国/地域/言語選択

Whitepaper Power Electronics

All our white papers are available for download

- 3 MB

商用電源接続とスタンドアロン運転間のスムーズな切り替えを可能にする、C&I蓄電池向けの新種の電圧制御装置

蓄電池システムに、商用電源と接続された運転に加えて、局所的な電力網を形成して運転する能力が備われば、耐性、安定性と安全性が高まり、事業者に決定的なメリットがもたらされます。特に大きなメリットとして、商用電源の機能が停止した場合に、自社設備の運転をスムーズに継続できることが挙げられます。

PDF - 1 MB

DCカップリング：効率的な手段

蓄電コストの低下に伴い、太陽光発電と結合された蓄電アプリケーションの魅力が幅広い用途で増しています。

HUET_WhitePaper_Single-stage_three-level _RZ.indd

PDF - 343 KB

1段式3点インバーター

高電圧向けのACカップリング蓄電池システムのコスト効率とエネルギー効率は、蓄電池と電力網の接続に必要なパワーエレクトロニクスに左右されます。この記事では、コストの節約とシステム効率の向上を可能にする1段式アプローチに対する要件と、それが及ぼす影響について解説しています。

PDF - 715 KB

波形が重要なバイポーラスパッタリング

この記事では、バイポーラ電力供給の2つの特徴を紹介しています。その1つ目は、パルス周波数範囲が広く、最大100 kHzにまで至ることであり、2つ目は、電流と電圧の矩形波の正半波と負半波の間に中断時間が追加されることです。

PDF - 941 KB

正弦波または矩形波

高絶縁膜のデュアルマグネトロンスパッタリング（DMS）が導入されて以来、矩形波パルスと正弦波電力供給が選択可能になっています。

PDF - 567 KB

自動周波数チューニング

プラズマのインピーダンス範囲での急激な変動に対する措置のひとつが、自動周波数チューニングです。ここでは、RFジェネレーターの基本振動が1ミリ秒以内により適切な周波数値に合わせて調整されます。

PDF - 2 MB

新しいパルスDCテクノロジー

直流スパッタリングとパルス直流スパッタリングは、産業界で最も頻繁に使用されているスパッタリング技術のひとつです。パルス直流テクノロジーを導入することで、非導電性化合物から成るコーティングを、反応性マグネトロンスパッタリングで生成して大量生産することが可能になっています。

PDF - 1 MB

電圧制御式移行モード

反応性スパッタリングは、絶縁膜とハードコーティングの生成に関して、最先端の産業界で広く普及している手法です。蒸着とは異なり、スパッタリングではイオンベースコーティングの利点が得られるため、高額の設備費用と電気代がかかるにもかかわらず、産業界にとって魅力的な手法になっています。

PDF - 2 MB

アーク管理

MFマグネトロンスパッタリングでのアークの発生：反応性マグネトロンスパッタリングでは、カソードでのアーク発生がよくある問題になっています。

PDF - 864 KB

LDMOS

このホワイトペーパーでは、不一致条件下で、出力を組み合わせる構造が高周波高出力増幅器の高周波出力と熱出力に及ぼす影響ついて解説しています。

PDF - 425 KB

HiPIMS - 産業界にもたらされた新しい可能性

High Power Impulse Magnetron Sputtering（HiPIMS：高出力パルスマグネトロンスパッタリング）は、産業界で最新のPVD（Physical Vapor Deposition：物理蒸着）手法です。

PDF - 1 MB

PEALDテクノロジー、RF信号発生器とマッチネットワーク

Atomic Layer Deposition（ALD：原子層堆積法）とは、気相から大量の薄膜素材が析出される手法のことです。コーティングサイクルを何度も行うことで、原子層から成る極薄の膜が形成されます。

PDF - 3 MB

パルスDCスパッタリングの用途

ソーラーセルの光吸収層の材料として、最も関心が集まっている素材のひとつが、銅・インジウム・セレン（CIS）ベースの材料です。その特性は、インジウムの一部をガリウムと置き換えることで、Cu(In,Ga)Se2、通称CIGSに変化させることができます。

PDF - 2 MB

加工での精度

益々進む小型化を保証するには、半導体製造プロセスの継続的な改善が前提条件になります。これはRFジェネレーターにとって、信号品質を出力と時間分解能に関して常に高めていかなければならないことを意味しています。

PDF - 712 KB

正確なMOCVDプロセスでの抵抗加熱に適したDC電源

Metal Organic Chemical Vapor Phase Deposition（MOCVD：有機金属化学蒸着）は、結晶膜の成長に使用される非常に複雑な手法です。MOCVDは、発光ダイオード（LED）、レーザ、トランジスター、ソーラーセルやその他のエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス部品の製造に使用されており、未来の市場におけるキーテクノロジーであり、高成長の可能性を秘めています。TruHeat DC 3000はこの用途に最適な選択肢です。

PDF - 1 MB

誘導加熱 - 半導体業界での用途と課題

TRUMPF Hüttingerが幅広く提供しているプロセス電力供給装置、外部回路、インダクターとアクセサリーは、SiC・GaN業界の一連のキープレイヤーのもとでの結晶成長・エピタキシャル成長プロセスで既に使用され、高い成果を収めています。

PDF - 1 MB

ハイテクマイクロ波用途に適した、高効率で革新的な2.45 GHz ISMバンドのGaNジェネレーター

これまで、マイクロ波プロセスの産業化での主なハードルと最大の欠点は、「手段」が欠けていたことでした。これまでは、加熱プロセスの均一性に影響を及ぼし、狙い通りの温度配分と再現性の高い加熱プロセスを可能にするには、回転プレートや攪拌装置などの機械式可動コンポーネントしか利用することができませんでした。

問い合わせ

TRUMPF Hüttinger

電話 +49 761 89710

Fax +49 761 89711150

Eメール

サービス & お問い合わせ