Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition（MOCVD：有機金属化学蒸着）は、結晶膜の成長に使用される非常に複雑な手法です。MOCVDは、発光ダイオード（LED）、レーザ、トランジスター、ソーラーセルやその他のエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス部品の製造に使用されており、未来の市場におけるキーテクノロジーであり、高成長の可能性を秘めています。TruHeat DC 3000はこの用途に最適な選択肢です。

TRUMPF Hüttingerが幅広く提供しているプロセス電力供給装置、外部回路、インダクターとアクセサリーは、SiC・GaN業界の一連のキープレイヤーのもとでの結晶成長・エピタキシャル成長プロセスで既に使用され、高い成果を収めています。

This paper focuses on strategies to reduce operational and capital expenditures while improving quality in SiC/GaN production processes, and provides an in-depth look at various heating methods used in SiC/GaN manufacturing, including microwave, RF dielectric, DC resistive, and induction heating.