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波形が重要なバイポーラスパッタリング
この記事では、バイポーラ電力供給の2つの特徴を紹介しています。その1つ目は、パルス周波数範囲が広く、最大100 kHzにまで至ることであり、2つ目は、電流と電圧の矩形波の正半波と負半波の間に中断時間が追加されることです。
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正弦波または矩形波
高絶縁膜のデュアルマグネトロンスパッタリング(DMS)が導入されて以来、矩形波パルスと正弦波電力供給が選択可能になっています。
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自動周波数チューニング
プラズマのインピーダンス範囲での急激な変動に対する措置のひとつが、自動周波数チューニングです。ここでは、RFジェネレーターの基本振動が1ミリ秒以内により適切な周波数値に合わせて調整されます。
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新しいパルスDCテクノロジー
直流スパッタリングとパルス直流スパッタリングは、産業界で最も頻繁に使用されているスパッタリング技術のひとつです。パルス直流テクノロジーを導入することで、非導電性化合物から成るコーティングを、反応性マグネトロンスパッタリングで生成して大量生産することが可能になっています。
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電圧制御式移行モード
反応性スパッタリングは、絶縁膜とハードコーティングの生成に関して、最先端の産業界で広く普及している手法です。蒸着とは異なり、スパッタリングではイオンベースコーティングの利点が得られるため、高額の設備費用と電気代がかかるにもかかわらず、産業界にとって魅力的な手法になっています。
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アーク管理
MFマグネトロンスパッタリングでのアークの発生:反応性マグネトロンスパッタリングでは、カソードでのアーク発生がよくある問題になっています。
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LDMOS
このホワイトペーパーでは、不一致条件下で、出力を組み合わせる構造が高周波高出力増幅器の高周波出力と熱出力に及ぼす影響ついて解説しています。
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HiPIMS - 産業界にもたらされた新しい可能性
High Power Impulse Magnetron Sputtering(HiPIMS:高出力パルスマグネトロンスパッタリング)は、産業界で最新のPVD(Physical Vapor Deposition:物理蒸着)手法です。
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PEALDテクノロジー、RF信号発生器とマッチネットワーク
Atomic Layer Deposition(ALD:原子層堆積法)とは、気相から大量の薄膜素材が析出される手法のことです。コーティングサイクルを何度も行うことで、原子層から成る極薄の膜が形成されます。
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パルスDCスパッタリングの用途
ソーラーセルの光吸収層の材料として、最も関心が集まっている素材のひとつが、銅・インジウム・セレン(CIS)ベースの材料です。その特性は、インジウムの一部をガリウムと置き換えることで、Cu(In,Ga)Se2、通称CIGSに変化させることができます。
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加工での精度
益々進む小型化を保証するには、半導体製造プロセスの継続的な改善が前提条件になります。これはRFジェネレーターにとって、信号品質を出力と時間分解能に関して常に高めていかなければならないことを意味しています。
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Reactive Sputtering of AI2O3
Although, on a laboratory scale transition mode sputtering of Al2 O3 from aluminum targets is well established, the transfer to an industrial scale, in particular when planar targets are used, poses considerable challenges.
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Effect of Ignition Voltage on HIPIMS Discharge
Ignition voltage controls HIPIMS ignition speed and pulse shape: higher voltages shorten the formative current lag and convert triangular current pulses into more rectangular profiles, increasing per‑pulse energy. This paper quantifies these effects using electrical waveforms and optical emission spectroscopy, and discusses implications for stable constant‑current operation, deposition rate, and coating quality.