Zintegrowana dioda Zenera obniża czułość ESD.

TO z TEC
Do zastosowania w sytuacjach, w których wykorzystywany jest duży zakres temperatur lub wymagana jest spektralna stabilizacja diody laserowej, służy pakiet TO z zintegrowanym TEC. Moduł Peltiera dzięki opornikowi typu NTC pozwala na precyzyjną regulację temperatury lasera, hermetyczność obudowy wyklucza możliwość kondensacji w laserach VCSEL.
Jednomodowe VCSEL o stabilnej, zaawansowanej polaryzacji liniowej poprawiają jakość oświetlenia i rozdzielczość w wymagających zastosowaniach oświetlenia 3D.
Siatka powierzchniowa umożliwia stabilną polaryzację i jest wytrawiona bezpośrednio w GaAs. Dzięki zoptymalizowanej konstrukcji siatki spolaryzowane układy VCSEL osiągają niemal 100-procentową sprawność energetyczną w porównaniu z niespolaryzowanymi VCSEL. Firma TRUMPF opracowała opatentowaną technologię VCSEL o stabilnej polaryzacji do zastosowań w dużych seriach.
Możliwa jest również opcja podwójnej polaryzacji, dzięki czemu w jednym VCSEL zintegrowane są dwa kierunki polaryzacji.
Jednomodowe VCSEL w hermetycznie uszczelnionej obudowie TO pozwalają na łatwe stosowanie diody laserowej i nadają się do obsługi w wymagających warunkach otoczenia. Produkty są opcjonalnie wyposażone w system kontroli temperatury (TEC, termistor).
VCSEL ze zintegrowanymi fotodiodami (ViP) pozwalają na wychwytywanie odbitych sygnałów do dalszej obróbki. Opatentowane rozwiązanie wspiera zatem technologię samomieszającej się interferencji, w skrócie SMI. SMI to sprawdzona optyczna metoda pomiarowa do zastosowań w czujnikach przemysłowych i elektronice użytkowej.
W zależności od kraju możliwe są odstępstwa od podanego asortymentu i tych informacji. Zastrzega się możliwość zmian w technologii, wyposażeniu, cenie lub ofercie akcesoriów. Proszę skontaktować się z lokalną osobą kontaktową, aby ustalić, czy produkt jest dostępny w Państwa kraju.
